- •Основи електроніки та мікросхемотехніки
- •2.1. Тематичний план навчальної дисципліни
- •1. Електронно-дірковий перехід та його властивості.
- •1.1. Електричні властивості напівпровідників
- •1.2. Носії заряду в напівпровіднику.
- •1.3. Електронно-дирочний перехід
- •2. Напівпровідникові діоди.
- •2.1. Класифікація напівпровідникових діодів
- •2.2. Параметричні стабілізатори
- •3. Біполярні транзистори
- •3.1 Побудова та принцип дії
- •3.2 Схеми включення біполярних транзисторів
- •3.3 Статичні характеристики біполярних транзисторів
- •3.4. Характеристики транзистора, включеного по схемі зб
- •3.5. Характеристики транзистора, включеного по схемі зе
- •3.6. Основні параметри
- •3.7. Режими роботи біполярних транзисторів
- •3.8. Область застосування
- •3.9. Простий підсилювальний каскад на біполярному транзисторі
- •3.10. Розрахунок електричних ланцюгів з біполярними транзисторами
- •4. Польові транзистори
- •4.1. Побудова та основні види польових транзисторів
- •4.2. Резисторний каскад із спільним витоком
- •4.3. Резисторний каскад із спільним затвором
- •4.4. Резисторний каскад із спільним стоком
- •5. Підсилювальні каскади
- •5.2. Класифікація підсилювальних пристроїв
- •5.3. Технічні показники підсилювачів
- •5.6. Амплітудно-частотна, фазочастотна і перехідна характеристики
- •5.7. Спотворення підсилювача
- •5.8. Основні визначення зворотного зв'язку
- •6. Операційні підсилювачі.
- •6.1. Параметри і характеристики операційних підсилювачів
- •6.2.Характеристики операційного підсилювача
- •6.3. Функціональні пристрої на операційних підсилювачах
- •6.3.1. Інвертуючий підсилювач
- •6.3.2. Неінвертуючий підсилювач.
- •7. Аналогові логічні елементи
- •7.1. Основні теоретичні відомості
- •8. Фільтри
- •8.1. Загальні відомості про електричні фільтри
- •8.2. Активні фільтри
- •8.2.1. Компаратор. Тригер Шмітта
- •9. Диференціатори
- •10. Інтегратор
- •Контрольні запитання для перевірки знань та вмінь модуля 1
- •Основна рекомендована лiтература
- •Додаткова література
3.10. Розрахунок електричних ланцюгів з біполярними транзисторами
Для колекторного ланцюга підсилювального каскаду (рис. 3.7) відповідно до другого закону Кирхгофа справедливе рівняння (3.10).
Вольт – амперна характеристика колекторного резистора RК є лінійною, а вольт – амперними характеристиками транзистора є нелінійні колекторні характеристики транзистора (рис. 3.5, а), включеного по схемі ЗЕ.
Розрахунок такого нелінійного ланцюга, тобто визначення IK, URк і UКЭ для різних значень струмів бази IБ і опорів резистора RК можна провести графічно. Для цього на сімействі колекторних характеристик (рис. 2.5, а) необхідно провести з крапки ЕК на осі абсцис вольт – амперну характеристику резистора RК, що задовольняє рівнянню:
Uкэ = Ек - RкIк. (3.11)
Цю характеристику будують по двох крапках: Uкэ = Ек при Iк = 0 на осі абсцис і Iк = Ек/Rк при Uкэ = 0 на осі ординат. Побудовану таким чином ВАХ колекторного резистора Rк називають лінією навантаження. Точки перетину її з колекторними характеристиками дають графічне вирішення рівняння (2.11) для даного опору Rк і різних значень струму бази IБ. По цих крапках можна визначити колекторний струм Iк, однаковий для транзистора і резистора Rк, а також напругу UКЭ і URк.
Точка перетину лінії навантаження з однією із статичних ВАХ називається робочою точкою транзистора. Змінюючи IБ, можна переміщати її по прямій навантаження. Початкове положення цієї крапки за відсутності вхідного змінного сигналу називають точкою спокою - Т0.
а) б)
Рис.3.8 Графоаналітичний розрахунок робочого режиму транзистора за допомогою вихідних і вхідної характеристики.
Точка спокою (робоча точка) Т0 визначає струм IКП і напруга UКЭп в режимі спокою. По цих значеннях можна знайти потужність РКП, що виділяється в транзисторі в режимі спокою, яка не повинна перевищувати граничної потужності РК мах, що є одним з параметрів транзистора:
РКП = IКП UКЭп РК мах. (3.12)
У довідниках зазвичай не приводиться сімейство вхідних характеристик, а даються лише характеристики для UКЭ = 0 і для деякого UКЭ 0.
Вхідні характеристики для різних UКЭ, 1В, що перевищують, розташовуються дуже близько один до одного. Тому розрахунок вхідних струмів і напруги можна приблизно робити по вхідній характеристиці при UКЭ 0, узятою з довідника.
На цю криву переносяться крапки А, Т0 і Б вихідної робочої характеристики, і виходять точки А1, Т1 і Б1 (рис. 3.8, б). Робоча точка Т1 визначає постійну напругу бази UБЭп і постійною струм бази IБп.
Опір резистора RБ (забезпечує роботу транзистора в режимі спокою), через який від джерела ЕК подаватиметься постійна напруга на базу:
(3.13)
У активному (підсилювальному) режимі точка спокою транзистора Т0 знаходиться приблизно посередині ділянки лінії навантаження АБ, а робоча точка не виходить за межі ділянки АБ.