П 9. Темы рефератов

1. Варизонные полупроводники и гетероструктуры.

2. Диагностика глубоких энергетических уровней в полупроводниковых структурах.

3. Емкостные методы контроля параметров полупроводниковых структур.

4. Квантовый эффект Холла в двумерном электронном газе.

5. Линейные дефекты в кремнии и их влияние на его электрофизические свойства.

6. Молекулярная электроника.

7. Наноэлектроника, наноэлектронные структуры и способы их формирования.

8. Применение квантово-размерных структур в приборах микро - и наноэлектроники.

9. Проблемы полупроводниковой элементной базы на основе спиновых взаимодействий.

10. Проблемы одноэлектроники. Применение одноэлектрон-ных приборов.

11. Размерное квантование и квантово-размерные структуры.

12. Светодиоды (физика, конструкции, технология, рабочие характеристики).

13. Свойства и перспектива применения углеродных нанотрубок в электронике.

14. Сенсоры температуры на основе полупроводниковых структур.

15. Сенсоры давления на основе полупроводниковых структур.

16. Сенсоры газов на основе полупроводниковых структур.

17. Сенсоры влажности на основе полупроводниковых структур.

18. Сенсоры электромагнитных излучений на основе полупроводниковых структур.

19. Сканирующая зондовая микроскопия материалов и структур наноэлектроники.

20. Солнечные элементы на однородных и неоднородных p-n-переходах.

21. Солнечные элементы на поверхностных и тонкопленочных полупроводниковых структурах.

22. Физические и технологические ограничения традиционного направления развития микроэлектроники.

23. Физические проблемы надежности интегральных микросхем.

24. Физические проблемы создания нанотранзистора.

25. Фотодетекторы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы).

26. Фотоэлектрические явления в квантовых ямах.

27. Функциональные магнитоэлектрические устройства.

28. Функциональные устройства на основе приборов с зарядовой связью.

29. Функциональные устройства на основе объемного отрицательного сопротивления.

30. Функциональные устройства на оптронах.

31. Функциональные устройства на поверхностных акустических волнах.

32. Функциональные устройства на тонкопленочных многослойных структурах.

33. Функциональные элементы и устройства на основе явления сверхпроводимости.

34. Электронные свойства неупорядоченных систем.

35. Эффект Ааронова-Бома.

П 10. Пример оформления титульного листа

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ

РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Технологический институт

Федерального государственного

образовательного учреждения высшего

профессионального образования

"Южный федеральный университет"

Кафедра физики

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к индивидуальному заданию

по дисциплине «_______________________________»

Тема задания:

Вариант___

“ ” Выполнил студент группы

(дата)

(подпись) (фамилия, инициалы)

“ ” Проверил

(дата) (должность)

(подпись) (фамилия, инициалы)

Таганрог 201.. г.

Библиографический СПИСОК

1. Микроэлектроника: Учебное пособие для втузов. В 9-ти кн. / Под ред. Л.А. Коледова. Кн.1. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники / О.В. Митрофанов, Б.М. Симонов, Л.А. Коледов. – М.: Высшая школа, 1987. – 186 с.

2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность: Учебное пособие для приборостроит. спец. вузов. 2–е изд., перераб. и доп. – М.: Высшая школа, 1986. – 464 с.

3. Епифанов Г.И., Мома Ю.А. Твердотельная электроника: Учебник для студентов вузов. – М.: Высшая школа, 1986. – 304с.

4. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников: Учебное пособие для вузов. 2–е изд., перераб. и доп. – М.: Высш. школа, 1984. – 352 c.

5. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику / Пер. с япон. – М.: Мир, 1988. – 320 с.

6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2–х кн. / Пер. с англ. 2–е перераб. и доп. издание. – М.: Мир, 1984. Кн.1. – 456 с. Кн.2. – 456 с.

7. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Пер. с исп. С.И. Баскакова; Под ред. В.А. Терехова. – М.: Высшая школа, 1991. – 351с.

8. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы: Учеб. пособие для студ. вузов. – 8-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2006. – 479 с.

9. Технология СБИС: в 2–х кн. / Пер. с англ.; Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. Кн. 1. – 404 с., кн. 2. – 453 с.

10. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление / Пер. с англ. – М.: Мир, 1985. – 501 с.

11. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Лаборатория базовых знаний, 2003. – 488 c.

12. Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника: физико-технологические основы: Учеб. пособие для вузов. – М.: Физматлит, 2006. – 423 с.

13. Таруи Я. Основы технологии СБИС / Пер. с япон. – М.: Радио и связь, 1985. – 480 с.

14. Тилл У., Лаксон Дж. Интегральные схемы: материалы, приборы, изготовление / Пер. с англ. – М.: Мир, 1985. – 501 с.

15. Миловзоров О.В Электроника: Учебник для студ. вузов.– 2-е изд. перераб. – М.: Высшая школа, 2005. – 288 с.

16. Коваленко А.А. Основы микроэлектроники: Учеб. пособие для студ. вузов. – М.: Academia, 2006. – 326 с.

17. Усаченко С.Т., Каченик Т.К., Терехова М.В. Выполнение электрических схем по ЕСКД. Справочник. – М.: Изд-во стандартов, 1989. – 325 с.

18. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ. / Под. ред. Г.В. Степенова. – М.: Pадио и связь, 1982. – 208 с.

19. Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники: Учебное пособие. – Таганрог: Изд–во ТРТУ, 2006. – 221с.

20. Щука А.А. Электроника: Учеб. пособие для студ. вузов. – 2-е изд. – СПб.: БХВ-Петербург, 2008. – 739 с.

21. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. – СПб.: Изд–во Лань, 2001. – 272 с.

22. Захаров А.Г., Какурин Ю.Б., Филипенко Н.А. Сборник задач по дисциплине «Физические основы микро-электроники». – Таганрог: Изд-во ТРТУ, 2005. – 91 с.

23. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов / Пер с англ. В.М. Воллем, Л.С. Костиной; Под ред. И.В. Грехова. – Л.: Энергоатомиздат, 1986. – 248 с.

Для заметок

Захаров Анатолий Григорьевич

Какурина Наталья Андреевна

Какурин Юрий Борисович

Богданов Сергей Александрович

УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ ПОСОБИЕ

для выполнения индивидуального задания студентов

по дисциплинам

Физические основы микроэлектроники,

Физические основы электроники

Для студентов специальностей