- •Лазерная техника Содержание
- •1. Газовые лазеры (гл)
- •Классификация гл
- •1.2. Некоторые сведения из физики газового разряда
- •1.2.1. Понятие плазмы газового разряда
- •1.2.2. Основные элементарные процессы в плазме гр
- •1.2.3. Понятие устойчивости гр
- •1.2.4. Описание гр с помощью вольтамперной характеристики (вах)
- •1.2.5. Несамостоятельный гр и его применение в гл
- •1.2.6. Самостоятельный гр и его применение в гл
- •1.2.7. Особенности конструкции гл с самостоятельным гр
- •1.2.8. Использование переменных полей для возбуждения гл
- •1.2.9. Импульсный гр и его применение в гл
- •1.3.1. Схема энергетических уровней молекулы , участвующих в процессе лазерной генерации
- •1.3.2. Создание инверсии на лазерных переходах
- •1.3.3. Формирование частотного спектра лазерного излучения
- •1.3.4. Зависимость мощности генерации со -лазера от температуры активной среды
- •1.3.5. Диффузионное охлаждение рабочей смеси
- •1.3.6. Многолучевые системы на базе диффузионного лазера
- •1.3.7. Конвективное охлаждение рабочей смеси
- •1.3.8. Импульсные -лазеры
- •1.3.9. Газодинамические -лазеры
- •1.5. Химические лазеры
- •1.5.1. Основные требования, необходимые для прямого преобразования химической энергии в световую
- •1.6. Атомарные лазеры (Не-Ne-лазер)
- •1.7. Ионные лазеры (Ar-лазер)
- •1.8. Лазеры на самоограниченных переходах
- •1.9. Эксимерные лазеры
- •2.Твердотельные лазеры с оптической накачкой
- •2.1. Общие характеристики и особенности генерации твердотельных лазеров с оптической накачкой
- •2.2 Рубиновый лазер
- •2.3. Лазеры на стекле с неодимом
- •2.4. Лазеры на гранате с неодимом (иаг-лазеры)
- •3. Полупроводниковые лазеры
- •3.1. Вынужденное излучение в полупроводниках
- •3.2. Создание инверсии в полупроводниках
- •3.3. Лазеры на гомоструктурах
- •3.4. Лазеры на гетероструктурах
- •4. Лазеры на растворах органических красителей
- •4.1. Лазерные красители
- •4.1.1. Общие сведения
- •4.1.2. Поглощение света лазерными красителями и их флуоресценция
- •4.1.3. Пути дезактивации возбужденных молекул красителя
- •4.1.4. Распространенные красители
- •4.2. Условие генерации
- •4.2.1. Режим многократного прохождения излучения в резонаторе
- •4.2.2. Режим сверхизлучения
- •4.3. Системы накачки
- •4.3.1. Поперечный способ накачки
- •4.3.2 Продольный способ накачки
- •4.4. Дисперсионные резонаторы лазеров на красителях
- •4.4.1. Резонаторы с дифракционной решеткой
- •4.4.2. Резонаторы с оптическими призмами
- •4.4.3. Резонаторы с интерферометром Фабри-Перо
- •4.4.4. Лазеры на красителях с распределенной обратной связью
1.9. Эксимерные лазеры
Х
+2Х
Х
+Х,
Х
+Y
ХY
+Y,
Х
+У
+е
ХУ
+У.
(1.52)
Е,эВ
3
~
~
2
~г,~]з
,
578 нм
I
1 ! I 1 ! 1 ! 1 ! 1 ! 1 !
511
нм
Си
Рис.
38
3/2,5/2
тушение
на
стенке 2
~|/г
Рис.
39
Времена жизни возбужденных молекул Х , или ХУ относительно радиационных процессов составляет 10 -10 с. Оказавшись в основном состоянии, молекула распадается. Поэтому радиационное разрушение верхнего уровня происходит по схеме
XY или X (1.53)
Развал молекулы в основном состоянии обеспечивает автоматическое опустошение нижних лазерных уровней. Из-за отталкивательного характера нижнего терма генерация эксимерных лазеров, как видно на рис. 39, может осуществляться в широкой полосе длин волн. Отличительной чертой эксимерных лазеров являются также весьма высокие значения квантового КПД.
Характеристики лазерных переходов эксимерных лазеров приведены в табл. 5.
Широкая линия усиления, малое время жизни верхнего лазерного уровня, а также необходимое для эффективного протекания процессов (1.52) высокое давление рабочей смеси приводят к необходимости осуществления высокой интенсивности накачки с энерговкладом 0.1-1 Джlсм за время 0,1-1 нс. Возбуждаемые электронным пучков по схеме лазеры на димерах благородных газов работают на однокомпонентных средах при давлениях 10 атм и позволяют получать мощность излучения в импульсе до 10 -10 Вт при КПД до 20%.
Возбуждение лазеров на эксимерах галоидов инертных газов можно проводить не только в тройных, но и в бинарных столкновениях (два последних уравнения (1.52)). Это позволяет снизить давление рабочей смеси до 0,5-1,5 атм (инертный газ — 10-100 торр, галогены или галогеноносители типа SF , NF ~ 1-10 торр, остальное буферный газ — Ne или Ar) и использовать для ее возбуждения газоразрядную импульсную технику с предварительной ионизацией разрядного промежутка. Энергия таких эксимерных лазеров в моноимпульсе может достигать ~ 100Дж (KrF) при КПД ~2% и импульсной мощности Вт.
Газоразрядный способ возбуждения позволяет осуществлять и импульсно- периодический режим генерации эксимерных лазеров. Достигнутая в настоящее время частота повторения импульсов составляет ~100 -1000 Гц при средней мощности излучения ~10-100 Вт и КПД~ 1%.
Интерес, проявляемый в последнее время к развитию техники эксимерных лазеров, обусловлен не только научными, но и практическими перспективами их использования. Эксимерные лазеры являются уникальными источниками мощного излучения в ультрафиолетовой части спектра, обеспечивающими при этом возможность плавной перестройки частоты генерации в широком диапазоне длин волн. Излучение созданных эксимерных лазеров охватывает -20% всей области ультрафиолетового диапазона. Поэтому наиболее плодотворное применение эксимерных лазеров, по-видимому, будет связано с селективными процессами лазерной фотохимии.
Таблица 5. Активные среды эксимерных лазеров
Молекулы
|
Ar2 |
Kr2 |
Xe2 |
ArF |
KrCl |
KrF |
XeBr |
XeCl |
XeF |
Длина волны центре линии, нм
|
126.1
|
146.7 |
172 |
193.3 |
222 |
248.4 |
281.8 |
308 |
351.1 |
Ширина ПОЛОСЫ усиления, нм
|
8 |
13.8 |
20 |
1.5 |
5 |
4 |
1 |
2.5 |
1.5 |
Длительность им- пульса излучения, нс
|
15 |
10 |
3-20 |
10-50 |
10-30 |
1-100 |
50 |
30 |
1-10 |
Достигнутые энергии излучения в импульсе, Дж |
- |
- |
0-1 |
100 |
0.1-1 |
100 |
- |
- |
0.1-1 |
Способ возбуждения |
П |
П |
П |
П,P |
П |
П,P |
П |
П |
П,P |