- •3. Классиф кристаллов по типам связи.
- •4. Дефекты в кристаллах.
- •6. Общие сведения о полупроводниках. Собственные и примесные полупроводники.
- •7. Функция Ферми-Дирака
- •8. Концентрации равновесных электронов и дырок. Компенсированные полупроводники.
- •9. Принцип неразличимости неравновесных и равновесных носителей заряда.
- •10. Виды генерации неравновесных носителей заряда. Примесная и собственная фотопроводимость.
- •11. Релаксация фотопроводимости. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. Параметры рекомбинационного процесса.
- •12 Виды и механизмы рекомбинации. Рекомбинация через локальные уровни дефектов.
- •14 Излучательная рекомбинация. Светодиоды.
- •15 Природа встроенных полей в полупроводниках
- •16 Контактная разность потенциалов. Р-п переход.
- •18 Емкость pn-перехода
- •19 Типы пробоев pn-переходов
- •20 Область обогоащения обеднения инверсии
- •21 Эффект поля и его использование.
- •22 Вольтемкостная характеристика мдп-структуры.
- •25 Механизмы поляризации в диэлектриках. Диэлектрические потери.
- •26 Фотоэлектреты. Процесс ксерокопирования
- •27 Термоэлектреты. Пироэлектрики и их применение
- •28 Механоэлектреты. Пьезоэлектричеств
- •29 Акустоэлектрический эффект
- •30 Усиление звуковых волн.
- •31 Поверхностные акустические волны и их использование.
- •32 Жидкие кристаллы, их свойства и использование.
- •33 Классификация твердых тел по их магнитным свойствам.
- •34 Природа ферромагнетизма
- •35 Парамагнитный резонанс.
- •36 Антиферромагнетизм
- •37 Доменная структура ферромагнетиков
- •38 Намагничивание ферромагнетика.
- •39 Практическое применение ферромагнетизма
- •40 Магнитные запоминающие устройства на ферритах.
- •41 Тонкие магнитные пленки
- •42 Цилиндрические магнитные домены.
- •43 Явление сверхпроводимости
19 Типы пробоев pn-переходов
Существуют 3 пробоя: лавинный, туннельный, тепловой.
Тепловой возникает вследствие разогрева перехода. Увеличивается концентрация свободных носителей, тем самым увеличивается обратный ток, а ток вызывает увеличение разогрева. И повторяется.
Туннельный В основе данного пробоя лежит туннелирование электронов сквозь тонкий потенциальный барьер. В сильных электрических полях границы энергетических зон сближаются так что возникает достаточно тонкий потенц. Барьер прозрачный для электронов.
Лавинный В основе механизма лежит явление лавинного разложения подвижных носителей заряда в сильном электрическом поле pn-перехода. Если приложить высокое обратное напряжение то напряженность эл. Поля в ОПЗ перехода может оказаться настолько большой что ННЗ ускоряемые этим полем приобретают энергию достаточную для ионизации атомов ПП. Электроны ускоряемые эл. Полем могут разрывать ковалентные связи. В результате ионизации возникают новые электроны которые тоже ускоряются и возникает лавина подвижных носителей заряда.
20 Область обогоащения обеднения инверсии
Имеем ПП n-типа. За пределами ОПЗ обычный электронейтральный проводник.
Область обогащения.
До Ei обеднение. После Ei, когда уровень Ферми ниже середины возникает инверсия.
21 Эффект поля и его использование.
Эффект поля – явление при котором изменяется концентрация свободных носителей под действием электрического поля и это изменение приводит к изменению проводимости вдоль поверхности образца.
Если к ПП n-типа через слой диэлектрика приложить положительный потенциал с металлического электрода, то у поверхности ПП скапливается электрические заряды, т.е. возникает область обогащения. При другой полярности приповерхностный слой будет обедняться.
Использование эффекта поля позволяет получить собственную проводимость.
22 Вольтемкостная характеристика мдп-структуры.
Важное свойство МДП (металл диэлектрик ПП) структуры это зависимость емкости от приложенного напряжения. Эта зависимость обусловлена тем что толщина приповерхностного слоя меняется с изменением приложенного напряжения.
А - емкость не изменяется(область обогощения в ПП)
B – изменение емкости(область обеднения)
C – емкость не зависит от напряжения(область инверсии)
25 Механизмы поляризации в диэлектриках. Диэлектрические потери.
Поляризация диэлектриков — явление, связанное с ограниченным смещением связанных зарядов в диэлектрике или поворотом электрических диполей, обычно под воздействием внешнего электрического поля, иногда под действием других внешних сил или спонтанно.
Электронная — смещение электронных оболочек атомов под действием внешнего электрического поля. Самая быстрая поляризация (до 10−15 с). Не связана с потерями.
Молекулярная - приложенное поле воздействует на ионы решетки, растягивает связи между атомами. Наложение эл. Поля приводит к малым изменениям ионной связи, вызывая при этом увеличение дипольного момента решетки.
Ориентационная — протекает с потерями на преодоление сил связи и внутреннего трения. Связана с ориентацией диполей во внешнем электрическом поле.