Кафедра высоковольтной электроэнергетики, электротехники и электрофизики

Дисциплина: “Материаловедение”

ОТЧЕТЫ

Студентов _________________________________________________________________________

Курса ___ группы ______ по лабораторным работам

Отчет принял преподаватель___________________

Лабораторная работа

“ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИКОВ, ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ПРОВОДНИКОВ”

Цель работы: практическое ознакомление с методами определения удельных объемного и поверхностного сопротивлений диэлектриков, исследование влияния температуры на электропроводность проводников, полупроводников и диэлектриков, изучение зависимости электропроводности полупроводников от освещенности и напряженности электрического поля.

1. Определение удельных объемного и поверхностного сопротивлений плоских образцов твердых диэлектриков.

Рис.1. Эскиз образца твердого диэлектрика

Электроды из фольги, наклеенные на образец: а) сверху: 1 – центральный дисковый электрод; 2 – кольцевой электрод; б) снизу: 3 – электрод в виде квадрата или круга диаметром не менее d₃. 4 – диэлектрик.

Рис.2. Схема измерения объемного диэлектрика: 1,2,3 – электрода; 4 – диэлектрик.

Удельное объемное сопротивление рассчитывается по формуле, где d₁ – диаметр измерительного электрода (рис.1), м; h – толщина диэлектрика, м; R_v – измеренное объемное сопротивление.

Удельное поверхностное сопротивление рассчитывается по формуле , где d₁ и d₂ – диаметры измерительного и кольцевого электрода соответственно, м; R_s – измеренное поверхностное сопротивление. d₁ = 6610^-3 м, d₂ = 7010^-3 м.

Таблица 1. Результаты измерений и расчетов

Название материала	h, м	Rv, Ом	v, Ом м	Rs, Ом	s, Ом м
Текстолит
Гетинакс
Лакоткань
Стекло

2. Температурные зависимости сопротивлений диэлектрика, проводника

и полупроводника.

Таблица 2. Результаты измерений и расчетов для температурных зависимостей сопротивлений

Материал		30С	40С	50С	60С	70С	80С
Лакоткань	R, Ом
	Rср,С-1
	R/Ro
Медь	R, Ом
	Rср,С-1
	R/Ro
Терморезистор	R, Ом
	R/Ro
	Т, К
	1/Т, К-1
	, Ом-1
	ln

Рис.4. Зависимости относительного сопротивления от температуры для диэлектрика, проводника

и полупроводника а) и электропроводности от температуры для полупроводника б)

Определение энергии активации полупроводника для диапазона температур Т₁-Т₂ производится по формуле, Дж: W_a= эВ.