3. Порядок выполнения работы

Соберите электрическую схему с общим эмиттером согласно рис. 6. Помните, что эмиттерный контакт является общим для входной и выходной цепей.

Установите ползунки потенциометров в крайнее нижнее (по схеме) положение, что соответствует нулевому значению напряжения на зажимах эмиттер-база и коллектор-эмиттер транзистора. К изменениям приступать только после проверки лаборантом или преподавателем правильности собранной электрической цепи.

3.1. Снятие выходных статических вольтамперных характеристик транзистора.

3.1.1. Включите питание.

3.1.2. Установите ток базы =100 мкА (200, 300 мкА) движком потенциометра R₁.

3.1.3. Увеличивая напряжение коллектор-эмиттер , сделайте 8-10 отсчетов показаний приборов. Ток базы по микроамперметру необходимо поддерживать постоянным.

3.1.4. Результаты измерений внесите в таблицу 3.1.

3.1.5. Постройте на одном графике семейство выходных характеристик транзистора при = const (рис.7). Все характеристики должны быть построены в одной и той же системе координат.

3.1.6. По семейству характеристик определите коэффициент усиления по току для линейного участка вольтамперной характеристики (ВАХ):

n-p-n	p-n-p
Рис. 4. Условные обозначения транзисторов n-р-n и р-n-р типов.

Рис. 5. Представление цепей база-коллектор и база-эмиттер в виде диодов.

Рис. 6. Схема транзистора с общим эмиттером.

Таблица 3.1

, A	, В			, mA
	предел	деление	значение	предел	деление	значение

3.2. Снятие статических характеристик прямой передачи по току.

3.2.1. Используйте предыдущую схему. Включите питание.

3.2.2. Установите значение коллекторного напряжения =1В (5, 10 В) и поддерживайте его постоянным.

3.2.3. Увеличивая входной ток , определите выходной ток (I_к).

3.2.4. Сделайте 10 отсчетов. Результаты измерений занесите в таблицу 3.2 и постройте в масштабе передаточную характеристику: , =const .

3.2.5. Повторите измерения для других значений коллекторного напряжения. Все характеристики вычертите в одной и той же системе координат (рис. 8). Для каждого значения коллекторного напряжения определите коэффициент усиления по току.

Таблица 3.2

Uкэ, B	Iб, пр.	Iб, дел.	Iб, A	Iк, пр.	Iк, дел.	Iк, mA

4. Контрольные вопросы

4.1. Па чем основан принцип действия биполярного транзистора?

4.2. Является ли полупроводниковый диод активным элементом?

4.3. Какова разница между диффузионным и дрейфовым токами?

4.4. Для чего база делается тонкой?

4.5. Как сильно отличается коллекторные и эмиттерные токи?

4.6. В чем заключается основное свойство биполярного транзистора как управляющего элемента?

4.7. Каким правилам подчиняются транзисторы р-n-р типа?

Рис. 7. Типовые вольт-амперные характеристики.

Рис. 8. Статические характеристики прямой передачи по току