Микросхемы памяти группы Flash Memory

Микросхемы этой группы выпускаются в составе семейств АТ29, АТ49 и представляют собой репрограммируемое ПЗУ с электрическим стиранием и записью информации.

ИМС различных типов семейства АТ29 имеют информационную емкость 32 к  8, 64 к  8, 128 к  8, 256 к  8, 512 к  8, 64 к  16, а ИМС семейства АТ49 – 128 к  8, 256 к  8, 512 к  8, 1 м  8, 128 к  16, 256 к  16, 512 к  16.

ИМС группы Flash Memory по своему принципу действия аналогичны ИМС группы Parallel EEPROM. Основным отличием является наличие в ИМС Flash Memory блоков индивидуально защищаемых от записи и стирания. В ИМС семейства АТ29 имеется два таких блока (в начале и конце адресного пространства), а в ИМС семейства АТ49 – один блок (в начале адресного пространства).

Размер индивидуально защищаемых блоков составляет для семейства АТ29 – 8 к  8, 16 к  8, а для семейства АТ49 – 8 к  8, 16 к  8, 8 к  16.

В микросхемах некоторых типов семейства АТ49 кроме блока памяти, защищаемого от записи и стирания, имеются еще два блока такой же емкости, индивидуально защищаемых от стирания. Эти блоки расположены в адресном пространстве последовательно друг за другом и сразу же после блока, индивидуально защищаемого от записи и стирания.

Операции над всеми блоками, индивидуально защищаемыми от записи и стирания или только от стирания, могут выполняться над каждым блоком отдельно и независимо от других блоков. Управление блоками осуществляется также путем записи последовательностей управляющих байтов по соответствующим управляющим адресам.

ИМС группы Flash Memory применяются тогда, когда при выключенном напряжении питания необходимо хранить информацию, обновляемую с различной частотой. При этом индивидуально защищаемые блоки используются для хранения информации, которая обновляется достаточно редко (например, системной программы работы МПС), а остальная область – для хранения более часто обновляемой информации (например, данных или технологической программы управления каким-либо оборудованием).

Более полная информация об ИМС этого типа приведена в [7].

ИМС группы Serial EEPROM при проектировании МПС практически не применяются и поэтому здесь не рассматриваются. Полная информация об ИМС этого типа приведена в [7].

2.5.3. Элементы оперативной памяти

В зависимости от требуемого объема ОЗУ для его построения используются различные ИМС ОЗУ статического типа серии К537: К537РУ8, К537РУ10 и К537РУ17.

Условное графическое обозначение этих микросхем на электрических схемах приведено на рис. 2.10.

Функциональное назначение их выводов имеет следующий вид:

DI/DO7DI/DO0  входы/выходы данных;

A12A0  входы адреса;

 входы выборки кристалла;

 вход разрешения выхода;

/R  сигнал записи/считывания.

Основные технические параметры этих ИМС приведены в табл. 2.8.

Функционирование ИМС К537РУ8 отражается табл. 2.9, К537РУ10  табл. 2.10, К537РУ17  табл. 2.11.

Рис. 2.10. Условное графическое обозначение ОЗУ статического типа:

а) К537РУ8; б) К537РУ10; в) К537РУ17

Таблица 2.8

Технические параметры ИМС ОЗУ

Параметр	К537РУ8	К537РУ10	К537РУ17
Организация накопителя, байт  бит	2048  8	2048  8	8192  8
Быстродействие (время выборки адреса),нс	220	220	200
Выходной ток, мА  низкого уровня  высокого уровня	1,6 0,1	4 2	3,2 2

Более полная информация об ИМС для построения ОЗУ приведена в [4,5].

Таблица 2.9

Таблица истинности ИМС К537РУ8

		/R	A10A0	DI/DO7 DI/DO0	Режим работы
0	0	0	A	Входные данные	Запись
0	0	1	A	Выходные данные	Считывание
0	1	X	X	Z	Хранение
1	0	X	X	Z	Хранение
1	1	X	X	Z	Хранение

Таблица 2.10

Таблица истинности ИМС К537РУ10

		/R	A10A0	DI/DO7  DI/DO0	Режим работы
1	X	X	X	Z	Хранение
0	X	0	A	Входные данные	Запись
0	0	1	A	Выходные данные	Считывание
0	1	1	A	Z	Отключение выходов

Таблица 2.11

Таблица истинности ИМС К537РУ17

	CS2		/R	A12A0	DI/DO7  DI/DO0	Режим работы
0	0	X	X	X	Z	Хранение
0	1	X	0	A	Входные данные	Запись
0	1	0	1	A	Выходные данные	Считывание
0	1	1	1	X	Z	Отключение выходов
1	0	X	X	X	Z	Хранение
1	1	X	X	X	Z	Хранение