- •Ханты-мансийского автономного округа
- •Сургутский государственный университет хмао
- •Содержание
- •Третий закон для абсолютно черного тела. Закон смещения Вина.
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика проведения эксперимента
- •Порядок выполнения работы
- •Методика измерений и обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Задание 1. Проверка закона Столетова
- •Задание 2. Проверка формулы Эйнштейна
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов.
- •Контрольные вопросы
- •Рассмотрим подробно рис. 4.3,(в) – область контакта 1-го и 2-го металлов.
- •Описание экспериментальной установки
- •Задание
- •Порядок выполнения работы
- •Для первой пары металлов (м1 – м2)
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5
- •Металлы
- •Полупроводники
- •Экспериментальная установка
- •Практические задания
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Использование полупроводникового диода для измерения е полупроводника
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Обратной абсолютной температуре
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 7 изучение закона радиоактивного распада
- •Теоретическая часть
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика измерения Задание 1. Определение радиоактивного фона
- •Экспериментальные данные для определения радиоактивного фона
- •Задание 2. Определение постоянной распада
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Поглощение -квантов веществом. Свойства -излучения
- •Экспериментальная установка.
- •Методика регистрации -излучения
- •График зависимости интенсивности поглощения - квантов от толщины образца. Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •628400, Россия, Ханты-Мансийский автономный округ,
Описание экспериментальной установки
Экспериментальная установка состоит из воздушного термостата, включенного и электрическую схему (рис. 6.5), исследуемый диод (V5) и термосопротивление (R4) для измерения температуры.
Основными элементами экспериментальной установки являются полупроводниковый диод (VD5 на схеме установки) и терморезистор R4, которые помещены в воздушный термостат и поэтому находятся при одинаковой температуре. Терморезистор весьма заметно изменяет свое электросопротивление при изменении температуры, что позволяет использовать его в качестве термометра, т.е. по величине его электросопротивления определять температуру, при которой он находится.
Установка содержит также понижающий трансформатор и два мостовых выпрямителя на диодах VD1…VD4 и VD6…VD9. Первый выпрямитель обеспечивает обратное напряжение на исследуемом диоде VD5, а второй обеспечивает питание измерительного моста, одним из плеч которого является терморезистор R4. В другое плечо включен переменный резистор R2, с помощью которого устанавливается баланс моста, т.е. состояние, при котором ток в диагонали АВ моста равен нулю.
Рис. 6.5. Электрическая схема экспериментальной установки
Микроамперметр P1 измеряет обратный ток диода VD5.
Миллиамперметр P2 предназначен для измерения тока разбаланса моста при изменении температуры термостата.
Порядок выполнения работы
Включить установку. При этом на исследуемый диод подается обратное напряжение, равное 2,5 В. Убедиться по прибору Р1, что Iдиода = Iобр не превышает 2 мкА.
С помощью потенциометра R2 установить такой ток, чтобы потенциалы точек А и В были равны (см. рис. 6.5). При UA = UB ток через прибор Р2 равен нулю. (При изменении температуры сопротивление R4 изменяется, нарушается равновесие плеч моста и через прибор Р2 будет течь ток, пропорциональный изменению температуры). Формула, по которой определяется температура внутри термостата, имеет вид:
Т = Т0 + I, Т – Т0 = I (6.5)
где Т0 – температура в лаборатории, К;
= коэффициент пропорциональности 1,0 град/мкА,;
I – ток через Р2, мкА.
Прибор Р2 отградуирован в единицах температуры, так как Т = Т – Т0 = I.
Включить нагрев. Изменяя температуру на 5, снимать показания тока.
Снять зависимость обратного тока германиевого диода от температуры.
Результаты измерений внести в табл. 6.1. Выполнить 7–10 измерений.
Таблица 6.1
№ |
Т, К |
ΔТ, К |
1/Т, К–1 |
Iобр, мкА |
ln Iобр |
1 |
|
|
|
|
|
… |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
По результатам измерений построить зависимость ln Iобр = f(1/T).
Вычислить Е(в эВ) ширину запрещенной зоны германия по формуле (6.4).