- •Ханты-мансийского автономного округа
- •Сургутский государственный университет хмао
- •Содержание
- •Третий закон для абсолютно черного тела. Закон смещения Вина.
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика проведения эксперимента
- •Порядок выполнения работы
- •Методика измерений и обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Задание 1. Проверка закона Столетова
- •Задание 2. Проверка формулы Эйнштейна
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов.
- •Контрольные вопросы
- •Рассмотрим подробно рис. 4.3,(в) – область контакта 1-го и 2-го металлов.
- •Описание экспериментальной установки
- •Задание
- •Порядок выполнения работы
- •Для первой пары металлов (м1 – м2)
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5
- •Металлы
- •Полупроводники
- •Экспериментальная установка
- •Практические задания
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Использование полупроводникового диода для измерения е полупроводника
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Обратной абсолютной температуре
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 7 изучение закона радиоактивного распада
- •Теоретическая часть
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика измерения Задание 1. Определение радиоактивного фона
- •Экспериментальные данные для определения радиоактивного фона
- •Задание 2. Определение постоянной распада
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Поглощение -квантов веществом. Свойства -излучения
- •Экспериментальная установка.
- •Методика регистрации -излучения
- •График зависимости интенсивности поглощения - квантов от толщины образца. Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •628400, Россия, Ханты-Мансийский автономный округ,
Металлы
Согласно электронной теории электропроводность металлов обусловлена электронами, которые могут свободно перемещаться между положительно заряженными ионами решетки.
В классической электронной теории металлов (Друде – Лоренца) предполагалось, что в металле имеется электронный газ который подчиняется классической статистике. В отсутствие внешнего электрического поля электроны совершают беспорядочное тепловое движение. При включении внешнего электрического поля на тепловое движение электронов накладывается направленное движение зарядов, которое приводит к появлению электрического тока.
Сталкиваясь с ионами, электроны передают им кинетическую энергию, полученную под влиянием внешнего электрического поля, что приводит к нагреванию металлов (джоулево тепло). На основе указанных представлений удалось объяснить законы Ома, Джоуля – Ленца, Видемана – Франца и вычислить постоянную Холла. Классическая электронная теория не могла объяснить линейную зависимость удельного сопротивления металлов от температуры, т.е. Т.
Недостатки классической электронной теории проводимости
Опыт показывает, что электропроводность металлов при комнатной температуре обратно пропорциональна температуре:
Т,
где – удельное сопротивление.
Согласно классической теории, электропроводность металлов или , т.к.
Классическая теория не может объяснить расхождение между теорией и опытом, поэтому возникла необходимость квантового рассмотрения электронной проводимости металлов с квантовой точки зрения. Однако эта теория требует сложного математического аппарата. Более простой является зонная теория твердого тела.
Полупроводники
Собственная проводимость полупроводников
и ее температурная зависимость
Согласно (5.2) = е (nee + npp) =е+ р, т.е. коэффициенты электропроводности электронов и дырок складываются. Средние скорости электронов и дырок имеют противоположные направления, однако направления плотностей токов электронов и дырок, определяемые как направления движения положительных зарядов, совпадают. Концентрации электронов и дырок для полупроводников намного меньше, чем для металлов.
Особенность электронного строения собственного полупроводника такова, что
(5.4)
где ΔE – ширина запрещенной зоны;
n0 – концентрация в валентной зоне;
К – постоянная Больцмана.
Формула 5.4 поясняет, что концентрация носителей электронов в зоне проводимости (ne) мала, поэтому зависимость подчиняется классической статистике Больцмана и для большинства собственных полупроводников, уровень Ферми находится на середине запрещенной зоны.
Рис. 5.1. Зонная диаграмма собственного полупроводника
Зона проводимости
E-
запрещенная
зона
Энергетические уровни в области ∆ Е системы не заполняются, т.е. электроны и дырки не могут находиться в состояниях, значение энергии которых лежит в области ΔЕ. Выражение (5.4) можно рассматривать как следствие из распределения Больцмана, которое хорошо выполняется для полупроводников с собственной проводимостью. Поэтому для электропроводности можно записать:
(5.5)
где - электропроводимость при любой температуре;
- электропроводимость при Т комн;
- основание натуральных логарифмов.
На зонной диаграмме металла запрещенная зона отсутствует и «потолок» валентной зоны вплотную прилегает к «дну» зоны проводимости.