2.4.8 Конструкція біполярних транзисторів

Біполярні транзистори виготовляють з германію та кремнію. Як

приклад, розглянемо будову площинного германієвого транзистора р — п —р-типу (рис. 2.17). Базою служить пластина 3 з кристаліч­ного германію з електронною провідністю, 3 двох боків у пластину вплавлені індієві електроди — емітер 6 і колектор 8.

Рисунок 2.17 Схема будови площинно­го германієвого транзистора р— п — р-типу.

Під час плав­лення індію між кожним із цих електродів і германієвою пластиною (базою) утворюються ділянки з дїрковою провідністю та емітер ний 7 і колекторний 2 р-n-переходи. Колектор 8 закріплюється на кристалотримачі 1, від якого назовні про­ходить колекторний вивід 9. Виводи емітера 5 та бази 4 ізольовані від корпусу скляними прохідними ізоля­торами. Транзистор розміщують у металевому корпусі.

Порівняно з електронними лампа­ми транзистори мають такі переваги: відсутність кола розжарення, отже, спрощеність схеми й відсутність споживання потужності для розі­грівання катода; велика механічна міцність і довговічність; постійна готовність до роботи; малі габарити й маса; низька напруга жив­лення та високий ККД.

До недоліків транзисторів належать залежність режиму роботи від температури навколишнього середовища; невелика вихідна по­тужність; чутливість до перевантажень; розкид параметрів, внаслідок чого окремі транзистори одного типу значно відрізняються між собою за своїми параметрами; значна відмінність між вхідними та вихідними опорами.

2.4.9 Маркування транзисторів

Маркування транзисторів складається з чотирьох елементів:

- перший (літера або цифра) — матеріал напівпровідника (Г(1) — гер­

маній; К(2) — кремній; А(3) — арсенід галію);

- другий (літера) — Т (біполярні), П (польові);

- третій (тризначне число) — класифікаційна ознака за потужністю і

частотою;

- четвертий (літера) — різновид транзистора цього типу (А, Б, В то­що).

Наприклад, ГТ905А — германієвий біполярний потужний

ви­сокочастотний транзистор, різновид типу А.

2.5 Уніполярні (польові) транзистори

2.5.1 Загальні відомості

До класу уніполярних відносять транзистори, принцип дії яких ґрун­тується на використанні носіїв заряду лише одного знаку (електронів або дірок). Керування струмом в силовому колі уніполярних транзис­торів здійснюється зміною провідності каналу, через який протікає струм під впливом електричного поля. Тому уніполярні транзистори ще нази­ваються польовими (ПТ).

Розрізняють ПТ з керуючим р-п переходом (з затвором у вигляді р-п переходу) та з ізольованим затвором. Останні, в свою чергу, по­діляються на ПТ із вбудованим каналом та індукованим каналом. ПТ з ізольованим затвором належать до різновиду МДН-транзисторів: конструкція «метал - діелектрик - НП». Коли в якості діелектрика використовують оксид кремнію: конструкція «метал - оксид - НП», ПТ називають відповідно МОН -транзистором.

Характерною рисою ПТ є великий вхідний опір (10⁸ - 10¹⁴ Ом). Широкого розповсюдження ПТ набули завдяки високій технологічності у виробництві, стабільності характеристик інереликій вартості.