- •Лабораторная работа № 221
- •Элементы зонной теории твердых тел
- •Распределение энергетических состояний электронов внутри зоны. Энергия Ферми
- •Примеcная проводимость полупроводников
- •Электронно - дырочный переход
- •Электронно – дырочный переход при нарушении равновесия внешним электрическим полем
- •Входные и выходные статические вольтамперные характеристики (вах) транзисторов
- •Определение параметров транзистора по их статистическим вольтамперным характеристикам
- •Порядок выполнения работы
Порядок выполнения работы
1. Ознакомиться с рабочей схемой включения транзистора с общим эмиттером.
2. Снять входные статические характеристики транзистора IбЭ=f(UбЭ) при UКЭ=const. Характеристики снимать в следующем порядке:
а) поставить ручки потенциометров RбЭ и RКЭ в крайнее левое положение;
б) подключить установку к сети и включить тумблерами блоки питания;
в) потенциометром RКЭ установить напряжение на коллекторе UКЭ=0В;
г) повышая напряжение на эмиттере UбЭ в пределах от 0 до 250мВ (с интервалом 50мВ) вращением рукоятки потенциометра Rбэ, снимать соответствующие значения тока IбЭ;
д) потенциометром RКЭ установить напряжение на коллекторе UКЭ=6В и повторить измерения;
Данные измерений занести в таблицу 1.
Таблица 1
-
UбЭ, мВ
50
100
150
200
230
UКЭ=0В
IбЭ, мкА
UКЭ=6В
IбЭ, мкА
е) после окончания измерений ручки потенциометров поставить в крайнее левое положение.
3. Снять выходные статические характеристики транзистора IКЭ=f(UКЭ) при IбЭ=const. Характеристики снимать в следующем порядке:
а) установить потенциометром RбЭ ток IбЭ=50мкА;
б) изменяя потенциометром RКЭ напряжение UКЭ от 0 до 10В (через 1В) наблюдать за изменением IКЭ. Во время измерения поддерживать IбЭ=const при помощи потенциометра RбЭ;
в) повторить измерения, установив IбЭ=75мкА;
Данные измерений занести в таблицу 2.
Таблица 2
-
UКЭ, В
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IБЭ=50мкА
IКЭ, мА
IБЭ=75мкА
IКЭ, мА
г) после окончания измерений ручки потенциометров поставить в крайнее левое положение, выключить тумблеры блоков питания и отключить установку от сети.
4. По данным измерений в прямоугольной системе координат (с учётом масштаба) построить семейства входных и выходных характеристик транзистора. IбЭ=f (UбЭ),
IКЭ=f (UКЭ). Вид характеристик см. на рис. 9
5. Из входных характеристик найти входное сопротивление по приращениям ΔIбЭ и ΔUбЭ из ΔABC:
6. По семейству выходных характеристик транзистора определить коэффициент усиления по току для определённого режима (например, для UКЭ=5В)
При определении RбЭ и KI необходимо учитывать размерности используемых в расчётах величин.
Авторы-составители: Авсиевич Т.А., Мартинович В.А., Султанова И.К.