- •Роль електроніки в народному господарстві
- •Як вивчати електроніку
- •Розділ 1 фізичні основи роботи напівпровідникових приладів
- •Електропровідність напівпровідників
- •1.2 Електронно дірковий перехід.
- •Розділ 2 напівпровідникові прилади та їх стисла характеристика
- •2.1 Класифікація напівпровідникових приладів
- •2.2 Напівпровідникові резистори
- •2.3 Напівпровідникові діоди
- •2.4 Біполярні транзистори
- •2.4.1 Будова транзистора
- •2.4.2 Принцип дії біполярних транзисторів
- •2.4.3 Схеми включення біполярних транзисторів
- •2.4.4 Характеристики бт
- •2.4.5 Біполярний транзистор як активний чотириполюсник
- •2.4.6 Основні режими роботи біполярного транзистора
- •2.4.7 Одноперехідний транзистор
- •2.4.8 Конструкція біполярних транзисторів
- •2.4.9 Маркування транзисторів
- •2.5 Уніполярні (польові) транзистори
- •2.5.1 Загальні відомості
- •2.5.2 Польові транзистори з керуючим р-п переходом
- •2.5.5 Біполярні транзистори з ізольованим затвором (бтіз)
- •2.6 Тиристори
- •2.6.1 Диністори
- •2.6.2 Триністор (керований діод)
- •2.6.3 Спеціальні типи тиристорів (симістор, фототиристор,
- •2.6.4 Електростатичні тиристори
- •2.6.5 Запірний тиристор з мон-керуванням
- •2.6.6 Маркування тиристорів
- •2.6.7 Оптоелектронні елементи
- •2.7 Газорозрядні прилади та фотоелементи іонізація газу й електричний розряд
- •2.7.1 Газотрони
- •2.7.2 Тиратрони
- •2.7. 3 Фотоелементи з зовнішнім фотоефектом.
- •2.7.4 Фотоелементи з внутрішнім фотоефектом та з запірним шаром
- •3.1 Інтегральні мікросхеми. Класифікація та основні поняття
- •3.2 Конструкції мікросхем
- •3.3 Напівпровідникові імс
- •Транзисторів
- •Конденсатори
- •3.4 Гібридні імс. Технологія виготовлення гібридних імс
- •Конденсатори й індуктивні елементи
- •3.5 Призначення і параметри імс
- •4.1 Оптоелектроніка
- •4.2 Акустоелектроніка
- •4.3 Магнетоелектроніка
- •4.4 Криоєлектроніка
- •4.5 Хемотроніка
- •4.6 Біоелектроніка
4.2 Акустоелектроніка
Акустоелектроніка — це напрямок функціональної мікроелектроніки, оснований на використанні п'єзоелектричного ефекту. Акусто-електроніка займається перетворенням акустичних сигналів в електричні й електричних в акустичні.
На мал. 4.4, а показана структура елементарного осередку кварцу, що складатьсяє з трьох молекул SiО2. При відсутності деформації центр ваги позитивних і негативних іонів збігається (плюсом відзначені іони кремнію, мінусом — кисню). Стиск кристала у вертикальному напрямку (мал. 4.4, б) приводить до зсуву позитивних іонів вниз, а негативних нагору. Відповідно, на зовнішніх електродах з'являється різниця потенціалів. Це явище називають прямим п'єзоелектричним ефектом. Існує і зворотний пезоефект, коли під дією прикладеної напруги й у залежності від її полярності пезокристалл (кварц, сегнетова сіль, турмалін і ін.) поляризується і змінює свої геометричні розміри. Якщо ж до піє-зокристаллу прикласти перемінну напруга, то в ньому збуджуються механічні коливання визначеної частоти, що залежать від розмірів кристалу.
Рисунок
4.4- Виникнення пьезо-э.
д с. при стиску елементарного осередку
кварцу
Одним з основних приладів акустоэлектроники є электроакустичний підсилювач (ЄАУ). На мал. 4.5 показана схема такого підсилювача на об'ємних хвилях.
На торцях напівпровідникового звукопровода (3) розташовані п'єзоелектричні напівпровідникові перетворювачі (П), що за допомогою омічних контактів (ДО) приєднані з однієї сторони до звукопроводу, а з іншого боку — до вхідних і вихідних клем. При подачі на вхід перемінної напруги у вхідному п’єзоперетворювачі збуджується акустична хвиля, що поширюється по звукопроводу. Взаємодія хвилі з рухаючимися в тім же напрямку по напівпровідниковому звукопроводу електронами забезпечує її підсилення.
Рисунок
4.5-Структура электроакустичного
підсилювача на об'ємних хвилях: П
— п'єзоелектричні напівпровідникові
перетворювачі;3 — напівпровідниковий
звуковід;
ДО — омічні контакти
Риcунок
4.-
Взаємодія потоку електронів і акустичної
хвилі
Основним недоліком об'ємних ЄАУ є порівняно велика потужність, що розсіюється в звукопроводі.
Акустоэлектронні пристрої є дуже перспективними> особливо для широкополосних схем і схем надвисокочастотного (СВЧ) діапазону.