- •Испарение и конденсация. Насыщенные и ненасыщенные пары.
- •Строение полупроводников. Зависимость проводимости полупроводников от температуры и освещенности.
- •Звуковые волны. Скорость звука. Ультразвук.
- •.Сравнительная характеристика диэлектриков, проводников и полупроводников.
- •Проводник с током в магнитном поле. Сила Ампера.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Шкала Электромагнитных волн ( инфракрасное, ультрафиолетовое, рентгеновское, γ-излучение).
- •Виды радиоактивного излучения. Их характеристики.
- •Основные положения мкт вещества. Диффузия. Броуновское движение. Постоянная Авогадро. Количество вещества.
- •Двухэлектродная лампа (диод). Триод.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Индукция магнитного поля.Принцип суперпозиции. Индукция прямого тока, кругового и соленоида.
- •Закон радиоактивного распада. Период полураспада.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Линзы. Типы линз. Основные характеристики линзы.
- •Электродвижущая сила источника. Закон Ома для замкнутой цепи. Ток короткого замыкания
- •Колебательное движение .Гармонические колебании .Параметры колебательного движения.
- •Явление смачивания и несмачивания. Краевой угол. Капиллярные явления. Капиллярность в быту, природе, технике.
- •Работа электрического поля при перемещении заряда.
- •5.Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Опыты Фарадея.Явление электромагнитной индукции. Эдс индукции в движущемся проводнике.
- •Внешний фотоэффект. Законы фотоэффекта. Применение фотоэффекта.
- •Электрический ток в жидкостях. Электролиз, его техническое применение. Законы Фарадея для электролиза.
- •Действие магнитного поля на движущийся заряд. Сила Лоренца. Движение заряженных частиц в магнитном поле.
- •Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод. Транзистор.
- •Работа магнитных сил. Магнитный поток.
- •Дисперсия света. Опыт Ньютона. Цвета тел.
- •Провадники в электрическом поле. Электростатическая индукция. Электростатическая защита
- •Деление тяжелых атомных ядер. Цепная реакция деления. Управляемая ядерная реакция. Ядерный реактор.
- •Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
- •Распространение колебаний в упругих средах. Поперечные и продольные волны.
- •Квантовая природа света. Гипотеза Планка. Энергия, масса и импульс фотона.
- •Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта. Объяснение фотоэффекта на основе квантовой теории.
- •Явление самоиндукции. Индуктивность.
- •Световые явления на границе раздела двух прозрачных сред. Законы отражения света. Законы преломления света. Полное отражение света.
- •Электроёмкость проводника. Конденсаторы. Емкость плоского конденсатора. Соединение конденсаторов в батареи.
- •Собственная и примесная проводимости полупроводников.
- •Превращение энергии при колебательном движении. Затухающие колебания. Резонанс.
- •Ядерная модель атома. Опыт Резерфорда. Неспособность классической физики объяснить устойчивость атомов и излучение атомами электромагнитных волн.
Явление смачивания и несмачивания. Краевой угол. Капиллярные явления. Капиллярность в быту, природе, технике.
На границе соприкосновения твердого тела с жидкостью наблюдается явление смачивание. Смачивание явл результатом взаимодействия молекул жидкости с молекулами твердого тела которое приводит к искривлению поверхности жидкости у поверхности твердого тела. 1) Жидкость смачивает поверхность твердого тела, когда силы притяжения между молекулами жидкости и твердого тела больше, чем силы притяжения между молекулами жидкости. 2) Когда силы притяжения между молекулами жидкости больше, чем силы притяжения между молекулами жидкости и твердого тела, то жидкость не смачивает поверхность твердого тела. Искривление свободной поверхности жидкости у поверхности твердого тела приводит к образованию мениска. Когда жидкость смачивает поверхность тв. тела - мениск вогнутый, а когда не смачивает – выпуклый. Краевой угол – угол между касательной проведенной в точке соприкосновения мениска с твердым телом, и поверхностью твердого тела, отсчитанный внутри жидкости. Когда Θ=0 – идеальное смачивание, Θ=π – идеальное несмачивание, Θ=π/2 – жидкость имеет плоскую поверхность. Явление смачивания хорошо наблюдается при опускании узких (капиллярных) трубок в сосуд с жидкостью. Капилляр – трубка с малым внутренним диаметром. Если стекленный капилляр и погрузить один его конец в сосуд с жидкостью, то внутри капилляра уровень жидкости оказывается выше свободной поверхности жидкости. При полном смачивании жидкостью капилляра силу натяжения можно считать направленной вдоль поверхности твердого тела перпендикулярно границе соприкосновения твердого тела и жидкости. В этом случае подъем в капилляре будет продолжаться до тех пор пока сила тяжести действующая на столб жидкости в капилляре и направленная вниз не станет равной силе поверхностного натяжения по модулю. FH=Fm, Fm=mg=pVg=phSg=phπr2g, FH=lσ=σ2πr => h=(2σ)/prg. В случае смачиваемой жидкости. В случае несмачиваемой жидкости столб жидкости в капилляре опускается на уровень h. Капиллярные явления играют существенную роль в водоснабжении растений, в подъеме влаги в почве, в проникновении жидкости в пористые тела, в системе кровоснабжения легких.
Билет №18
Работа электрического поля при перемещении заряда.
Работа Эл поля по перемещению заряда=изменен потенциальной энергии заряда, взятому с противополож знаком.Работа-скал физ велич,=скал произвед вектора силы на вектор перемещения и cos угла меж ними. A=F*s*cosa. A=-qE(d2-d1).
5.Потенциал. Разность потенциалов. Эквипотенциальная поверхность.
Потенциал -это сила,работа котор по замкнут траектор=0. Потен эл поля-скал физ вел,характер потенциал энергию W еденич заряд q в данной точке пространст. φ=W/q=q/4πε0r. Напряжение численно равно работе электростатического поля при перемещении единичного положительного заряда вдоль силовых линий этого поля. Разность потенциалов (напряжение) не зависит от выбора системы координат.
Эквипот линии=потенциала φ(r)=const. Для графич изображ полей.Силов линия и соответ эквипот поверх взаимно перпендикулярны.Геометр место точек в котор потенциал одинаков представл собой эквипотенц поверхн.