- •Испарение и конденсация. Насыщенные и ненасыщенные пары.
- •Строение полупроводников. Зависимость проводимости полупроводников от температуры и освещенности.
- •Звуковые волны. Скорость звука. Ультразвук.
- •.Сравнительная характеристика диэлектриков, проводников и полупроводников.
- •Проводник с током в магнитном поле. Сила Ампера.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Шкала Электромагнитных волн ( инфракрасное, ультрафиолетовое, рентгеновское, γ-излучение).
- •Виды радиоактивного излучения. Их характеристики.
- •Основные положения мкт вещества. Диффузия. Броуновское движение. Постоянная Авогадро. Количество вещества.
- •Двухэлектродная лампа (диод). Триод.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Индукция магнитного поля.Принцип суперпозиции. Индукция прямого тока, кругового и соленоида.
- •Закон радиоактивного распада. Период полураспада.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Линзы. Типы линз. Основные характеристики линзы.
- •Электродвижущая сила источника. Закон Ома для замкнутой цепи. Ток короткого замыкания
- •Колебательное движение .Гармонические колебании .Параметры колебательного движения.
- •Явление смачивания и несмачивания. Краевой угол. Капиллярные явления. Капиллярность в быту, природе, технике.
- •Работа электрического поля при перемещении заряда.
- •5.Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Опыты Фарадея.Явление электромагнитной индукции. Эдс индукции в движущемся проводнике.
- •Внешний фотоэффект. Законы фотоэффекта. Применение фотоэффекта.
- •Электрический ток в жидкостях. Электролиз, его техническое применение. Законы Фарадея для электролиза.
- •Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Движение заряженных частиц в магнитном поле.
- •Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Транзистор.
- •Работа магнитных сил. Магнитный поток.
- •Дисперсия света. Опыт Ньютона. Цвета тел.
- •Провадники в электрическом поле. Электростатическая индукция. Электростатическая защита
- •Деление тяжелых атомных ядер. Цепная реакция деления. Управляемая ядерная реакция. Ядерный реактор.
- •Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Квантовая природа света. Гипотеза Планка. Энергия, масса и импульс фотона.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Явление самоиндукции. Индуктивность.
- •Световые явления на границе раздела двух прозрачных сред. Законы отражения света. Законы преломления света. Полное отражение света.
- •Электроёмкость проводника. Конденсаторы. Емкость плоского конденсатора. Соединение конденсаторов в батареи.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Превращение энергии при колебательном движении. Затухающие колебания. Резонанс.
- •Ядерная модель атома. Опыт Резерфорда. Неспособность классической физики объяснить устойчивость атомов и излучение атомами электромагнитных волн.
Строение полупроводников. Зависимость проводимости полупроводников от температуры и освещенности.
Обычно к полупроводникам относят кристаллы, в которых для освобождения электронов требуется энергия не более 1,5 – 2 эВ. Типичные полупроводники – кремний, германий. При наложении электрического поля в электроны в зоне проводимости переходят на более высокие уровни, а электроны из валентной зоны переходят на освободившиеся места. В валентной зоне оказываются пустые места, которые называют дырками. Число дырок = числу электронов. Освобожденные электроны создают электронный ток проводимости. Дырки создают дырочный ток проводимости. При комнатной температуре концентрация электронов в полупроводнике много меньше, чем в проводнике => их удельное сопротивление больше. При понижении температуры удельное сопротивление увеличивается, а при повышении – уменьшается. В проводниках наоборот. При увеличении освещенности удельное сопротивление полупроводника уменьшается. Это означает, что энергия, необходимая для освобождения электронов, передается им светом, падающим на кристалл.
Билет №6
Связь между напряжением и напряжённостью для однородного электростатического поля.
Разность потенц наз ещё эл напряж(U) U= φ1- φ2= φ=A/
Найдём связь между напряж и напряжён однород эс-стат поля: A=qU=q(φ1- φ2)=-qφ=qE(d1-d2) E=U/ d1-d2=- φ/d1-d2
Пружинный маятник. Математические маятники.
Система где к одному концу пружин прикреплён груз(нах на гориз поверхн) а друг зафиксирован на пруж маят.Найдём формулу для нахожд периода колеб пр. маят: ma=Fупр+mg+N, ma=-kx, a+kx/m=0, a(t)+ ω2x(t)=0, ω=корень из k/m след Tпр=2π корень из (m/k). Математ маятн наз материал точка массой m подвешеная на нерастяжим невесом нити длин l в поле каких либо сил. Свойств независ колеб мат маят от амплитуды наз изохронностью.М маят не завис от отношения m и амплитуды. Tмат=2π корень из l/g. ω=корень из (g/l)
Адиабатный процесс.Термодинамический процесс идущий без обмена теплотой между системой и окружающей средой наз адиабатным. т.е. Q=0 => ΔU=A, т. е. работа, совершаемая газом = убыли его внутренней энергии. При сжатии газа A>0 ΔU>0, т.е. T – повышается, при расширении газа А', ΔU=- А', ΔU<0, T - понижается. Поскольку при адиабатном сжатии температура повышается, то давление газа с уменьшением объема растет быстрее, чем при изотермическом. Повышение температуры при адиабатном расширении приводит к тому что давление газа убывает быстрее, чем при изотермическом расширении.
Билет №3
Звуковые волны. Скорость звука. Ультразвук.
Звук волн-механ волн котор выз у человека ощущ звука. Для сущ звука необх: налич уха и упругой среды, звук волны с част от16 до 20000 герц. Меньш 16 – инфрозвук, больш 20000 – ультразвук. Чем упругее среда там быстр распрост волна. Громкость-это субъективн хар. Интенсивность зв объективн хар, опред энерг котор перенос зв волн за ед времени. Тон - зв соответств определ частоте. Шум - нельзя выдел основн тон. Ультразвук получил широк распространен в медицине в диагностических целях (УЗИ-сканеры), с их помощью так же соединяют мельчайшие проводники в микроэлектронике, где традиционная пайка исключена. Ультразвук безвреден для человека
Уравнение состояния идеального газа. Универсальная газовая постоянная. Плотность газа. Согласно закону Бойля-Мариота имеем p1V1=pxV2. По закону Гей-люсака p2=px(T2/T1). Выразим px из закон Бойля-Мариота px=(p1V1)/V2. Подставим px в закон Гей-Люсака - p1V1/T1=p2V2/T2 - из уравнения => что при T=0 K идеальный газ не оказывает давления на стенки сосуда в который он заключен т. е. должно прекратится тепловое движение его молекул. т.к. при низких давлениях свойства реальных газов близки к идеальному то это относится и к реальным газам. Расмотрим один моль газа при нормальных условиях. В соответствии с законом Авогадро один моль любого газа занимает при нормальных условиях один и тот же объем V0=22.4 л. => для одного моля любого газа соотношение р0V0/T0 имеет одно и то же значение, обозначаемое R и называемое универсальной газовой постоянной: const=R=р0V0/T0=8,31Дж/моль*К. Газ может находиться в различных состояниях однако в физике четко фиксированы нормальные давление и температура соответствующие следующим значениям: р0=1атм =1.01*105Па =760 мм рт.ст и Т0=273 К.