15. Полупроводниковая память. Динамическое и статическое зу. Основные типы полупроводниковых зу.

Полупроводниковая память занимает ведущее место по универсальности применения и аппаратной совместимости внутренних ЗУ с микроэлектронными вычислительными средствами. Планарная полупроводниковая технология позволяет сформировать запоминающий элемент (ЗЭ) в виде ячейки, которых отведена локальная область полупроводника с динамически изменяемыми свойствами. Под действием входных сигналов происходит изменение электрофизических параметров областей и разделяющих их переходов. Конструктивно-технологический уровень БИС ЗУ весьма высок и на основе достижений интегральной технологии постоянно идет их интенсивное совершенствование, связанное с уменьшением минимального нормативного технологического размера, применением медных линий связи и многоуровневой системы межсоединений с рациональной трассировкой, созданием оптимальной схемы элемента и структуры накопителя, снижением напряжения питания и целым рядом других аспектов.

Завершенное запоминающее устройство содержит накопитель в виде массива ЗЭ и устройство управления, обеспечивающее в соответствии с адресом (А0 , . . . Аn) операции записи и чтения данных

 Полупроводниковая статическая (англ. StaticRandomAccessMemory, SRAM) — ячейки представляют собой полупроводниковые триггеры. Достоинства — небольшое энергопотребление, высокое быстродействие. Отсутствие необходимости производить «регенерацию». Недостатки — малый объём, высокая стоимость. Благодаря принципиальным достоинствам широко используется в качестве кеш-памяти процессоров в компьютерах.

 Полупроводниковая динамическая (англ. DynamicRandomAccessMemory, DRAM) — каждая ячейка представляет собой конденсатор на основе перехода КМОП-транзистора. Достоинства — низкая стоимость, большой объём. Недостатки — необходимость периодического считывания и перезаписи каждой ячейки — т. н. «регенерации», и, как следствие, понижение быстродействия, большое энергопотребление. Процесс регенерации реализуется специальным контроллером, установленным на материнской плате или в центральном процессоре. DRAM обычно используется в качестве оперативной памяти (ОЗУ) компьютеров.

15. Магнитная память.

Основной функцией внешней памяти компьютера является долговременное хранение большого объема информации.Устройство, которое обеспечивает запись/считывание информации, называется накопителем или дисководом, а хранится информация на носителях.В накопителях на гибких магнитных дисках (НГМД) и накопителях на жестких магнитных дисках (НЖМД), или «винчестерах», в основу записи информации положено намагничивание ферромагнетиков в магнитном поле, хранение информации основывается на сохранении намагниченности, а считывание информации базируется на явлении электромагнитной индукции.В процессе записи информации на гибкие и жесткие магнитные диски головка дисковода с сердечником из магнитомягкого материала (малая остаточная намагниченность) перемещается вдоль магнитного слоя магнитожёсткого носителя большая остаточная намагниченность).На магнитную головку поступают последовательности электрических импульсов, которые создают в головке магнитное поле. В результате последовательно намагничиваются (логическая единица) или не намагничиваются (логический нуль) элементы поверхности носителя.При считывании информации при движении магнитной головки над поверхностью носителя намагниченные участки носителя вызывают в ней импульсы тока (явление электромагнитной индукции)