3. Изобразить алгоритм реализации основных этапов автоматизированного тп сборки и монтажа ячейки эу по варианту III,б с поверхностно-монтируемым объемным соединителем.

Показатель

Поколения Э В М

I

II

III

IV

V

Тип элементной базы

Электровакуумные лампы, дискретные пассивные компоненты

Дискрет-

ные полупроводниковые приборы и пассивные компоне-

нты

Интеграль-ные схемы в корпусах и др.

ИС, БИС, СБИС, микросборки (МСБ), в том числе бескорпус-

ные

СБИС, УБИС в кристаллодержателях и на лентах-носителях (в том числе 2-х и 3-х мерные вертикально-совмещенные УБИС), изделия функциональной микроэлектроники и др.

Уровень интеграции, полупроводниковой элемент-

ной базы, элементов/кристалл

0

1⁰

до10³

до10⁷

более 10⁷

Принцип конструирования

Блочный

Функционально-узловой

Функционально-модульный

Особенности монтажа

С использованием проводов; монтажных колонок, вставляемых в ламповые панельки; жгутов; шасси.

С использованием одно- и двухсторонних печатных плат; жгутов; микроплат.

С использованием двухсторонних печатных плат, гибких кабелей и шлейфов; многослойных печатных плат.

С использованием техники поверхностного монтажа, многослой-ных коммутационных плат, гибких кабелей и шлейфов.

С использованием техники поверхностного монтажа, включая полимерную технологию и биотехнологии (систолические контакты), многослойных коммутационных плат, включая рельефные и др.

Показатель

Поколения Э В М

I

II

III

IV

V

Особенности конструкций и общая характеристика ЭВМ.

Конструкция характеризуется большими массогабаритными показателями; большим энергопотреблением; неприспособленностью конструкции к механизации и автоматизации сборочно-монтажных работ; малой плотностью компоновки; большой материалоемкостью; низкой надежностью, но высокой ремонтопригодностью; в качестве носителей данных использовались магнитные барабаны;

быстродействие - опер./с.

Характерно использование модулей с дискретными компонентами на печатных платах и микромодулей на микроплатах с миниатюрными дискретными компонентами, что позволило увеличить плотность компоновки; массогабаритные показатели и энергопотребление уменьшились более чем в 10 раз, а срок службы увеличился в 7-14 раз по сравнению с поколением I; в качестве носителей данных служили миниатюрные магнитные сердечники (в оперативных ЗУ) и магнитные ленты (во внешних ЗУ); ремонтопригодность

Применение изделий интегральной микроэлектроники позволило создать МЭА (ЭВС) с более сложными узлами и с лучшими показателями, чем у поколения II;в качестве носителей данных стали использовать магнитные ленты и жесткие магнитные диски (во внешних ЗУ); возросли функциональные возможности; появилось семейство универсальных ЭВМ на единой конструктивнотехнологической базе с программной и аппаратной совместимостью.

Характерно появление микропроцессоров (БИС, СБИС), что позволило создать мини - и микро- ЭВМ, а также персональные ЭВМ и различной сложности информационно - и измерительно-вычислите-льные системы с развитой периферией и большим объемом памяти. Конструкция –моно- и полиблочная с сохранением основных структурных решений III поколения. Быстродействие – до опер./с. Технико-экономические показатели лучше, чем у III поколения, что связано с применением компьютерно-интегрирован-ных технологий для разработки и производства таких ЭВС. Исполь-

Использова-

ние новейших достижений интегральной (например,

3-х мерных УБИС) и функциональной (например, разного вида микросистем) микроэлектроники, что существенно повысит “интеллектуальный” уровень ЭВМ, резко увеличит плотность компоновки, расширит функциональные возможности и (в потенциале) улучшит технико-экономиче-ские показатели ЭВМ. Однако это требует: разработки теоретических основ построения ЭВМ

Показатель

Поколения Э В М

I

II

III

IV

V

ухудшилась при использовании модулей и потребовалось большое число компонентов, однако появилась возможность автоматизации производства ЭВМ. Быстродействие-

опер./с.

Характерно также использование автоматизированных средств для разработки и производства ЭВМ. Быстродействие - опер./с.

зование накопителей на гибких и жестких магнитных дисках; устройств, расширяющих функциональные возможности ЭВМ (например, для речевого ввода (или ввода-вывода) информации, расширения памяти и др.) и устройств сопряжения их с локальной и глобальной компьютерными сетями.

с искусственным интеллектом; освоения нанотехнологий; разработки и реализации новых архитектур ЭВМ и их систем, обеспечивающих параллельную и распределенную обработку информации; освоения имеющихся и разработки новых изделий микросистемотехники; разработки эффективного программного обеспечения; разработки новых групповых технологий (включая аппликативные) формообразования в разных технологических средах на базе микроэлектронных и других технологий.