4 Mbit kólemli yadtı payda etiwdiń eki túrli jolı.

Operativ hám turaqlı yad qurılmaları. Kórip shıǵılǵan yadlardıń barlıq túrleri ulıwmalıq qásiyetke iye: olarda informaciyanı jazıw ham oqıw imkaniyatları bar. Bunday yad operativ yad qurılması (TYaQ) dep ataladı (Random Access Memory – RAM, rus tilinde - оперативное запоминающее устройство - ОЗУ). Operativ yad qurilmasınıń eki túri bar:

1.Statikalıq TYaQ (Static RAM - SRAM). Bul túrdegi yad D-triggerler tiykarında qurıladı. Statikalıq TXQsında informaciya, oǵan derek jalǵanǵan waqıt dawamında saqlanadı: bul waqıttıń dawamlılıǵı - sekundlarǵa, minutlarǵa, soatlarǵa hám kúnlerge de teń bolıwı múmkin. Statikalıq TYaQ júda tez isleydi, oǵan murajet etiw waqtı bir neshe nanosekundlarǵa teń bolıwı múmkin. Sol sebepli statikalıq TYaQ, kóbinese ekinshi qaddi kesh-yadı sıpatında isletilmekte.

2.Dinamikalıq TYaQ (Dynamic RAM - DRAM). Bul túrdegi yadtı qurıwda triggerler isletilmeydi. Dinamikalıq TYaQ tranzistorlar hám júda kishi kondensatorlardan qurilǵan, yacheykalar toplamınan ibarat boladı. Kondensatorlar zaryadlanǵan hám zaryadlanbaǵan halatlarda bolıwı múmkin, bul jaǵday 1 hám 0 di saqlaw imkaniyatın beredi. Kondensatorda zaryad joǵalıwı múmkin bolǵanlıǵı sebepli, bul túrdegi yadta maǵluwmatlar joǵalıp ketpesligi ushın hár bir bit waqtı-waqtı menen qayta zaryadlanıp turıwı kerek boladı. Dinamikalıq TYaQda bir bit informaciyanı saqlaw ushın 1 dana tranzistor hám 1 dana kondensator kerek boladı. Statikalıq TYaQda bolsa bir bit informaciyanı saqlaw ushın keminde 6 dana tranzistor kerek boladı. Sonıń ushın tiykarǵı yad derlik hár dayım dinamikalıq TYaQ tiykarında qurıladı. Dinamikalıq TYaQ, statikalıq TYaQǵa salıstırǵanda birqansha aste isleydi. Dinamikalıq TYaQnıń bir neshe túrleri bar:

- FPM (Fast Page Mode) – operativ betler rejimine iye dinamikalıq yad (rus tilinde - быстрый постраничный режим);

- EDO (Extended Data Output) – jalǵanıw toshkalarınıń imkaniyatları keńeytirilgen dinamikalıq yad – (rus tilinde – память с расширенными возможностями вывода);

- DRAM, SDRAM (Synchronous RAM) – sinxron dinamikalıq TYaQları (rus tilinde - синхронное динамическое ОЗУ);

- DDR (Double Data Rate) – maǵluwmatlardı eki ese tez uzata alıwshı (rus tilinde - передача данных с двойной скоростью).

Turaqlı yad qurılmaları. Эlektr deregi úzilgende de maǵluwmatlardı saqlay alatuǵın yad – Turaqlı yad qurılması (TTYaQ) dep ataladı (ROM - Read-Only Memory, rus tilinde – PZU - постоянное запоминающее устройство). Ádette turaqlı yad qurilmalarındaǵı informaciyanı uzaytırıw yaki óshirip taslaw múmkin emes. Biraq házirde DXQ nı islep shıǵarıw waqtında emes, balki onı qollawdan aldın, yaǵnıy onı isletiw waqtında informaciyanı jazıw hám informaciyanı óshirip jazıw múmkin bolǵan turaqlı yad qurilmaları da islep shıǵılǵan. Olar tómendegilershe atamalanadı:

- PROM (Programmable ROM) – programmalastırılatuǵın turaqlı yad qurılması (rus tilinde – программирумые ПЗУ).

- EPROM (Erasable PROM) – informaciyanı óshiriw hám qayta jazıw múmkin bolǵan programmalastırılatuǵın turaqlı yad qurılması (rus tilinde - стираемое программируемое ПЗУ);

- EEPROM (Electronically EPROM) - informaciyanı elektron tárizde óshiriw hám múmkin bolǵan programmalastırılatuǵın turaqlı yad qurılması (rus tilinde – электронно-перепрограммируемое ПЗУ);

- flesh-yad.