Ход работы:

1. Соберите схему № 4 (рис. 8). Напряжение, снимаемое с диода следует подавать на -вход осциллографа, а напряжение, снимаемое с резистора следует подавать на -вход осциллографа (осциллограф должен быть в режиме внешней развертки)

2. Выставьте на генераторе , и амплитуду напряжения . Перед включением покажите собранную схему преподавателю.

3. По полученной характеристике определите:

1. Максимальное обратное напряжение.

2. Максимальный прямой ток.

4. Оцените прямое напряжение на диоде. Для этого переключите осциллограф в режим внутренней развертки и подайте на вход напряжение с диода. Вероятно сигнал будет сильно искажен, и для уменьшения этого искажения плавно изменяйте частоту генератора пока не добьетесь явно выраженного биения. После этого уже можно примерно оценить прямое напряжение.

5. Постройте вольт-амперную характеристику.

Контрольные вопросы

1. Сформулируйте основные принципы зонной теории твердых тел.

2. Какой физический смысл имеет уровень Ферми в полупроводнике?

3. Почему атомы обладают акцепторными свойствами, а атомы донорными?

4. В чем разница между собственным и примесным полупроводником?

5. Почему при изготовлении полупроводниковых диодов используются примесные полупроводники?

6. Почему полупроводниковый диод теряет выпрямительные свойства при высокой температуре? Почему кремниевые диоды имеют большую допустимую температуру?

7. Объясните принцип работы полупроводникового диода.

8. Почему при увеличении обратного напряжения ток диода стремится к насыщению и увеличивается при нагреве диода?

9. Почему в прямом направлении при наложении положительного

напряжения на -область, а отрицательного на -область ширина

- перехода уменьшается, а в обратном направлении

увеличивается?

10. Почему при увеличении приложенного к диоду обратного напряжения емкость диода уменьшается, а при уменьшении увеличивается?

11. Чем отличаются мощные и маломощные диоды?

12. Для чего используются полупроводниковые диоды?

Литература

1. В.И. Лачин, Н.С. Савелов. Электроника, 2002 г.

2. А.А. Иванов. Справочник по электронике, 1973 г.

3. А.С. Третьяков, П.Р. Бонехов. Справочник радиолюбителя, 1986 г.

4. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников.-М.: Наука, 1978.

5. Шалимова К.В. Физика полупроводников: Учебник.-2-е изд., перераб и

доп.-М.:Энергия,1976.

6. Питер, Ю. Основы физики полупроводников=Fundamentals of

Semiconductors/ П.Ю., М. Кардона; Пер.с англ. И.И. Решиной; Под

ред. Б.П. Захарчени.-[3-е изд.].-М.: Физматлит, 2002.

19