- •1. Основные параметры и характеристики усилителей
- •1.1. Понятие усилительного устройства
- •1.2. Основные характеристики уу
- •1.3. Классификация усилителей
- •1.4. Обобщенная структурная схема уу
- •2.2. Влияние отрицательной обратной связи на параметры и
- •3.1. Схемы включения транзистора
- •3.2. Статические характеристики транзистора
- •3.3. Определение нч y-параметров по статическим характеристикам
- •3.4. Нагрузочные характеристики и оптимизация выбора рабочей точки по
- •4.1. Усилитель класса a
- •4.2. Усилитель класса в
- •4.3. Усилитель класса ав
- •4.4. Усилитель класса с
- •5.1. Методы термостабилизации положения рабочей точки транзистора
- •5.5. Составные транзисторы
- •6. Каскады предварительного усиления
- •7. Особенности расчёта резистивного каскада на биполярном транзисторе
- •8. Усилительные каскады с коррекцией
- •8.1. Индуктивная вч коррекция
- •8.2. Вч коррекция с использованием частотно-зависимой оос
- •8.3. Нч коррекция
- •9.2. Регулировка частотной характеристики усилителя
- •10. Шумы многокаскадного усилителя
- •10.1. Оптимальный выбор транзистора
- •10.2. Оптимальный выбор рабочей точки
- •10.3. Оптимальное согласование по шумам
- •11. Усилители, охваченные 100% оос
- •11.1. Истоковый повторитель
- •11.2. Эмиттерный повторитель
- •12. Оконечные каскады и усилители мощности
- •12.2. Двухтактные усилители мощности
- •13. Усилители постоянного тока
- •13.1. Упт с гальванической связью между каскадами
- •13.3. Усилитель постоянного тока типа модулятор-демодулятор (мдм)
- •13.4. Усилители с автоматической коррекцией нуля
- •14. Операционные усилители и их применение
- •14.1. Основные схемы включения операционных усилителей
5.5. Составные транзисторы
Составными называются транзисторы, которые представляют собой одно или более соединений простых транзисторов.
Схема в виде соединения двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ
(рис.5.14).
Рис.5.14. Схема составного транзистора
Эмиттерный ток первого транзистора не должен превышать базовый ток второго транзистора – I Э VT 1 IБVT2 .
62
В результате такого соединения транзисторов получаем входное
сопротивление и крутизну составного транзистора:
-
h11э h11эVT 1 h11эVT 2
h11 эVT 1 h11эVT2,
(5.12)
h21 h21 эVT 1 h21 эVT 2
h21 эVT 1 h21эVT2,
(5.13)
где 1 h21эVT1.
Схема на рис.5.14 позволяет увеличить коэффициент усиления каскада и его входное сопротивление.
Каскодная схема – это соединение двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ и ОБ (рис.5.15).
Рис.5.15. Каскодная схема
Входное сопротивление, крутизна такого составного транзистора такие же как у VT1 – S СТ SVT1 и Y11СТ Y11 VT1. За счёт использования включения VT2
по схеме ОБ в области ВЧ повышается устойчивость коэффициента усиления (у
любого транзистора крутизна уменьшается с увеличением частоты).
Комбинация ПТ и БТ – это соединение БТ, включенного по схеме ОЭ, и
ПТ, включённого по схеме ОИ (рис.5.16).
Рис.5.16. Комбинация ПТ и БТ
Такие схемы применяют для термостабилизации р.т. каскада, собранного по схеме ОЭ. Термостабилизация осуществляется за счёт компенсации температурного ухода р.т. БТ противоположным по знаку уходом р.т. ПТ, так как сквозная характеристика ПТ имеет область, где с увеличением температуры
63
ток уменьшается. Например, в схеме ОЭ-ОИ компенсация р.т. будет
достигаться только при условии стабильности характеристик обоих
транзисторов.
Контрольные вопросы
Каковы причины нестабильности положения рабочей точки транзистора? а) Старение элементов.
б) Нестабильность источника питания. в) Нестабильность температуры.
г) Все перечисленные.
д) В приведенном списке нет правильного варианта.
На чем основан компенсационный метод термостабилизации? а) На введении в схему термозависимых элементов.
б) На введении дополнительных элементов во входную и выходную цепи усилителя. в) На введении термозависимой обратной связи.
г) На компенсации искажений активного элемента. д) На компенсации изменения напряжения питания.
Что следует сделать для повышения качества термостабилизации рабочей точки в схеме эмиттерной стабилизации?
а) Увеличивать сопротивление базового делителя и обеспечивать неизменность потенциала на эмиттере транзистора.
б) Увеличивать сопротивление в цепи коллектора и обеспечивать неизменность потенциала на базе транзистора.
в) Увеличивать сопротивление в цепи эмиттера и обеспечивать неизменность потенциала на базе транзистора.
г) Уменьшать сопротивление в цепи эмиттера и увеличивать сопротивление базового делителя.
д) Уменьшать сопротивление в цепи коллектора и обеспечивать неизменность потенциала на эмиттере транзистора.
В чем заключаются особенности полевого транзистора (ПТ), по сравнению с биполярным (БТ)? (выбрать все верные варианты).
а) ПТ может работать без специальных цепей, задающих р.т.
б) ПТ имеет большое входное сопротивление по сравнению с БП. в) ПТ имеет малое входное сопротивление по сравнению с БП.
г) Токи ПТ не зависят от температуры, поскольку ПТ управляется напряжением. д) ПТ имеет термостабильную рабочую точку.
Как изменится ток на базе биполярного транзистора при увеличении температуры? а) Увеличится.
б) Уменьшится. в) Не изменится.
64
Какие факторы оказывают влияние на температурное изменение тока стока? а) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ).
б) Изменение удельного сопротивления канала исток-сток.
в) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) в широком диапазоне изменения тока покоя стока и изменение удельного сопротивления канала исток-сток при малых значениях тока покоя стока.
г) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) при малых значениях тока покоя стока и изменение удельного сопротивления канала исток-сток в широком диапазоне изменения тока покоя стока.
д) Тепловое смещение проходных характеристик (как и в БТ) и изменение удельного сопротивления канала исток-сток.
Какие преимущества дает использование составного транзистора в виде соединения двух транзисторов, собранных по схеме с ОЭ?
а) Увеличение крутизны.
б) Увеличение входного сопротивления.
в) Увеличение крутизны, увеличение входного сопротивления. г) Увеличение крутизны, уменьшение входного сопротивления.