###TITLE###

ÁÏÒ

###THEMES###

ÁÏÒ

h-параметры

режимы работы

Схемы включения

!

ÂÀÕ

##theme 1

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Биполярный транзистор состоит обычно из взаимодействующих

+ двух p-n-переходов

- трёх p-n-переходов

- четырех p-n-переходов

##theme 1

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Толщина базы биполярного транзистора W и диффузионная длина неосновных носителей заряда в базе L_D соотносятся в биполярном транзисторе следующим образом

+

-

-

-

##theme 1

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Выводы биполярного транзистора называются

- анод

- сток

+ коллектор

- затвор

- исток

+ база

+ эмиттер

- катод

##theme 1

##score 1

##type 4

##time 0:00:00

Найдите соответствие между типом биполярного транзистора и его условным графическим обозначением

31

42

0 n-p-n

0 p-n-p

##theme 1

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Вывод биполярного транзистора, обозначенного цифрой «1» называется

- анод

- сток

+ коллектор

- затвор

- исток

- база

- эмиттер

- катод

##theme 1

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Вывод биполярного транзистора, обозначенного цифрой «2» называется

- анод

- сток

- коллектор

- затвор

- исток

- база

+ эмиттер

- катод

##theme 1

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите тип биполярного транзистора

+ n-p-n

- p-n-р

- р-n-p-n

##theme 4

##score 2

##type 4

##time 0:00:00

Найдите соответствие между схемами включения биполярного транзистора

6 схема 1

5 Схема 2

4 схема 3

0 схема с общим коллектором

0 схема с общей базой

0 схема с общим эмиттером

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите номер схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером

+ «1»

- «2»

- «3»

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите номер схемы включения биполярного транзистора с общей базой

- «1»

+ «2»

- «3»

##theme 4

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Укажите номер схемы включения биполярного транзистора с общим коллектором

- «1»

- «2»

+ «3»

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Укажите биполярный транзистор, включенный в активном режиме работы

+ «1»

- «2»

- «3»

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Укажите биполярный транзистор, включенный в режиме насыщения

- «1»

+ «2»

- «3»

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

Укажите биполярный транзистор, включенный в режиме отсечки

- «1»

- «2»

+ «3»

##theme 3

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

В схеме электронного ключа биполярный транзистор может находиться в

- активном режиме

- инверсном режиме

+ режиме отсечки

+ режиме насыщения

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В режиме насыщения у биполярного транзистора

- оба p-n-перехода закрыты

+ оба p-n-перехода открыты

- переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

- переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В режиме отсечки у биполярного транзистора

+ оба p-n-перехода закрыты

- оба p-n-перехода открыты

- переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

- переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В активном режиме у биполярного транзистора

- оба p-n-перехода закрыты

- оба p-n-перехода открыты

+ переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

- переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В инверсном режиме у биполярного транзистора

- оба p-n-перехода закрыты

- оба p-n-перехода открыты

- переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

+ переход коллектор-база открыт, переход эмиттер-база закрыт

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

В схеме с общим эмиттером режим насыщения биполярного транзистора с n-p-n структурой, при условии U_бэ < U_кэ, обеспечивается напряжениями ...

-U_бэ = 0; U_кэ < 0

-U_бэ < 0; U_кэ > 0

-U_бэ < 0; U_кэ < 0

+U_бэ > 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ > 0

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

В схеме с общим эмиттером режим насыщения биполярного транзистора с p-n-p структурой, при условии U_бэ < U_кэ, обеспечивается напряжениями

-U_бэ = 0; U_кэ < 0

+U_бэ < 0; U_кэ > 0

-U_бэ < 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ > 0

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

В схеме с общим эмиттером активный режим работы биполярного транзистора с p-n-p структурой , при условии U_бэ < U_кэ, обеспечивается напряжениями

-U_бэ = 0; U_кэ < 0

-U_бэ < 0; U_кэ > 0

+U_бэ < 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ > 0

##theme 3

##score 2

##type 1

##time 0:00:00

В схеме с общим эмиттером активный режим работы биполярного транзистора с n-p-n структурой обеспечивается напряжениями

-U_бэ = 0; U_кэ < 0

-U_бэ < 0; U_кэ > 0

-U_бэ < 0; U_кэ < 0

-U_бэ > 0; U_кэ < 0

+U_бэ > 0; U_кэ > 0

##theme 3

##score 1

##type 2

##time 0:00:00

В режиме насыщения переходы биполярного транзистора смещены

- коллекторный в обратном направлении

+ коллекторный в прямом направлении

+ эмиттерный в прямом направлении

- эмиттерный в обратном направлении

##theme 3

##score 1

##type 2

##time 0:00:00

В активном режиме переходы биполярного транзистора смещены

+ коллекторный в обратном направлении

- коллекторный в прямом направлении

+ эмиттерный в прямом направлении

- эмиттерный в обратном направлении

##theme 3

##score 1

##type 2

##time 0:00:00

В режиме отсечки переходы биполярного n-p-n-транзистора смещены

+ коллекторный в обратном направлении

- коллекторный в прямом направлении

- эмиттерный в прямом направлении

+ эмиттерный в обратном направлении

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Закрытое состояние ключа на биполярном транзисторе соответствует

- режиму насыщения

- активному режиму

- инверсному режиму

+ режиму отсечки

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Открытое состояние ключа, созданного на биполярном транзисторе, соответствует

+ режиму насыщения

- активному режиму

- инверсному режиму

- режиму отсечки

##theme 3

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

В активном режиме в переходах биполярного транзистора происходят следующие процессы

+ инжекция основных носителей заряда - через эмиттерный переход

- инжекция основных носителей заряда - через коллекторный переход

- экстракция неосновных носителей заряда - через эмиттерный переход

+ экстракция неосновных носителей заряда - через коллекторный переход

- инжекция неосновных носителей заряда - через оба перехода

- экстракция основных носителей заряда - через оба перехода

##theme 4

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

+ транзистор n-p-n-типа

- транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

- в активном режиме

+ в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

##theme 4

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

- транзистор n-p-n-типа

+ транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

+ в активном режиме

- в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

##theme 4

##score 3

##type 2

##time 0:00:00

Краткая характеристика схемы, представленной на рисунке.

+ транзистор n-p-n-типа

- транзистор p-n-p-типа

- в схеме с общей базой

+ в схеме с общим эмиттером

- в схеме с общим коллектором

+ в активном режиме

- в инверсном режиме

- в режиме отсечки

- в режиме насыщения

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Основной режим работы биполярного транзистора в усилительных устройствах

+ активный режим

- инверсный режим

- режим отсечки

- режим насыщения

##theme 1

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Основными условиями для обеспечения усилительных свойств биполярного транзистора являются

+ толщина базы должна быть мала

- площадь коллекторного p-n-перехода меньше площади эмиттерного

- концентрация основных носителей в базе больше чем в эмиттере

+ концентрация основных носителей в базе мала по сравнению с эмиттером и коллектором

- концентрация основных носителей в базе больше, чем в коллекторе

+ площадь коллекторного p-n-перехода больше площади эмиттерного

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

В активном режиме электрическое поле обратно смещенного коллекторного перехода является ускоряющим для

+ неосновных носителей базы

- неосновных носителей эмиттера

- основных носителей базы

- основных носителей коллектора

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p в активном режиме, это

+ перемещение дырок из эмиттера в базу

- перемещение дырок из базы в эмиттер

- перемещение дырок из базы в коллектор

- перемещение электронов из базы в коллектор

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Экстракция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p в активном режиме, это

- перемещение дырок из базы в эмиттер

+ перемещение дырок из базы в коллектор

- перемещение дырок из коллектора в базу

- перемещение электронов из базы в коллектор

##theme 6

##score 3

##type 4

##time 0:00:00

Найдите соответствующие названия зависимостям семейств вольт-амперных характеристик биполярного транзистора

7 входные характеристики схемы с общим эмиттером

9 входные характеристики схемы с общим коллектором

8 входные характеристики схемы с общей базой

10 выходные характеристики схемы с общим эмиттером

12 выходные характеристики схемы с общим коллектором

11 выходные характеристики схемы с общей базой

0

0

0

0

0

0

##theme 6

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Укажите зависимости, соответствующие входным и выходным характеристикам биполярного транзистора, для схемы, представленной на рисунке

+

-

-

+

-

-

##theme 6

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Укажите зависимости, соответствующие входным и выходным характеристикам биполярного транзистора, для схемы, представленной на рисунке

-

-

+

-

-

+

##theme 6

##score 2

##type 2

##time 0:00:00

Укажите зависимости, соответствующие входным и выходным характеристикам биполярного транзистора, для схемы, представленной на рисунке

-

+

-

-

+

-

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Тип характеристик биполярного транзистора, представленных на рисунке, -...

- входные характеристики схемы с общим эмиттером

- входные характеристики схемы с общим коллектором

- входные характеристики схемы с общей базой

- выходные характеристики схемы с общим эмиттером

+ выходные характеристики схемы с общим коллектором

- выходные характеристики схемы с общей базой

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Тип характеристик биполярного транзистора, представленных на рисунке, -...

- входные характеристики схемы с общим эмиттером

- входные характеристики схемы с общим коллектором

+ входные характеристики схемы с общей базой

- выходные характеристики схемы с общим эмиттером

- выходные характеристики схемы с общим коллектором

- выходные характеристики схемы с общей базой

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Тип характеристик биполярного транзистора, представленных на рисунке, -...

- входные характеристики схемы с общим эмиттером

- входные характеристики схемы с общим коллектором

- входные характеристики схемы с общей базой

- выходные характеристики схемы с общим эмиттером

- выходные характеристики схемы с общим коллектором

+ выходные характеристики схемы с общей базой

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Тип характеристик биполярного транзистора, представленных на рисунке, -...

+ входные характеристики схемы с общим эмиттером

- входные характеристики схемы с общим коллектором

- входные характеристики схемы с общей базой

- выходные характеристики схемы с общим эмиттером

- выходные характеристики схемы с общим коллектором

- выходные характеристики схемы с общей базой

##theme 6

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

Тип характеристик биполярного транзистора, представленных на рисунке, -...

- входные характеристики схемы с общим эмиттером

- входные характеристики схемы с общим коллектором

- входные характеристики схемы с общей базой

+ выходные характеристики схемы с общим эмиттером

- выходные характеристики схемы с общим коллектором

- выходные характеристики схемы с общей базой

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На вольт-амперных характеристиках биполярного транзистора обозначена рабочая точка «А». В этом случае транзистор работает в

+ режиме насыщения

- режиме отсечки

- активном режиме

- инверсном режиме

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На вольт-амперных характеристиках биполярного транзистора обозначена рабочая точка «B». В этом случае транзистор работает в

- режиме насыщения

- режиме отсечки

+ активном режиме

- инверсном режиме

##theme 3

##score 1

##type 1

##time 0:00:00

На вольт-амперных характеристиках биполярного транзистора обозначена рабочая точка «С». В этом случае транзистор работает в

- режиме насыщения

+ режиме отсечки

- активном режиме

- инверсном режиме

##theme 4

##score 3

##type 4

##time 0:00:00

Укажите параметры усилительного каскада на биполярном транзисторе, соответствующие схеме включения