Классификация повреждений флешки

1. Логические повреждения – для повреждений такого типа характерно : сам накопитель находится в рабочем состоянии , определяется системой и возможно видна часть информации. Логические повреждения возникают при сбоях в питании и сбоях в работе ОС (80% всех повреждений флеш-памяти)

2. Электрические повреждения – возникают из-за нестабильного питания , плохого контакта разъёма , выхода из строя электрических элементов накопителя. Для них характерно отсутствие внешних физических повреждений и при этом ОС не определяет флешку. ( 5% от всех повреждений) Лечение в домашних условиях невозможно. Шанс на восстановление данных – 99,9%

3. Физические повреждения- к ним относятся : любые внешние заметные повреждения , а именно – изменение в геометрии дорожки и пр.. Лечение – замена поврежденного элемента. Шанс на восстановление данных – 99,9% ( 1% от всех повреждений)

4. Разрушение внутренней структуры- единственное характерное для флешек повреждение (10% от всех повреждений). Накопитель определяется либо с неправильной ёмкостью , либо вообще не определяется. Этот тип повреждения связан с устройством флеш-памяти. При таких нарушениях приходится отпаивать микросхему памяти и анализировать причину сбоя. Шанс восстановления информации – 50 на 50. Стоимость – 1000 флешек.

2 Типа организации флеш-памяти

• NOR (not OR)

• NAND (not and)

NOR - память такой организации является первой представительницей семейства флеш. Она характерна для большинства флеш-чипов и представляет собой транзистор с 2 изолированными затворами. Один из них управляющий , а другой плавающий. Важной особенностью последнего является способность удерживать заряд , при этом он способен удерживать заряд в течение нескольких лет. Определенный заряд на плавающем затворе ( у каждой флешки свой заряд) будет считаться за логическую 1 , а за логический 0 будет считаться все , что выше этого заряда.

Для чтения считывается пороговое напряжение транзистора. Для стирания информации на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение вследствие чего электроны с плавающего затвора уходят. Для хранения 1 бита информации требуется только 1 транзистор. Единственным недостатков NOR архитектуры является плохая масштабируемость , т.е. невозможно уменьшить размер чипа путем уменьшения размеров транзистора , связано это с тем , что к каждому транзистору надо подвести индивидуальный управляющий контакт.

NAND- устройство и принцип работы ячеек аналогичны с NOR. У NAND и NOR есть всего одно отличие – размещение ячеек памяти. В NAND архитектуре есть контактная матрица, в пересечении строк и столбцов располагаются транзисторы ( также как и в пассивной матрице TFT). В Этом случае такая организация позволяет уменьшить размеры микросхемы за счет уменьшения размера ячеек. Недостаток : меньшая скорость работы.

Применение в различных архитектурах флеш-памяти

NOR применяется в BIOS и ROM устройствах памяти , таких как ОП телефона и др. ,т.е. в таких микросхемах которые не требуют больших объёмов памяти.

NAND применяется во флешках : компактный размер , быстрое R/W

В наше время флеш-память активно применяется в SSD накопителях.