3. 2. Выполнение исследования транзистора

3.2.1. Задание к выполнению исследования

1. Собрать и опробовать схему

2. Снять входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОБ.

3. Построить графики статических характеристик транзистора.

4. Определить параметры h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂ по статическим характеристикам транзистора.

3.2.2. Сборка и опробование схемы

Вначале опробованный транзистор, источники питания, измерительные приборы и потенциометры включают по схеме рис. 5. После проверки схемы приступают к ее опробованию. Для этого с помощью потенциометра R₂ устанавливают напряжение на участке коллектор-база U_КБ порядка 50 % от наибольшего значения этого напряжения для исследуемого транзистора. Поддерживая это напряжение неизменным, изменяют ток I_Э (с помощью потенциометров R₁ и R^I₁) и следят за показаниями милливольтметра, измеряющего напряжение . Величина этого напряжения должна изменяться в пределах достаточных для снятия входной характеристики транзистора.

Затем проверяют возможность снятия выходной характеристики. Для этого устанавливают движки потенциометров R₁ и R^I₁ в среднее положение, замечают величину тока эмиттера I_Э и поддерживают ее неизменной. Изменяя напряжение U_КБ следят за величиной тока коллектора I_К. Во избежание вывода из строя транзистора токи эмиттера и коллектора не должны превышать максимально допустимых значений.

3.2.3. Снятие входных статических характеристик транзистора

Перед снятием характеристик заготавливают таблицу наблюдений (табл. 2).

Таблица 2

Транзистор типа ………………

UIКБ = …, В		UIIКБ = …, В		UIIIКБ = …, В
IЭ, мА	UЭБ, В	IЭ, мА	UЭБ, В	IЭ, мА	UЭБ, В

Входные статические характеристики транзистора снимают для трех значений напряжения U_КБ. Например, U^I_КБ = 0; U^II_КБ = 0.5U_КБmax; U^III_КБ = U_КБmax. Значение напряжения U_КБmax. зависит от типа исследуемого транзистора и находится по табл. 1. Ток эмиттера изменяют с помощью потенциометров R₁ и R^I₁ от 0 до I_Эmax через 1 – 2 мА (снимается не менее, чем 10 точек). Максимальное значение тока эмиттера I_Э соответствует напряжению U_ЭБ = 400  500 мВ (для маломощных транзисторов).

3.2.4. Снятие выходных статических характеристик транзистора

Данные наблюдений заносятся в заранее заготовленную табл. 3

Таблица 3

Транзистор типа…………

IIЭ = …, мА		IIIЭ = …, мА		IIIIЭ = …, мА		IIVЭ = …, мА
UКБ, В	IК, мА	UКБ, В	IК, мА	UКБ, В	IК, мА	UКБ, В	IК, мА

Выходные статические характеристики снимают для четырех значений эмиттера I^I_Э, I^II_Э, I^III_Э, I^IV_Э. Эти значения тока устанавливают потенциометрами R₁ и R^I₁ и поддерживают в процессе наблюдений неизменными. Величины токов эмиттера зависят от типа исследуемого транзистора. Например, для маломощных транзисторов (типа МП40) значения I^I_Э, I^II_Э, I^III_Э, I^IV_Э могут составлять соответственно 0,5, 10, 15 мА или 0, 10, 20, 30 мА. Напряжение U_КБ изменяют с помощью потенциометра R₂ от 0 до 10 – 15 В через 2 – 3 В (снимается не менее 5 точек).