- •Лазерная техника Содержание
- •1. Газовые лазеры (гл)
- •Классификация гл
- •1.2. Некоторые сведения из физики газового разряда
- •1.2.1. Понятие плазмы газового разряда
- •1.2.2. Основные элементарные процессы в плазме гр
- •1.2.3. Понятие устойчивости гр
- •1.2.4. Описание гр с помощью вольтамперной характеристики (вах)
- •1.2.5. Несамостоятельный гр и его применение в гл
- •1.2.6. Самостоятельный гр и его применение в гл
- •1.2.7. Особенности конструкции гл с самостоятельным гр
- •1.2.8. Использование переменных полей для возбуждения гл
- •1.2.9. Импульсный гр и его применение в гл
- •1.3.1. Схема энергетических уровней молекулы , участвующих в процессе лазерной генерации
- •1.3.2. Создание инверсии на лазерных переходах
- •1.3.3. Формирование частотного спектра лазерного излучения
- •1.3.4. Зависимость мощности генерации со -лазера от температуры активной среды
- •1.3.5. Диффузионное охлаждение рабочей смеси
- •1.3.6. Многолучевые системы на базе диффузионного лазера
- •1.3.7. Конвективное охлаждение рабочей смеси
- •1.3.8. Импульсные -лазеры
- •1.3.9. Газодинамические -лазеры
- •1.5. Химические лазеры
- •1.5.1. Основные требования, необходимые для прямого преобразования химической энергии в световую
- •1.6. Атомарные лазеры (Не-Ne-лазер)
- •1.7. Ионные лазеры (Ar-лазер)
- •1.8. Лазеры на самоограниченных переходах
- •1.9. Эксимерные лазеры
- •2.Твердотельные лазеры с оптической накачкой
- •2.1. Общие характеристики и особенности генерации твердотельных лазеров с оптической накачкой
- •2.2 Рубиновый лазер
- •2.3. Лазеры на стекле с неодимом
- •2.4. Лазеры на гранате с неодимом (иаг-лазеры)
- •3. Полупроводниковые лазеры
- •3.1. Вынужденное излучение в полупроводниках
- •3.2. Создание инверсии в полупроводниках
- •3.3. Лазеры на гомоструктурах
- •3.4. Лазеры на гетероструктурах
- •4. Лазеры на растворах органических красителей
- •4.1. Лазерные красители
- •4.1.1. Общие сведения
- •4.1.2. Поглощение света лазерными красителями и их флуоресценция
- •4.1.3. Пути дезактивации возбужденных молекул красителя
- •4.1.4. Распространенные красители
- •4.2. Условие генерации
- •4.2.1. Режим многократного прохождения излучения в резонаторе
- •4.2.2. Режим сверхизлучения
- •4.3. Системы накачки
- •4.3.1. Поперечный способ накачки
- •4.3.2 Продольный способ накачки
- •4.4. Дисперсионные резонаторы лазеров на красителях
- •4.4.1. Резонаторы с дифракционной решеткой
- •4.4.2. Резонаторы с оптическими призмами
- •4.4.3. Резонаторы с интерферометром Фабри-Перо
- •4.4.4. Лазеры на красителях с распределенной обратной связью
1.2.3. Понятие устойчивости гр
Одним из основных требований, предъявляемых к любому способу накачки лазеров, является то, что накачка должна быть однородной, а в случае непрерывной генерации и стабильной во времени. В случае ГР это означает, что плазма должна быть и однородной в пространстве, и устойчивой (стабильной) во времени.
Однако ясно, что в плазме всегда присутствуют флуктуации ее параметров (давление, температура, ток, напряжение и т.д.). В определенных случаях эти флуктуации могут нарастать необратимым образом. Такие ситуации называют неустойчивыми состояниями плазмы. Они характеризуются неоднородным распределением в пространстве ее параметров, а значит, снижают предельные энергетические и пространственных характеристики лазеров.
Таким образом, для того, чтобы использовать тот или иной разряд в качестве накачки р рабочей среды ГЛ, необходимо сделать так, чтобы ее плазма была устойчивой по многим параметрам, т.е. при малом случайном изменении этих параметров они опять возвращались к своим прежним значениям.
Проиллюстрируем это на примерах устойчивости плазмы, в котором флуктуирующим параметром является концентрация электронов.
Пример 1
Пусть для описания изменения во времени концентрации электронов плазмы применимо уравнение баланса самого общего вида
(1.2)
где — скорости рождения и гибели электронов соответственно. И пусть зависимости имеют графики, представленные на рис. 1
0 n
Рис. 1 рис. 2
Стационарному состоянию плазмы здесь отвечает равенство z = z , т.е. точка а пересечения этих графиков. При случайном отклонении n от n например, при ее уменьшении до значения n , скорость рождения электронов z становится меньше скорости их гибели z , и в плазме начинается необратимое уменьшение n . Если n случайно увеличивается относительно равновесного значения, то рождение электронов начнет преобладать и число электронов начнет необратимо увеличиваться. Таким образом, в рассматриваемом случае плазма является неустойчивой в точке а. Причем ход зависимостей z ,z вообще не важен, а важно только их взаимное соотношение. Ведь плазма будет неустойчивой и в случае, представленном, например, на рис. 2.
Пусть теперь зависимости z (n ) = z (n ), имеют другой вид (рис. 3):
Рис. 3 Рис. 4
Теперь при случайном и малом отклонении величины и, от равновесного значения она будет возвращаться к нему, что нетрудно видеть из аналогичных рассуждений.
Таким образом, можно записать условие устойчивости плазмы по параметру концентрации электронов в следующем виде:
(1.3)
Понятно, что почти всякий элементарный процесс имеет свой противоположный процесс: возбуждение-тушение; ионизация-рекомбинация и т.д. В каждой такой паре один из
процессов стабилизирует, а другой дестабилизирует плазму. Рассмотрим это на примере пары ионизация-рекомбинация.
Пример 2
Рассмотрим два процесса ионизацию и рекомбинацию. Процесс ионизации описывается зависимостью
z =k n n ~n , (1.4)
а процесс рекомбинации -
z =k n n ~n , (1.5)
где k , и k — соответственно скорости ионизации и рекомбинации, а n — равновесное значение концентрации электронов. Точка а - точка устойчивости плазмы (рис. 4). При этом ионизация дестабилизирует плазму (т.е. увеличивает концентрацию), а рекомбинация стабилизирует, т.к. увеличивает z в области справа от равновесной точки.
Пример 3
Балластное сопротивление, включенное в электрическую цепь разряда (рис. 5), тоже стабилизирует плазму. Действительно, пусть концентрация электронов в плазме разряда возрастает, вследствие чего ток I в цепи разряда тоже возрастает. Так как по второму закону Кирхгофа, составленному для данной цепи,
E = U + R I (1.6)
то напряжение на разрядном промежутке при этом уменьшается. В результате энергия электронов, которая равна eU ,падает, и они начинают в меньшей степени ионизировать атомы газа, от чего концентрация электронов в плазме уменьшается. Если это уменьшение будет ниже равновесного значения, то ток в цепи тоже уменьшится, а U увеличится. В результате электроны начнут сильнее разгоняться и в большей степени ионизировать атомы, и концентрация электронов возрастет до прежнего значения. Такие циклы могут повторяться многократно.
рис.5