9.4. Утончение и полировка сращенных пластин

В обработке сращенных пластин наиболее важным параметром является параметр плоскостности пластин для производства сращенных пластин, используемых для производства сенсоров и в процессах производства КНИ структур и СБИС. Изучение показало, что плоскостность исходных пластин определяет требования к однородности толщин сращиваемых пластин. Еще раз напомним о различии между пластинами в связываемой паре: одна называется опорной пластиной, другая - рабочей пластиной. Рабочая та, которая будет утоняться. Ее механические свойства, прежде всего плоскостность, сильно зависят от параметров опорной пластины. Подчеркивается, что для достижения однородности толщины рабочей пластины механическим и химическим утончением нужна обязательно хорошая плоскопараллельность опорной пластины и малое значение разнотолщинности. Допустимое изменение толщины кремния для рабочей и опорной пластины должно составлять величину менее 2 мкм. В конце обработки рабочей пластины может быть достигнута высокая степень однородности по толщине только в случае высокой однородности толщины опорной пластины. Утоненная рабочая пластина далее подвергается операциям полировки, подробно описанным в [5].

9.5. Микродефекты сращенных структур

Другим важным фактором технологии прямого сращивания пластин является наличие микродефектов, от которых зависит качество изготовляемых приборов. Сосредоточим внимание на рабочей пластине, которая является основой для активных элементов. Концентрация межузельного кислорода [O_i] и кислородных преципитатов в рабочей пластине играет определяющую роль в определении содержания микродефектов в сращенных пластинах. Известно, что преципитаты кислорода удивительным образом улучшают качество пластин посредством геттерирования быстродиффундирующих примесей металлов. Большое количество исследований [5] было посвящено установлению связи между [O_i], преципитатами кислорода, объемными дефектами и микродефектами поверхности. Исследовался также процесс отжига, обязательный для достижения бездефектной поверхности кремния, а также процессы, вызывающие дефекты поверхности, такие как окисление, приводящее к накоплению дефектов. Например, наличие преципитатов кислорода и лишенных кислорода участков (DZ) будут напрямую зависеть от температуры, используемой для сращивания пластин. Связывание двух пластин кремния каждая из которых имеет определенную концентрацию кислорода и свою термическую предысторию, не нарушает плоскость сращивания. Это показано в [5] для двух SiO₂ // SiO₂ сращенных окисленных пластин кремния (Рис.10). Можно увидеть отсутствие линейных дефектов, пересекающих DZ с каждой стороны связывания. В случае, если дефекты связывания присутствуют в виде пустот, вызванных малыми частицами, дефекты будут присутствовать в форме дислокаций, распространяющихся вдоль плоскости скольжения, противоположной направлению сращивания.

10. Радиационные свойства smart-cut структур кни

Приборные слои структур КНИ, получаемые в рамках Smart-cut технологии отличаются от приборных слоев других составных структур КНИ наличием в них радиационных дефектов, вызванных имплантацией ионов водорода [24]. Наряду с дефектами, образованными имплантированными частицами, деформациями приборного слоя на выемках и выпуклостях реально неплоской поверхности опорной пластины, радиационные дефекты определяют также общую плотность дислокаций в приборном слое на уровне 10²310⁴ см^-2. Тщательная очистка пластин перед сращиванием позволяет понизить плотность таких дефектов до 10² см^-2. Шероховатость внешней поверхности приборного слоя после его отщепления от приборной пластины достигает нескольких десятков (20÷40) нанометров. Поэтому первыми разработчиками технологии Smart-cut предусматривалась лёгкая химико-механическая полировка внешней поверхности приборного слоя, в результате которой они доводили шероховатость до R_a=0,15 нм. Уменьшить упомянутую шероховатость можно также лёгким полирующим травлением, окислением, термообработкой в водороде.

Неоднородность толщины приборного слоя определяется, в основном, нестабильностью и неоднородностью энергии имплантируемых ионов водорода и изменениями угла их падения на поверхность приборной пластины при воздействии пучком. Современные имплантеры позволяют изготавливать структуры с неоднородностью толщины приборного слоя на уровне 25%. Параметры изолирующего диэлектрического слоя: 1) толщина,0,10,5 мкм; 2) неоднородность толщины, 10%; 3) электрическая прочность, 5 МВ/см; 4) плотность распределения заряда в диэлектрике (определяется несколькими “дефектами” структуры диэлектрика - двуокиси кремния [20,21]: - Е_^‘ и ЕР центры, возникающие при инжекции дырок в диэлектрик; считается, что Е_^‘ центр является структурой О₃Si, к которой присоединён неспаренный электрон; природа ЕР центра не ясна; полагают, что за него ответственна свободная связь атома Si в вакансии кислорода); общая плотность распределения обоих типов дефектов составляет около 510¹² см^-2; эти центры захватывают инжектируемые в диэлектрик дырки и образуют объёмный положительный заряд; дефекты такого рода характерны для термического окисла; - центры Е^’, имеющие структуру HO₂Si^, образовавшиеся в результате захвата атомов водорода кислородными вакансиями; эти центры доминируют в составных структурах КНИ; - центры, аналогичные центрам Е^’, МеО₂Si^, образовавшиеся в результате захвата щелочного металла Ме, попадающего в структуру как загрязнение. Как известно, водород из двуокиси кремния удаляют обработкой структур в сухом кислороде, в вакууме или пропусканием через неё электрического тока, а щелочные металлы - высокотемпературной (10001200С) термообработкой структур в хлорсодержащей среде (хлоре. хлористом водороде, смеси трихлорэтилена) и кислороде. Загрязняющие металлы в структуре образуют дефекты на границах двуокиси кремния с диэлектриком, создавая в этих местах зарядовые состояния. В частности, такая ситуация наблюдается, если составную структуру КНИ получают, сращивая неокисленную кремниевую пластину с окисленной. В этом случае зарядовые состояния образуются в стыке кремния с двуокисью кремния.

Поскольку толщину приборного слоя можно делать практически сколь угодно малой (например, 50 нм), соответственно можно уменьшать и размеры полупроводниковых ИС и солнечных элементов. Уменьшение объёма элементов этих устройств приводит к соответствующему увеличению радиационной стойкости ИС. Например, удаётся более чем на порядок повысить радиационную стойкость по импульсу ИС на основе составных структур КНИ по сравнению с ИС на основе объемного кремния.

Заключение. Построена схема процесса получения структур кремний на диэлектрике (КНИ) (в том числе и тонких слоев кремния на стекле), многослойных структур и тонких монокристаллических слоев кремния, германия, полупроводников и и структур германий на изоляторе, полупроводниках и и др. и определены направления исследований. Установлены ключевые операции процессов: подготовка пластин, сращивания, режимы обработки поверхности и термообработки. Исследованы процессы химико-механической, химической, электрохимической, плазмохимической обработки пластин и структур, а также процессы ионной имплантации и намечены перспективы использования эпитаксиального наращивания. Определены режимы обработок. Проведенные исследования подтвердили перспективность выбранного направления и позволили определить необходимые методы контроля параметров структур.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Stengl R, Tan T, Gosele U. A model for the silicon wafer bonding process // Japan J. Appl. Phys. 1989. V. 28. № 10. P 1735-1741.

2. Maszara W.P.,Goetz G., Cavigilia A. Mc.Kitterick J.B. Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator // J. Appl. Phys. 1986. V.64. № 10. P.1943 - 1950.

3. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества. Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

4. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

5. Sensor Technology Devices . Ed. Ljubisa Rustic. Boston - London: Artech House, 1994. P. 157-201.

6. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

7. Прокопьев Е.П., Петров С.В. Модель сращивания пластин кремния по данным газовыделения. М., 1996. С.103-112. - Деп. в ЦНИИ «Электроника». Р-5502.

8. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния.// Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

9. Тимошенков С.П., Прокопьев Е.П., Дягилев В.В. Движение и залечивание пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния// Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

10. Алесковский В.Б. Курс надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Л.: Изд-во Ленгосуниверситета, 1990. 284 с.

11. Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 140 с.

12. Алесковский В.Б. Химия твердых веществ. М.: Высшая школа, 1978. 258 с.

13. Малыгин А.А. Метод молекулярного наслаивания-основа химической нанотехнологии материалов твердотельной электроники// Петербургский журнал электроники. 1996. №1. С.22.

14. Кольцов С.И. Химическое конструирование твердых веществ. Л.: Изд-во ЛТИ им. Ленсовета, 1990. 48 с.

15. Алесковский В.Б. Химия надмолекулярных соединений. Учеб. пособие. Спб: Изд-во С.- Петербург. ун-та, 1996. 256 с.

16. Малыгин А.А. Химическая сборка поверхности твердых тел методом молекулярного наслаивания// Соросовский образовательный журнал. 1998. №7. С.58-63.

17. Tong Q.-Y., Gösele U. A Model of Low-Temperature Wafer Bonding And Its Applications // J. Electrochem. Soc. 1996. Vol.143. №5. P.1773-1779.

18. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определение энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации трещины между поверхностями сращивания (Обзор). Сб. «Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России». 1999. №3. С.45-49.

19. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

20. Tong Q.-Y., Gösele U. Wafer Bonding and Layer Splitting for Microsystem // Adv. Mater. 1999. Vol.11. №17. P.1409-1425.

21. Tong Q.-Y., Gösele U. Semiconductor Wafer Bonding: Science, Technology. Wiley, New York. 1988. 326 p.

22. Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

23. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

24. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

25. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

26. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

27. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

28. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

29. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

30. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г..Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

31. А.Ф.Буренков и др. Пространственное распределение энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат, 1985. 248 с

32. П.А. Александров и др. // Труды IX Межнационального совещания "Радиационная физика твердого тела". Севастополь, (28.06-03.07) 1999. М.: Наука, 1999. Т.l, с.330.

33. П..А. Александров и др. // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Сер. Физика твердого тела. Вып.2. По материалам IV Всероссийского семинара "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Н.Новгород (9-11).06.1998. Сборник докладов.. Н.Новгород: Изд-во Нижегородского Университета, 1998. С.17.

34. Колобов Н.А., Самохвалов М.М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия, 1975. С.228-233.

35. Николис Г., Пригожин И. Самоорганизация в неравновесных системах. М.: Мир, 1979. 517 с.

36. Хакен Г. Синергетика. Мир, 1980. 404 с.

37. Прокопьев Е.П. // Письма в ЖТФ. 1992. Т.18. Вып.18. С.80-84.

38. Прокопьев Е.П. // Журнал прикладной химии. 1993. Т.66. Вып.6. С.1242-1245.

Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе

В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин

Реферат

Smart-cut технология (относящаяся к технологиям газового скалывания в процессе термообработки, основанных на контролируемых использованиях следующих основных процессов: создание с помощью ионной имплантации микроскопических об`емных дефектов, содержащих водород; трансформация этих созданных дефектов посредством термообработок; скалывание тонкого слоя материала подложки по системам таких дефектов по всей площади пластины) .получения кремний на изоляторе (структур КНИ (в том числе тонких слоев кремния на стекле)) и структур германий на кремнии, изоляторе, арсениде галлия, на кремнии и изоляторе и др. находит широкое применение в разработке и производстве новой элементной базы микроэлектроники и наноэлектроники, специальных радиационно- и термостойких ИС, различного рода сенсоров и датчиков и высококачественных солнечных батарей на основе монокристаллического кремния. Ниже предлагается физико-химическая модель сращивания гидратированных (гидроксилированных) поверхностей двух пластин кремния и пластин кремния и германия и других веществ. Для очистки и получения поверхности пластин кремния и германия с заданным химическим составом, их активирования и модифицирования предлагается использовать термообработку поверхности во влажных условиях (включая и возможность химической сборки поверхности) и smart-cut технологию. Известно, что группы и, полученные методом молекулярного наслаивания, полимеризуются при низких температурах с образованием сильных ковалентных,исвязей. Основываясь на этом явлении, предложены модифицированные модель и технология связывания гидрофильных пластин кремния и пластин кремния и германия, которая позволяет увеличить прочность связывания при низких температурах отжига. Рассмотрены различные технологические стадии и схема процесса производства структур КНИ и структур германий на кремнии и изоляторе, а также структур на кремнии и изоляторе с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Проведенные нами успешные эксперименты по сращиванию окисленных поверхностей кремния и германия подтвердили выводы рассмотренной модели и модифицированной smart-cut технологии .

Подписи к рисункам в статье «Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе».

Авторы В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин

Рис.1 Прямое связывание пластин кремния с использованием метода сращивания во влажных условиях и технологии отслаивания при получении КНИ структур.

Рис.2 Физико-химическая модель сращивания стандартных пластин кремния.

Рис.3 Прямое связывание двух окисленных пластин кремния с гидроксильными группами на их поверхности (пластины А и В).

Общий список работ

1. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Зотов. Модель осаждения кремния в проточном газоэпитаксиальном реакторе. Петербургский журнал электроники. 1998. №2. С.17-21.

2. Е.П.Прокопьев, В.В.Зотов, С.П.Тимошенков,. Модель осаждения слоев кремния на стенках капилляров и пор из парогазовых смесей. Материаловедение. 1998 .№3. C.2-4.

3. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Исследование плазменного высокочастотного осаждения частиц оксидов с целью получения многокомпонентных стекловидных диэлектрических слоев на подложках кремния . Химия высоких энергий. 1998. Т.32. №6. С.475-477.

4. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. ВЧИ плазменный метод получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Техника машиностроения. 1999. №1. С.48-50.

5. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния. Материаловедение. 1999. №5. С.43-45.

6. С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Особенности термической обработки частиц BaO, SiO₂, Al₂O₃ в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Материаловедение. 1999. № 1. С.54-56.

7. В.З.Петрова, С.П.Тимошенков Е.П.Прокопьев. Эксперимент: синтез диэлектрических порошков SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в плазме. Петербургский журнал электроники. 1999. №1. С.17-23.

8. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, В.В.Дягилев. О движении и залечивании пор и полостей вблизи границы сращивания стандартных пластин кремния. Известия вузов. Электроника. 1998. №5. С.39-44.

9. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Осаждение материалов на стенках пор и капилляров из паро-газовых смесей. Теоретические основы химической технологии. 2001. Т.35. № 1. С.80-84.

10. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Возможность прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Материаловедение. 1999. №4. С.49-51.

11. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Исследование плазменного процесса получения сплошных стекловидных диэлектрических слоев на поверхности подложек кремния. Химия высоких энергий. 1999. Т.33. №6. С.471-475.

12. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Обработка твердых частиц оксидных материалов в воздушной и аргон-кислородной высокочастотной индукционной плазме. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №2. С.18-20.

13. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. М.: Ред.-изд. отдел МИЭТ (ТУ), 1999. 176 с.

14. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания. Материаловедение. 2000. №8. С.25-28.

15. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации (вскрытия) трещины между поверхностями сращивания (обзор). Сб. “Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.45-49.

16. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Некоторые вопросы теории сращивания стандартных пластин кремния. Сб. “Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России”. 1999. №3. С.35-44.

17. В.З.Петрова , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Термическая обработка частиц SiO₂, Al₂O₃, BaO в воздушной и аргон-кислородной ВЧИ плазме. Известия вузов. Электроника. 2000. №2. С.12-20.

18. Е.П.Прокопьев, В.И.Графутин С.П.Тимошенков.О возможности использования атома позитрония в проблеме квантовой телепортации. В кн.: Международный научно-технический семинар “Проблемы передачи и обработки информации в сетях и системах телекоммуникаций”. Материалы семинара. Рязань: Изд-во Рязанской государственной радиотехнической академии, 1999. С.138-140.

19. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, , С.П.Тимошенков, В.П.Шантарович. Времена жизни магнитопозитрония в квантовых ямах полупроводниковых сверхструктур GaAs|Al_0,3Ga_0,7As. Химическая физика. 2001. Т.20. №3. С.27-30.

20. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков Моделирование и оптимизация процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов, кремния и диэлектрического стекловидного материала состава SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в высокочастотной индукционной воздушной и аргон-кислородной плазме. Теоретические основы химичеcкой технологии. 1999. В печати.

21. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель прямого низкотемпературного соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания (обзор). Материаловедение. 2001. №1.С.44-52.

22. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения фазовых переходов на поверхности пористого кремния методом позитронной аннигиляции. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.380.

23. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Атом позитрония в пористом кремнии. Международная конференция по ядерной физике. Кластеры в ядерной физике. Совещание по ядерной спектроскопии и структуре атомного ядра. Тезисы докладов Международной конференции. 14-17 июня 2000 г. Санкт-Петербург. Изд-во ПИЯФ РАН. 2000 . С.381.

24. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможный спектр позитронных состояний в пористом кремнии. Физика твердого тела. 2001. Т.43. Вып.8. С.1376-1380.

25. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO₂ - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

26. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в технологии получения КНИ структур. Тезисы докладов Всероссийской конференции с международным участием СЕНСОР-2000. Сенсоры и микросистемы 21-23 июня 2000. Санкт-Петербург.. Изд-во НИИ химии СПбГУ, 2000. С.208.

27. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, В.В.Калугин. Технология КНИ структур. Петербургский журнал электроники. 2000. №1.С.8-25.

28. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А. Дьячков , Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, С.А. Дьячков. Исследование процесса синтеза мелкодисперсных порошков оксидов и диэлектрического стекловидного материала SiO₂ - Al₂O₃ - BaO в высокочастотной воздушной и аргон-кислородной плазме.. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. С.57-68.

29. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Модель фазовых переходов на поверхности пористого кремния по данным метода позитронной аннигиляции. Четвертая международная научная конференции по математическому моделированию. 27 июня - 1 июля 2000. Москва: Изд-во Станкин. 2000. С.37 (Математические модели нелинейных возбуждений, переноса, управления. в конденсированных системах и других средах). Тезисы докладов.

30. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, С.А.Дьячков, В.В.Калугин. Очистка и активация поверхности в методе прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания с целью получения КНИ структур. Оборонный комплекс -научно-техническому прогрессу России. 2000. №3. C.75-84.

31. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков. Особенности процесса прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Химическая технология. 2001 В печати.

32. S.P. Timoshenkov, E.P.Prokopiev. Possibility of silicon wafers bonding with chemical assembling of surface by molecular layers arrangement method. Abstracts on NATO Advanced Research Workshop (NATO ARW). Ukraine. Kyiv (Sanatorium <<Puscha Ozerna>>, October 2 - 5, 2000. C.23,24.

33. . С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. Прямое соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Труды международной научно-технической конференции “Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники”. Пос. Дивногорское, Краснодарский край, Россия, 17-22 сентября. 2000. С.58.

34. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев. О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Тезисы доклада на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

35. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Особенности smart-cut технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания.. Петербургский журнал электроники. 2000. В печати.

36. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Использование химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания в нанотехнологии и инженерии поверхности. Всероссийская научно-техническая конференция “НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ”. 24-25 октября 2000 г. г.Москва. ”МАТИ” - Российский государственный технологический университет им. К.Э.Циолковского. Тезисы докладов.М.: МАТИ, 2000. С.248.

37. С.П.Тимошенков, В.И. Графутин, С.А.Дьячков Е.П.Прокопьев. Моделирование и оптимизация ВЧИ плазменного метода получения многокомпонентных диэлектрических слоев на подложках кремния. Всероссийская научная конференция “Математическое моделирование в научных исследованиях”. Тезисы докладов. 27-30 сентября 2000 г. Ставрополь. Ставропольский государственный университет. С.53.

38. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев, А.Л.Суворов, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков, Ю.А.Чаплыгин, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Получение КНИ структур с использованием методов химической сборки поверхности и газового скалывания. Журнал прикладной химии. 2000. В печати.

39. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков,. С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Возможности наблюдения позитронных состояний на поверхности пористого кремния. Украинский физический журнал. 2001. Т.46. № 8. С.870-877.

40. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, Б.Ю.Шарков, А.Г.Залужный, В.И.Графутин, М.А.Козодаев. Особенности технологии изготовления КНИ структур прямым сращиванием пластин кремния и контроля их качества // Препринт ИТЭФ 24 - 00. M., 2000. 20 с.

41. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, А.Г.Залужный, В.В.Калугин, Е.П.Прокопьев, В.Ф.Реутов, Б.Ю.Шарков. Анализ преимуществ, перспектив применений и технологий производства структур КНИ. Препринт ИТЭФ 27 – 00. М., 2000. 51 с.

42. Е.П.Прокопьев. Позитронные состояния в реальных кристаллах кремния. Украинский физический журнал. 2000. Т.45. №7. С.881-884.

43. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы специального назначения. Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 71 с.

44. S.P.Timoshenkov, A.L.Suvorov, V.F.Reutov, V.I.Grafutin, E.P.Prokop`ev. Production of thin plates, membranes and silicon on insulator structures by direct splicing of wafers of silicon by proton implantation. 7-я научная и деловая конференция по технологии кремния, фотогальванике и оптике ИК-диапазона. Рожнов-под-Радгостем, Чешская республика, 7-10 ноября 2000 г. В печати.

45. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ с использованием методов химической сборки поверхности. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.22, 23.

46. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Радиационные свойства smart-cut структур КНИ. НАУЧНАЯ СЕССИЯ МИФИ-2001 года. СБОРНИК НАУЧНЫХ ТРУДОВ. ТОМ 9. М.: МИФИ, 2001. C.24, 25.

47. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, П.В.Крамер, С.А.Гаврилов, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Позитронные состояния и фазовые переходы в пористом кремнии. Химическая физика. 2000. В печати.

48. В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков, Г.Г.Мясищева, Ю.В.Фунтиков. Исследование дефектов в SiO₂ - Si методом позитронной аннигиляционной спектроскопии. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.142.

49. С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, С.А.Дьячков, Е.П.Прокопьев О возможности прямого соединения пластин кремния с использованием химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания. Доклад на 3-ей Международной научно-технической конференции “Электроника и информатика - XXI век”. Москва: МГИЭТ (ТУ), 2000. С.201.

50. В.И.Графутин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, В.Г.Фирсов, Ю.В.Фунтиков. Особенности процесса аннигиляции позитронов в водных растворах солей галогенидов щелочных металлов. Химия высоких энергий. 2000. Т.34. №6. С.460-466.

53. В.И.Графутин, В.Л.Гришкин, О.В.Илюхина, Г.Г.Мясищева, Е.П.Прокопьев, Ю.В.Фунтиков. Захват позитронов ионами галогенов: Эффективные заряды ионов. Химическая физика. 2000. Т.19. №4. С.36-40.

51. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев и др. Теоретические и экспериментальные исследования процессов формиирования многослойных структур КНИ с целью создания нового поколения радиационностойкой элементной базы военного назначения (Этап II). № гос. Регистрации 01200008756.Отчет МГИЭТ (ТУ). Москва, 2000. 83 с.

52. А.Л.Суворов, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев Физико-химическая теория smart-cut технологий структур КНИ. Тезисы докладов XV Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью - 2001».(ВИП-2001) (27 – 31 августа) 2001 г. Звенигород..2000. М.: МАИ, 2001 Том. С.202-204.

53. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. I. Технологический маршрут, физико-химические основы smart-cut технологий и особенности процессов сращивания.Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

54. С.П.Тимошенков, А.Л.Суворов, В.З.Петрова, В.И.Графутин, Е.П.Прокопьев, П.В. Крамер. Исследование процесса сращивания стандартных пластин кремния по данным выделения паров воды с использованием метода молекулярного наслаивания. II. Технология процессов обработки структур КНИ. Оборонный комплекс-научно-техническому прогрессу России. 2000. В печати.

55. А.Л.Суворов, Ю.А.Чаплыгин, С.П.Тимошенков, В.И.Графутин, П.В.Крамер,А.Г.Залужный, Е.П.Прокопьев, Б.Ю.Шарков. Smart-cut технология получения структур КНИ. В кн.: ВОДОРОДНАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ. ТРУДЫ Третьей Международной Конференции «ВОМ-2001». Украина. Донецк. 14 – 18 мая 2001 г. Ч.1,2. Донецк – 2001. С.262-264.

56. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Соединение протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.157,158.

57. С.П.Тимошенков, Е.П.Прокопьев. Возможность соединения протонированных пластин кремния с гидрофильными подложками с целью получения монокристаллических слоев кремния для производства солнечных элементов. «МАТЕРИАЛЫ И ТЕХНОЛОГИИ XXI ВЕКА». Сборник материалов Всероссийской научно-технической конференции.Ч.Ш. Пенза, 2001. C.54-56.

58. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. Obtaining of thin single-crystal silicon layers for production of solar cells by the smart-cut technology. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.144,145.

59. Е.П.Прокопьев, С.П.Тимошенков .Использование тонких монокристаллических слоев кремния, получаемых связыванием пластин, для производства полупроводниковых приборов, ИС, сенсоров и микромеханических устройств. Тезисы доклада Пятого Международного семинара «Российские технологии для индустрии». «Нетрадиационные и возобновляемые источники энергии» (из цикла «Результаты фундаментальных исследований для инвестиций). (28-30) мая 2001 г., С.Петербург. Научно-исследовательский центр ФТИ им.А.Ф.Иоффе, С.Петербург. С.146,147.

60. Timoshenkov S.P., Prokop'ev E.P. The thin silicon single-crystalline layers fabricated by bonding of wafers for production of semiconductor devices, ULSI, sensors, micromecanical devices. Russian technologies for industry. RENEWABLE ENERGY. ABSTRACTS. May 28-30, 2001. Saint-Petersburg., Russia. (“Results of Fundamental Research for Investments”). P.133,134.