2.4. Шинные буферы к1810ва86

В качестве шинных буферов (ШБ) могут использоваться микросхемы К1810ВА86 или КР580ВА86 (ВА86) идентичные друг другу. Их условное графическое обозначение на электрических схемах и структура приведены на рис. 2.8.

Рис. 2.8. Шинный буфер ВА86:

а) условное графическое обозначение; б) структура

Функциональное назначение внешних сигналов ШБ ВА86 имеет следующий смысл:

A7A0  двунаправленные линии данных малой мощности;

B7B0  двунаправленные линии данных большой мощности;

 вход выборки кристалла;

TF  вход выбора направления передачи.

При = 1 работа ШБ запрещена, и его выводы A и B находятся в высокоимпедансном состоянии. При = 0 осуществляется передача данных. Направление передачи определяется уровнем на входе TF. При TF = 0 данные передаются от B к A, а при TF = 1  от A к B.

Линии A и B имеют различную нагрузочную способность. Ток нагрузки в состоянии логического 0 для выводов A составляет 16 мА, а для выводов B – 32 мА.

2.5. Элементы памяти

В простых МПС для построения памяти наиболее целесообразно использовать интегральные микросхемы (ИМС) ЗУ с побайтной организацией накопителя. Это обеспечивает минимизацию требующегося количества ИМС. Необходимый объем памяти, как правило, достигается путем выбора соответствующих микросхем. При этом для построения ПЗУ чаще всего используются ИМС ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием, а для построения ОЗУ  ИМС ОЗУ статического типа.

2.5.1. Элементы постоянной памяти

В зависимости от требуемого объема ПЗУ для его построения применяются различные ИМС серии К573: К573РФ2 (К573РФ5), К573РФ4(К573РФ6), К573РФ8 (К573РФ81, К573РФ82) или их более новые аналоги серии КС1626: КС1626РФ1(КС1626РФ11, КС1626РФ12). Запись данных в эти ИМС (программирование) выполняется в специальном устройстве (программаторе) с использованием дополнительного источника питания с более высоким, чем у основного источника питания, напряжением. Перезапись данных непосредственно в аппаратуре невозможна.

Условное графическое обозначение этих микросхем на электрических схемах приведено на рис. 2.9.

Функциональное назначение их выводов имеет следующий смысл:

DI/DO7DI/DO0  входы (при программировании)/выходы данных;

A14A0  входы адреса;

 вход выборки кристалла;

 вход разрешения выхода;

 сигнал программирования;

 напряжение программирования.

Основные технические параметры ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием приведены в табл.2.3.

Функционирование ИМС К573РФ2, К573РФ5 и К573РФ8 отражается табл. 2.4, а ИМС К573РФ4, К573РФ6 и КС1626РФ1  табл. 2.5.

Символ Z в таблицах истинности обозначает высокоимпедансное состояние выходов, а символ X – безразличное состояние входов.

Рис. 2.9. Условное графическое обозначение ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием:

а) К573РФ2, К573РФ5; б) К573РФ4, К573РФ6, КС1626РФ1

(КС1626РФ11, КС1626РФ12); в) К573РФ8 (К573РФ81,К573РФ82)

Таблица 2.3

Параметры ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием.

Параметр	К573РФ2 К573РФ5	К573РФ4А К573РФ6А	К573РФ8А	КС1626РФ1
Время хранения, час: при включенном питании при выключенном питании	15000 15000	25000 100000	25000 25000	50000 10 лет
Число циклов программирования	25	25	25	100
Организация накопителя, байт  бит	2048  8	8192  8	32768  8	8192  8
Напряжение программирования Uпр, В	25	25	18	12,5
Быстродействие (время выборки адреса), нс	450	300	350	200
Выходной ток, мА  низкого уровня  высокого уровня	1,9 0,1	2,1 0,1	2,1 0,4	1,6 0,1

Таблица 2.4

Таблица истинности ИМС К573РФ2, РФ5, РФ8

			A  A0	DIDO7  DIDO0	Режим работы
1	X		X	Z	Хранение
1	1	Uпр	A	Входные данные	Программирование
0	0	Uпр	A	Выходные данные	Контроль в процессе программирования
0	0		A	Выходные данные	Считывание
0	1		A	Z	Отключение выходов

  для К573РФ8 при программировании = 0

Таблица 2.5

Таблица истинности ИМС К573РФ4, РФ6, К1626РФ1

				A12A0	DI/DO7  DI/DO0	Режим работы
1	X	X		X	Z	Хранение
0	0	1		A	Выходные данные	Считывание
0	1	1		A	Z	Отключение выходов
0	1	0	Uпр	A	Входные данные	Программирование
0	0	1	Uпр	A	Выходные данные	Контроль в процессе программирования
1	X	X	Uпр	X	Z	Запрет программирования

ИМС К573РФ81 и К573РФ82 получают путем разбраковки основной ИМС К573РФ8, а ИМС К1626РФ11 и К1626РФ12  ИМС К1626РФ1. При этом в каждой паре в одной ИМС используется одна половина полного накопителя, а в другой ИМС  другая. Поэтому информационная емкость этих ИМС вдвое меньше, чем у основной ИМС, и при их применении необходимо обеспечить условие выбора используемой части полного накопителя. Для этого на их старший адресный вход необходимо подать соответствующий постоянный уровень напряжения, а именно:

для К573РФ81  A14 = 1, для К573РФ82  A14 = 0,

для К1626РФ11  A12 = 1, для К1626РФ12  A12 = 0.

Более полная информация об ИМС для построения ПЗУ приведена в [4,5,6].