- •1. Классификация частотных диапазонов
- •4. Основные типы линий передач.
- •Прямоугольный волновод
- •5. Реализация пассивных элементов на короткозамкнутых и разомкнутых отрезках линий.
- •7. Биполярный транзистор. Структура транзистора. Время задержки сигнала в биполярном транзисторе свч диапазона.
- •8. Полевой транзистор. Структура транзистора. Принцип работы. Граничная частота транзистора.
- •9. Эквивалентная схема биполярного транзистора на свч.
- •10. Эквивалентная схема полевого транзистора на свч.
- •14. Усилители мощности на транзисторах.
- •Роль основных функциональных элементов схемы заключается в следующем:
- •15. Основные параметры и характеристики усилителей мощности.
- •16, 17. Интермодуляционные искажения и Параметры р1дБ и ip3
- •19. Цепи смещения.
- •20. Цепи питания.
- •23. Инвертирующие и трансформирующие цепи согласования.
- •25. Квадратурный мост.
- •26. Синфазный мост.
- •28. Гетеропереходы. Понятие о сверхинжекции и двумерном электронном газе. Усилители на гетеропереходах.
- •29. Варикапы и варакторы. Характеристики. Эквивалентные схемы. Справочные параметры.
- •30. Принцип работы варакторного умножителя частоты.
- •31. Лавинно-пролетные диоды. Принцип работы лпд.
- •32. Эквивалентная схема лпд и топология глпд.
- •33. Диоды Ганна. Принцип работы. Генератор на диоде Ганна.
- •34. Pin диоды. Эквивалентная схема. Области применения и характеристики.
- •35. Клистроны. Устройство и принцип работы 2-х резонаторного клистрона.
- •36. Клистроны. Энергетические соотношения и характеристики клистрона. Область применения и параметры.
- •37. Лбв. Устройство и принцип работы лбв. Условие синхронизма. Пространственные гармоники.
- •38. Лбв Энергетические характеристики лбв. Понятие об амплитудно-фазовой конверсии.
14. Усилители мощности на транзисторах.
одним из основных применений транзисторов являются усилители мощности.
Структурная схема транзисторного УМ, в которую помимо транзистора входят цепи питания, смещения и согласования.
Роль основных функциональных элементов схемы заключается в следующем:
Транзистор, являясь активным элементом, преобразует энергию постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.
Входная согласующая цепь преобразует внутреннее сопротивление источника сигнала во входное сопротивление транзистора. Выходная согласующая цепь преобразует оптимальное выходное сопротивление транзистора в сопротивление нагрузки.
Разделительные емкости разделяют цепи переменного и постоянного токов.
15. Основные параметры и характеристики усилителей мощности.
Мощность, выделяемая в сопротивлении нагрузки
Максимальная мощность первой гармоники, отдаваемая транзистором ,
Потребляемая мощность , где - постоянные составляющие
КПД транзистора по первой гармонике ,
КПД выходной согласующей цепи ,
КПД усилителя мощности ,
Коэффициент усиления по мощности УМ ,
Коэффициент усиления по мощности транзистора ,
Мощность, действующая на входе транзистора ,
Диапазон рабочих частот ,
Амплитудные характеристики УМ
16, 17. Интермодуляционные искажения и Параметры р1дБ и ip3
Точка компрессии Р1дБ.
Этот параметр условно разделяет линейный и нелинейный режимы работы транзистора.
Точка компрессии Р1дБ - точка на амплитудной характеристике Рвых( Рвх) , в которой коэффициент усиления меньше на 1 дБ коэффициента усиления идеального усилителя.
Параметр IP3.
Скорость роста интермодуляционных искажений принято оценивать параметром IP3.
Параметр IP3 - точка пересечения идеальных амплитудных характеристик основного сигнала Рн.ид( Рвх) и интермодуляционного Ри.ид( Рвх) .
Как правило, на 10-15 дБ.
19. Цепи смещения.
Цепь смещения от фиксированного источника смещения
Достоинством схемы фиксированного смещения является возможность получения напряжений любой полярности как положительной, так и отрицательной. Недостатком является необходимость применения дополнительного источника напряжения.
Автосмещение не требует дополнительного источника, но позволяет получать напряжения только отрицательной полярности.
Цепь автосмещения.
Смещение происходит за счет протекания тока Iб0 через резистор Rсм.
Напряжение смещения равно
Упрощенная схема автосмещения (рис.4.8) используется, если Rвх<<Rсм.
В этой схеме смещение, также, происходит за счет протекания тока Iб0 через сопротивление Rсм.
Схема смещения током эмиттера (рис.4.9).
Смещение транзистора в этой схеме осуществляется за счет протекания тока эмиттера через сопротивление Rсм, установленное в цепи эмиттера.
Напряжение смещения равно , где
20. Цепи питания.
Режим работы транзистора по постоянному току в усилителе мощности обеспечивают цепи питания и смещения.
Цепь питания включается со стороны выхода транзистора.
Величины Lбл и Ср выбирают из условий:
,
либо из приближенных равенств
,
22. Г-образная согласующая цепь.
Г-образная согласующая цепь.
Рассмотрим схему для случая R < R′ (рис.4.13).
где - добротность последовательной или эквивалентной ей параллельной цепи.
Последовательность расчета Г-образной цепи, изображенной на рис.4.13. следующая:
по известным сопротивлениям R и R′ определим добротность цепи ;
из условия Х=RQ определим Х и величину индуктивности ;
из условия определим X ′ и величину емкости .