3.2. Статические характеристики транзистора

Работу транзистора в усилительном каскаде можно представить как процесс управления протеканием выходного тока I_Вых с помощью изменения входного сигнала (I_Вх или U_Вх ). Этот процесс можно проанализировать по статическим характеристикам транзистора. На рис. 3.5 приведены семейства входных и выходных характеристик для биполярного транзистора,

включенного по схеме общий эмиттер: входные характеристики – это зависимость входного тока (I_Б) от входного напряжения (U_БЭ) при изменении потенциала на выходе (U_КЭ ), выходные характеристики – это зависимость выходного тока (I_К ) от выходного напряжения (U_КЭ ) при изменении входного

тока (I_Б).

Рис.3.5. Статические характеристики биполярного транзистора

33

3.3. Определение нч y-параметров по статическим характеристикам

Низкочастотные Y-параметры могут быть определены по входным и выходным характеристикам транзистора. Y-параметры определяют в рабочей точке транзистора при отсутствии сигнального воздействия на входе, т.е. в

режиме покоя (токи и напряжения в рабочей точке отмечают дополнительным индексом «0»).

Рис.3.6. Использование статических характеристик биполярного транзистора для

определения Y-параметров: Y₁₁ и Y₂₂

Входная проводимость Y₁₁ определяется по входной характеристике (рис.

3.6).

Y11

I Вх

dIБ

.

(3.9)

U

Вх

U

Вых

0

dU

БЭ

U

const U

КЭ

КЭ0

Чем меньше берется приращение при построении и расчете, тем точнее получается значение Y₁₁. Для повышения точности расчета берут среднеарифметическое приращение вверх и вниз.

Выходная проводимость Y₂₂ определяется по выходной характеристике

(рис. 3.6).

Y22

IВых

dIК

,

(3.10)

U

Вых

UВх

0

dU

КЭ

I Б

const IБ0

34

где изменение d U _КЭ dE_К берут в пределах всего линейного участка.

Рис.3.7. Использование статических характеристик биполярного транзистора для

определения Y-параметров: Y₁₂ и Y₂₁

Проводимость обратной связи Y₁₂ определяется по входной характеристике при изменении параметра Е_К (рис.3.7).

Y12

dIБОС

.

(3.11)

ЕК 1

ЕК2

U

const U

БЭ

БЭ0

Крутизна Y₂₁ определяется по входной и выходной характеристикам (рис.

3.7).

	Y21 S			dIКs				,	(3.12)
				dUБЭ
							E const E
							К	0
где dIКs –	определяется по выходной характеристике при								EК const E0.
Изменению	параметра		IБ от значения					I Б2 IБ0 до IБ3	соответствует

изменение напряжения база-эмиттер dU_БЭ при E_К const E₀.