Лекция № 18_copy

Увеличение запирающих напряжений на p – n переходах ПП увеличивает вероятность электрического пробоя в объеме кристалла и на его поверхности. Из-за наличия неоднородностей в кристалле полупроводника могут возникать локальные пробои по неоднородностям, которые приводят к общему пробою перехода. Величина напряжения пробоя снижается в результате старения полупроводника. Максимальное значение тока в ПП определяется допустимой температурой перехода. Повышение плотности тока в малом объеме приводит к локальным перегревам и отказу ПП в результате теплового пробоя перехода.

Неоднородности в материале внутренних выводов ПП вызывает появление в них участков с повышенным сопротивлением. Поэтому даже при токах, меньших максимально допустимых, возможно перегорание выводов.

При возрастании обратного напряжения на переходе мощность, рассеиваемая в нем, увеличивается. Это приводит к увеличению температуры прибора, увеличению токов через переход, что опять приводит к увеличению температуры и, в конечном итоге, к тепловому пробою. При тепловом пробое возникает короткое замыкание в результате разрушения структуры полупроводника.

Постепенные отказы полупроводников вызываются обратимыми изменениями параметров из-за повышения температуры и необратимыми изменениями вследствие старения. Старение полупроводника происходит из-за фи- зико-химических процессов, как в объеме кристалла, так и на его поверхности. Указанные процессы сильно зависят от физических воздействий и химической природы окружающей среды, от концентрации и характера примесей, неоднородностей и дефектов структуры.