- •Роль електроніки в народному господарстві
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1 фізичні основи роботи напівпровідникових приладів
- •Електропровідність напівпровідників
- •1.2 Електронно дірковий перехід.
- •Розділ 2 напівпровідникові прилади та їх стисла характеристика
- •2.1 Класифікація напівпровідникових приладів
- •2.2 Напівпровідникові резистори
- •2.3 Напівпровідникові діоди
- •2.4 Біполярні транзистори
- •2.4.1 Будова транзистора
- •2.4.2 Принцип дії біполярних транзисторів
- •2.4.3 Схеми включення біполярних транзисторів
- •2.4.4 Характеристики бт
- •2.4.5 Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •2.4.6 Основні режими роботи біполярного транзистора
- •2.4.7 Одноперехідний транзистор
- •2.4.8 Конструкція біполярних транзисторів
- •2.4.9 Маркування транзисторів
- •2.5 Уніполярні (польові) транзистори
- •2.5.1 Загальні відомості
- •2.5.2 Польові транзистори з керуючим р-п переходом
- •2.5.5 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (бтіз)
- •2.6 Тиристори
- •2.6.1 Диністори
- •2.6.2 Триністор (керований діод)
- •2.6.3 Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор,
- •2.6.4 Електростатичні тиристори
- •2.6.5 Запірний тиристор з мон-керуванням
- •2.6.6 Маркування тиристорів
- •2.6.7 Оптоелектронні елементи
- •2.7 Газорозрядні прилади та фотоелементи іонізація газу й електричний розряд
- •2.7.1 Газотрони
- •2.7.2 Тиратрони
- •2.7. 3 Фотоелементи з зовнішнім фотоефектом.
- •2.7.4 Фотоелементи з внутрішнім фотоефектом та з запірним шаром
- •3.1 Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
- •3.2 Конструкції мікросхем
- •3.3 Напівпровідникові імс
- •Транзисторів
- •Конденсатори
- •3.4 Гібридні імс. Технологія виготовлення гібридних імс
- •Конденсатори й індуктивні елементи
- •3.5 Призначення і параметри імс
- •4.1 Оптоелектроніка
- •4.2 Акустоелектроніка
- •4.3 Магнетоелектроніка
- •4.4 Криоєлектроніка
- •4.5 Хемотроніка
- •4.6 Біоелектроніка
2.6.2 Триністор (керований діод)
Тиристор - це чотиришаровий перемикаючий прилад, у якого від однієї з базових областей зроблено вивід - керуючий електрод.
Структура та умовне позначення триністора (надалі - тиристор) наведені на рис. 2.28.
Рисунок 2.28 - Структура та умовне позначення тиристора
Подаючи між керуючим електродом та катодом пряму напругу на р-п перехід, що працює у прямому напрямку, можна регулювати величину Uзм .
Якщо подати в керуюче коло імпульс прямої напруги, тиристор вмикається і залишається увімкненим після зняття сигналу керування.
Вимкнути тиристор можна лише зниженням струму у його анодному колі нижче струму утримання Іум.ВАХ тиристора приведена НП рисунку 2.29.
Рисунок 2.29 - ВАХ тиристора
У колах постійного струму (рис.2.30) вимикання тиристора здійснюється тиристору попередньо зарядженого конденсатора з напругою, полярність
якої зворотна щодо тиристора (примусова комутація,).
Рисунок 2.30 – Схема включення тиристора
У колах змінного струму вимикання тиристора здійснюється природно в в момент проходження струму через нуль невимушена комутація) – тому тиристори набули широкого застосування в колах змінного струму.
2.6.3 Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор,
двоопераційний тиристор, оптронний тиристор)
Симістор або симетричний тиристор - прилад, який є керованим як при позитивній, так і при негативній напрузі на ньому. ВАХ симістора та його умовне позначення наведено на рис. 2.31.
Прилад являє собою п'ятишарову структуру. Його параметри подібні до параметрів триністора.
Рисунок
2.31- Умовне позначення та ВАХ триністора
Оптроний тиристор - це поєднання світлодіода та фототиристора в одному корпусі. Якщо через світлодіод пропускати струм (під дією Uk), він генеруватиме світловий потік, який, падаючи на структуру тиристора в зоні керуючого р-п переходу, призведе до генерації в НП вільних носіїв заряду. Ці носії під дією прикладеної до тиристора напруги створюють струм керування і тиристор вмикається. Головна перевага оптронних тиристорів - це відсутність гальванічного зв'язку між колом керування та силовим колом. Умовне позначення оптронного тиристора наведене на рис. 2.32.
Рисунок
2.32–Умовні позначення фототиристора
(а), двоопераційного (б) та оптронного
(в) тиристорів
Наявність у тиристорів внутрішнього додатнього зворотного зв'язку (зона від'ємного опору на ВАХ) надає їм ряд важливих властивостей.
Головне: для вмикання тиристора достатньо в його коло керування подати короткий імпульс струму невеликої потужності. Далі відкритий стан підтримується за рахунок внутрішнього додатного зв'язку. Тому тиристори мають дуже великий коефіцієнт підсилення за потужністю
(десятки тисяч).
Порівняно з транзисторами, тиристори більш стійкі до перевантажень, але мають досить вузький діапазон робочих частот (до сотень герц).