Основные этапы производства тонкопленочных микросхем (гис).

Отличительной чертой производства гибридных тонкопленочных микросхем, безусловно, является тонкопленочная технология, которая на основе использования физических свойств материалов в тонких слоях, позволяет создавать резисторы и конденсаторы, обладающие в ряде случаев лучшими характеристиками по сравнению с одноименными дискретными компонентами.

Методы применяемые в тонкопленочной технологии, называют групповыми, т. к. они позволяют одновременно изготовить все или часть элементов электрической схемы, органически связанных между собой на поверхности подложки. К этим методам относятся процессы получения рисунков с помощью специальных трафаретов и процессы нанесения пленок на подложку.

Таким образом, производства гибридных тонкопленочных микросхем характерны три основных этапа:

1. Изготовление трафаретов.

2. Изготовление пассивной части микросхем.

3. Сборка микросхем.

Последовательность операций технологического процесса изготовления пассивной части микросхемы иллюстрируется схемой.

Схема технологического процесса изготовления пассивной части тонкопленочной микросхемы

Юстировка масок

Очистка подложек

Очистка резистивных испарителей, навесок материалов, рабочей камеры и технол. оснастки

Нанесение тонких пленок на подложки методом термического испарения или катодного плазменного распыления

Получение рисунка методом ф/литографии

Контроль параметров процесса соединения пленок

Контроль параметров тонкопленочных элементов (R и C)

Контроль степени вакуума в раб. камере

Контроль t0 подложки

Контроль толщины пленки

Контроль скорости осаждения

Подготовка номиналов тонкопленочных элементов микросхемы

Резка подложек на отдельные микросхемы

Контроль степени вакуума

t0 под-ложки

Толщи-на пленки

Скорость охлаждения

– Основные операции

– Вспомогательные операции

– Контрольные операции