- •1. Классификация частотных диапазонов
- •4. Основные типы линий передач.
- •Прямоугольный волновод
- •5. Реализация пассивных элементов на короткозамкнутых и разомкнутых отрезках линий.
- •7. Биполярный транзистор. Структура транзистора. Время задержки сигнала в биполярном транзисторе свч диапазона.
- •8. Полевой транзистор. Структура транзистора. Принцип работы. Граничная частота транзистора.
- •9. Эквивалентная схема биполярного транзистора на свч.
- •10. Эквивалентная схема полевого транзистора на свч.
- •14. Усилители мощности на транзисторах.
- •Роль основных функциональных элементов схемы заключается в следующем:
- •15. Основные параметры и характеристики усилителей мощности.
- •16, 17. Интермодуляционные искажения и Параметры р1дБ и ip3
- •19. Цепи смещения.
- •20. Цепи питания.
- •23. Инвертирующие и трансформирующие цепи согласования.
- •25. Квадратурный мост.
- •26. Синфазный мост.
- •28. Гетеропереходы. Понятие о сверхинжекции и двумерном электронном газе. Усилители на гетеропереходах.
- •29. Варикапы и варакторы. Характеристики. Эквивалентные схемы. Справочные параметры.
- •30. Принцип работы варакторного умножителя частоты.
- •31. Лавинно-пролетные диоды. Принцип работы лпд.
- •32. Эквивалентная схема лпд и топология глпд.
- •33. Диоды Ганна. Принцип работы. Генератор на диоде Ганна.
- •34. Pin диоды. Эквивалентная схема. Области применения и характеристики.
- •35. Клистроны. Устройство и принцип работы 2-х резонаторного клистрона.
- •36. Клистроны. Энергетические соотношения и характеристики клистрона. Область применения и параметры.
- •37. Лбв. Устройство и принцип работы лбв. Условие синхронизма. Пространственные гармоники.
- •38. Лбв Энергетические характеристики лбв. Понятие об амплитудно-фазовой конверсии.
30. Принцип работы варакторного умножителя частоты.
Пример схемы умножителя большой кратности приведен на рис.
В схеме умножителя входная цепь выполнена в виде ФНЧ, образованного сосредоточенными емкостями С1, С2 и индуктивностями L1, L2, выполненными на отрезках МПЛ.
Выходная цепь выполнена в виде полосно-пропускающего фильтра (ППФ), настроенного на выходную частоту n-й гармоники. ППФ и индуктивность L2 обеспечивают развязку входной и выходной цепей. Постоянное напряжение на варакторе задается сопротивлением Rсм, емкость Ср является разделительной емкостью.
31. Лавинно-пролетные диоды. Принцип работы лпд.
Лавинно-пролетный диод (ЛПД) - полупроводниковый диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением, природа которого обусловлена инерционностью процессов генерации лавины в обратно смещенном р-п переходе и инерционностью движения пространственно сгруппированных носителей.
Структура и принцип работы
Одной из возможных структур ЛПД является трехслойная структура p+nn+
На примере этой структуры рассмотрим принцип работы ЛПД, который основан на 2-х процессах: лавинном пробое и пролете носителей через обедненную область.
Рис.5.18.
Структура ЛПД - а) и распределение поля
в структуре - б)
Если приложить к диоду обратное напряжение и увеличивать его, то наступит электрический пробой. Пробой наступает при напряжении Uпр, что соответствует напряженности Eпр (рис.5.18,б). При E > Eпр начинается процесс ударной ионизации, в узкой области, прилегающей к p+n переходу, лавинообразно образуются электроны и дырки. Область, в которой локализован лавинообразный процесс, называют областью умножения.
С течением времени под действием поля дырки уходят в p+ контакт, а электроны двигаются со скоростью насыщения к n+ контакту через пролетную область.
На рис.5.18.б участок длиной Δl соответствует области умножения, а участок длиной l – Δl соответствует пролетной области.
Если ЛПД поместить в резонатор, то к диоду кроме постоянного напряжения прикладывается и переменное с частотой, равной частоте резонансной системы
Временные диаграммы, поясняющие работу ЛПД при воздействии переменного напряжения:
u~
iл
iн
ωt
ωt
a)
б)
в)
Пусть переменное напряжение изменяется по синусоидальному закону. В соответствии с изменением напряжения на диоде будет меняться и концентрация инжектированных носителей (рис.5.19,а). Максимум концентрации достигается, когда напряжение упадет до среднего значения. Поскольку лавинный ток определяется концентрацией инжектированных носителей, то максимум лавинного тока будет сдвинут на π/2 относительно максимума переменного напряжения (рис.5.19,б).
Далее инжектированные носители (электроны) пролетают через пролетную область диода и наводят ток во внешней цепи. Максимум наведенного тока соответствует минимуму переменного напряжения (рис.5.19,в), а это означает наличие отрицательного сопротивления, то есть диод может генерировать колебания.
Из рис.5.19,в следует, что колебательная система должна быть настроена на частоту, период которой определяется временем . Отсюда следует, что частота колебаний в оптимальном режиме
На практике частота колебаний может отличаться от частоты пролетного режима на ±30 %. Это достигается изменением резонансной частоты колебательной системы.