- •Электронная Оже - спектроскопия (эос).
- •1. Возможности, применение, особенности метода эос.
- •2. Физические основы методы эос. Механизм Оже-процесса.
- •3. Оэс. Глубина выхода Оже-электронов.
- •4. Вероятность Оже-эффекта. Вероятность выхода Оже-электронов из разных матриц.
- •5. От чего зависит интенсивность линий Оже - спектра.
- •8. Методика обработки и расшифровки Оже - спектров.
- •10. Количественный анализ с помощью метода эос.
- •11. Устройство оборудования для измерения методом эос.
- •13. Аппаратура для эос. Источники электронов (устройство принцип, работы и требования).
- •14.Аппаратура для эос. Энергоанализатор электронов типа цилиндрическое зеркало ацз.
- •15. Область применения и ограничения метода эос.
- •Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (рфс).
- •Количественный анализ
- •3. Рфс спектры, их получение. Структура пиков. Валентные уровни.
- •4. Рфс Вычисление энергии связи на основе данных, полученных методом рфс. Уравнение фотоэффекта и учет работы выхода энергоанализатора. Точность определения энергии связи методом рфс.
- •5. Аппаратура для рфс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом рфс.
- •6. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
- •7. Аппаратура для рфс. Полусферический анализатор электронов (пса). (Устройство, принцип работы и энергетическое разрешение.)
- •8. Рфс.Энергетическое разрешение(разрешающая способность) в методе рфс.
- •9. Количественный анализ с помощью метода рфс.
- •10. Химический анализ методом рфс. Химический сдвиг.
- •11.Определение состава по глубине образца методом рфс. Определение толщины тонких пленок. Определение состава по глубине образца
- •12. Область применения и ограничения метода рфс.
- •Вторичная ионная масс-спектрометрия (вимс).
- •2. Вимс Взаимодействие первичных ионов с твёрдым телом. Механизм образования вторичных ионов. Коеффициент вторичной ионной эмиссии.
- •3. Основные параметры, влияющие на выход вторичных ионов. Процесс распыления ионов в методе вимс.
- •4. Аппаратура для вимс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом вимс.
- •5. Аппаратура для вимс. Источник первичных ионов (жидкие металлы, газы).
- •6.Аппаратура для вимс. Масс-анализатор вторичных ионов (квадрупольный, магнитный, времяпролетный)
- •7. Методика получения масс-спектра в методе вимс. Структура масс-спектра. Явление интерференции масс.
- •8. Вимс. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Методика получения глубинного профиля. Выбор параметров получения глубинного профиля (область анализа, скорость травления).
- •9. Влияние параметров исследования для получения глубинного профиля для метода вимс (форма, энергия, угол падения и плотность первичного пучка, свойства матрицы).
- •10. Профилометрия. Структура кратера распыления. Влияние параметров исследования метода вимс на структуру кратера распыления.
- •11. Глубинный профиль распределения в методе вимс. Получение концентрационных профилей распределения.
- •12. Количественная обработка данных методом вимс. Приготовление Эталонов для количественного анализа.
- •13. Область применения и ограничения метода вимс.
- •14. Сравнение метода вимс динамического и времяпролетного.
- •1.Возможности, применение, особенности методов сзм
- •2. Физические основы метода сканирующей туннельной микроскопии (стм). Туннельный эффект.
- •3.Физические основы метода атомно-силовой микроскопии (асм)
- •4. Аппаратура для стм. Требования и устройство сканирующего элемента для метода стм.
- •6. Конструкция установок сзм (основные положения).
- •7. Возможности метода стм (рельеф поверхности, локальная работа выхода электронов).
- •8. Возможности метода асм(рельеф поверхности, атомное разрешение).
- •9. Область применения и ограничения методов сзм.
5. Аппаратура для рфс. Вакуумная система и требования высокого вакуума для измерения методом рфс.
Вакуумная система спектрометра должна отвечать 2 требованиям. Во-первых, она должна создавать и поддерживать в камере образца и анализаторе такое давление, при котором средняя длина свободного пробега фотоэлектронов была бы намного больше внутренних размеров спектрометра. Во-вторых, она должна понижать парциальное давление активных газов до уровня, при котором они не загрязняли бы поверхность образца и не мешали бы исследованиям. Таким образом, основными техническими требованиями при проектировании вакуумной системы являются состав остаточных газов и предельное давление.
6. Источники рентгеновского излучения. Способы монохроматизации рентгеновского излучения.
Рентгеновский источник состоит из катода прямого накала и анода. Электронная бомбардировка анода вызывает эмиссию рентгеновских лучей со сплошным спектром (тормозное излучение) и характеристическим излучением. Для отделения тормозного излучения между трубкой и образцом ставят фильтры - тонкие фольги (обычно из 0салюминия толщиной (2 мкм).
В фотоэлектронных спектрометрах обычно используется характеристическое излучение магниевого или алюминиевого анода. Энергии К-линий этих металлов равны 1253,6 эВ и 1486,6 эВ и имеют полуширины (ширина линии на половине ее высоты) 0,7 эВ и 0,85 эВ соответственно.
Для улучшения разрешающей способности прибора (разрешение прибора характеризуют полушириной пика) повышают монохроматичность источника возбуждения. Наиболее эффективный способ монохроматизации - применение дифракции рентгеновских лучей в кристалле. В рентгеновском монохроматоре используется свойство изогнутого по сфере кристалла отклонять (в результате дифракции) и фокусировать излучение определенной длины волны.
7. Аппаратура для рфс. Полусферический анализатор электронов (пса). (Устройство, принцип работы и энергетическое разрешение.)
Энергоанализаторы необходимы для того, чтобы измерять число фотоэлектронов в зависимости от их энергии. Анализатор может быть либо магнитным, либо электростатическим, но в обоих случаях для его работы необходимы определённые условия. Он должен находится в вакуумной камере, которая для уменьшения рассеяния электронов на молекулах остаточных газов откачивается до давления 10-5 мм. рт. ст. и ниже. Т.к. на траекторию полёта влияют магнитные поля (в том числе и Земли), следует устранять эти поля внутри анализатора
В спектрометрах используют два типа анализаторов: полусферический электростатический анализатор и отклоняющее цилиндрическое зеркало.
Установка РНI-5500 снабжена полусферическим анализатором (рис.). Такой анализатор аналогичен оптической системе с призмой и линзой. Электроны с разной кинетической энергией разделяются при прохождении через область электрического поля.
Электроны с одинаковой энергией, входящие в анализатор под разными углами, фокусируются на выходную щель. Спектры фотоэлектронов регистрируют, изменяя напряжение на полусферических электродах анализатора таким образом, чтобы через выходную щель на приемник последовательно проходили электроны с разной энергией (режим Е/Е = const).
Возможен и другой способ: на анализатор подают постоянное напряжение, а изменяют тормозящее поле на входе анализатора. Фотоэлектроны замедляются в этом поле, и в приемник попадают только электроны со скоростями, соответствующими напряжению на секторах анализатора, т.е. их энергия должна быть равна энергии пропускания анализатора (раss energy) (режим Е=const). В этом случае постоянна ширина пиков и больше чувствительность в области малых значений кинетической энергии. В установке РНI-5500 используется второй способ регистрации фотоэлектронов.