- •Департамент образования и науки
- •Содержание
- •Лабораторная работа № 1
- •Третий закон для абсолютно черного тела. Закон смещения Вина.
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика проведения эксперимента
- •Порядок выполнения работы
- •Методика измерений и обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Задание 1. Проверка закона Столетова
- •Задание 2. Проверка формулы Эйнштейна
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 3 соотношение неопределенностей для фотонов
- •Теоретическая часть
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов.
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 4 изучение эффекта зеебека (тэдс металлов)
- •Теоретическая часть
- •Рассмотрим подробно рис. 4.3,(в) – область контакта 1-го и 2-го металлов.
- •Описание экспериментальной установки
- •Задание
- •Порядок выполнения работы
- •Для первой пары металлов (м1 – м2)
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Металлы
- •Полупроводники
- •Экспериментальная установка
- •Практические задания
- •Контрольные вопросы
- •Использование полупроводникового диода для измерения е полупроводника
- •Описание экспериментальной установки
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка результатов
- •Обратной абсолютной температуре
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 7 изучение закона радиоактивного распада
- •Теоретическая часть
- •Описание экспериментальной установки
- •Методика измерения Задание 1. Определение радиоактивного фона
- •Экспериментальные данные для определения радиоактивного фона
- •Задание 2. Определение постоянной распада
- •Обработка результатов
- •Поглощение -квантов веществом. Свойства -излучения
- •Экспериментальная установка.
- •Методика регистрации -излучения
- •Экспериментальная часть Задание 1. Определение фона
- •Задание 2. Определение коэффициента поглощения
- •Алюминий
- •График зависимости интенсивности поглощения - квантов от толщины образца. Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •Лабораторная работа № 10
- •Определение резонансного потенциала
- •Криптона методом франка и герца
- •Теоретическая часть
- •Выводы из опытов франка и герца
- •Резонансный потенциал. Резонансная флуоресценция.
- •Энергия ионизации. Потенциал ионизации.
- •Устройство и принцип работы установки.
- •Методика проведения эксперимента
- •Обработка результатов
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
- •628400, Россия, Ханты-Мансийский автономный округ,
Рассмотрим подробно рис. 4.3,(в) – область контакта 1-го и 2-го металлов.
В соответствии с выводами статистической физики состояние равновесия двух систем характеризуется совпадением уровней (энергий) Ферми (рис 4.3.в). В этом случае потенциалы точек, лежащих вне металлов вблизи их поверхностей, отличаются на
. (4.1)
2 – поверхностные потенциалы 1го и 2го металлов
U12 называется внешней контактной разностью потенциалов. – уровень энергии Ферми 1-го металла;– уровень энергии Ферми 2-го металла.
Изменение потенциала при переходе электрона из 1-го металла во 2-й (рис. 4.3, б), выразится:
(4.2)
е1 – потенциальная энергия электрона вблизи поверхности 1-го металла; е2 – потенциальная энергия электрона вблизи поверхности 2-го металла.
(e1 – e2) = e12. (4.3)
2. Диффузия электронов. Диффузная составляющая энергии при градиенте ТЭДС равна:
где (4.4)
Ed – ТЭДС, возникающая в результате взаимной диффузии электронов
где Е2–1, А – ТЭДС, возникающая на участке 2–1 в металле А;
Е1–2, В – ТЭДС, возникающая на участке 1–2 в металле В; величины А, В зависят от внутренних характеристик металла.
При небольшой разности температур Т1 и Т2 контактную разность потенциалов U12 можно записать через положения уравней Ферми контактирующих металлов:
(4.5)
где
При небольших (Т1 – Т2) ТЭДС (Еконт) линейно нарастает с увеличением разности, т.е. U12 = Т. Крутизна этого нарастания определяется разностью производных для двух контактирующих металлов:
()
Можно оценить контактную разность потенциалов U12 через внутренние характеристики металлов А и В:
(4.6)
U12=
где Т – разность температур горячего и холодного спаев;
– константа;
Т – средняя температура (Т1 и Т2);
mА, mв – эффективная масса электрона в металле А и В;
nА, mв – концентрация электронов в металле А и В.
Используя (4.5) Еконт можно рассчитать теоретически, а так же определить экспериментально, используя табличные данные.
Диффузия электронов в спае двух металлов может возникнуть в результате:
а) различной концентрации электронов в каждом металле;
б) различной работы выхода (е1) электрона с поверхности металла.
в) диффузия электронов из металла А в В и из металла В в А усиливается с повышением температуры.
Третья причина возникновения ТЭДС заключается во взаимодействии электронов с фононами. Нарушения кристаллической решетки металла обусловлены наличием примесей и вакансий, а также тепловыми колебаниями решетки. Электрон движется в металле, нарушает режим колебаний решетки – возбуждает фононы. Минимальная порция, которая может поглотить или испустить решетка при тепловых колебаниях соответствует переходу возбуждаемого нормального колебания с данного энергетического уровня а ближайший соседний уровень фон = , эту порцию, или квант энергии тепловых колебаний решетки называют фононом. Энергия возбуждения передается другому электрону, который поглощает фонон.
h, - волновое число
Фонон – это квазичастица, которая обладает квазиимпульсом. Точно так же, как световой фотон, обладает импульсом и не имеет массы. Фонон не может возникнуть в вакууме, он нуждается в некоторой среде – это волны смещения. Формально фононы и фотоны схожи, они подчиняются квантовой статистике Бозе – Эйнштейна. Принцип Паули на фононы не распространяется. Фотоны и фононы подчиняются одной и той же статистики Бозе – Эйнштейна. Рассеяние электронов на атомах примесей и на фононах приводит к возникновению электросопротивления металлов.
Оба процесса – диффузия электронов и взаимодействие электронов с фононами приводят к образованию избытка электронов вблизи холодного конца. В результате внутри проводника возникает электрическое поле, направленное навстречу градиенту температуры (l – контур проводника).
Приведем упрощенное выражение вместо выражения 4.6., позволяющее качественно проследить, от чего зависит коэффициент и оценить порядок величин (из квантовой теории электропроводности металлов).
(4.7)
где k – постоянная Больцмана;
ЕF – энергия Ферми;
е – заряд электрона.
Наличие в (4.7) множителя становится понятным, если учесть, что в вырожденном газе, (электронный газ в металле не подчиняется принципу Паули), тепловому возбуждению подвергаются лишь электроны, имеющие энергии в интервале порядкаkТ вблизи энергии Ферми ЕF. Чем больше ЕF и меньше Т, тем меньше доля возбуждаемых электронов от общего их числа. Вырожденный электронный газ – газ электронов, на состоянии которого заметно сказывается влияние тождественности частиц. Вырождение электронного газа наступает при низких температурах. Теоретически электронный газ полностью вырожден при абсолютном нуле, когда все состояния с энергиями, меньшими 0 заняты, а состояние с энергией большей 0 свободны. Вырожденный электронный газ подчиняется квантовой статистике Ферми.