2.6.4 Електростатичні тиристори

Окрім розглянутих вище, в останній час в енергетичній електроніці використовують і деякі новітні види тиристорів, що з'явилися завдяки досягненням напівпровідникової технології. Це, наприклад, електрос­татичні тиристори (або SITh- тиристори – Static Induction Thyristor). Технологія їх виготовлення настільки складна, що опанована у світі лише декількома фірмами. Відповідно, їх вартість досить висока.

Еквівалентна схема і позначення такого тиристора наведені на рис. 2.33. У нормальному стані він проводить струм. Вимикання здійснюється подачею на керуючий електрод негативної відносно до катода напруги.

Рисунок 2.33 – Еквівалентна схема (а) і позначення (б) електростатичного тиристора

2.6.5 Запірний тиристор з мон-керуванням

Найбільш перспективним з тиристорів є тиристор, керований напру­гою - запірний тиристор з МОН-керуванням (MCT – MOS – Controlled Thyristor). Його схема і позначення наведені на рис. 2.34. Він містить в собі МОН-структури з п- та р-каналами і тиристорну чотиришарову структуру р-п-р-п.

Рисунок 2.34 – Еквівалентна схема (а) і позначення (б) запірного тиристо-

ра з МОН-керуванням

Вмикають його по затвору n-канального МОН-транзистора. Вими­кання здійснюється по затвору p-канального МОН-транзистора, що на короткий час шунтує катодний перехід тиристорної структури. Це забезпечує малу потужність кола керування приладу і сумісність з цифровими пристроями керування.

2.6.6 Маркування тиристорів

Маркування тиристорів здійснюється за такою класифікацією:

а) 1 позиція — літера Т, що вказує на призначення;

б) 2 позиція — літера, яка вказує на вид тиристора (Б — швидкодійний,

С —симетричний, Ч— частотний, П— із зворотною провідністю);

в) 3 позиція — три цифри, які характеризують конструктивні особ­-

ливості;

г) 4 позиція — число, яке відповідає середньому струму І_а в амперах;

д.) 5 позиція — клас за напругою, на яку розрахований тиристор;

є) 6 позиція — цифри, які визначають номери груп за швидкістю наростання напруги та часом вимикання.

Наприклад: ТЕ 133-250-8-52 — тиристор швидкодійний, середній анодний струм 250А, восьмий клас за напругою, п'ята група за нарос­танням напруги та друга група за часом вимикання.

2.6.7 Оптоелектронні елементи

Оптоелектронні елементи використовують перетворення електричних сигналів в оптичні і містять джерело світла (ДС) та приймач світла — фотоприймач (ФП), які поєднані між собою оптичним середовищем (рис.2.35). Такі елементи називають оптронами (оптопарами).

Як джерело світла використовується інфрачервоний випромінювальний діод, світлодіод або напівпровідниковий лазер. Для фотоприймача використовують фоторезистори (рис. 2,42, б), фотодіоди (рис. 2,42, в), фототранзистори (рис. 2,42, г) і фототиристори (рис. 2,42, д).

Рисунок-2.35 Структура оптрона (а), схемне зображення

фоторезисторного (б), фотодіодного (в),

фототранзисторного (г) і фототиристорного

(д) оптронів

Основною ознакою оптрона є великий опір ізоляції між вхідними і вихідними електричними колами, що становить (10¹² ÷ 10²⁴) Ом. Це дає змогу за допомогою сигналів малої потужності керувати високими напругами до 1500 В і струмами до 300 А. До характеристик оптопар також відносять коефіцієнт пересилання за струмом К_і (від сотих у фотодіодних до 10 у фототранзисторних) і час перемикання (від 2-10^-3 с у фототранзисторних до 10^-8 с у фотодіодних).

Маркування оптронів здійснюється так:

перша літера — матеріал напівпровідника (найчастіше використовуваний — сполуки галію, тоді літера А)

друга літера — О (оптопара);

третя літера — тип фотоприймача (Д — фотодіод, Τ — фото-транзистор, У— тиристор, Ρ — з відкритим оптичним каналом);

три цифри — номер приладу;

остання літера — класифікація за параметром.

Якщо на оптопарі є напис АОТ121Б, то це — оптопара діод-транзистор на сполуці галію, номер 121 Б, група параметрів Б.