- •Технология сращивания протонированных пластин кремния с поверхностью гидрофильных подложек с целью получения структур кремний на изоляторе
- •Содержание
- •Введение
- •Преимущества структур кни перед структурами на основе объемного кремния
- •Перспективы применения структур "кремний на изоляторе" (кни)
- •2. Экспериментальные данные по очистке и окислению стандартных пластин кремния
- •2.1 Очистка пластин кремния в процессах полупроводникового производства
- •2.2 Окисление пластин кремния и германия
- •2.3. Процесс окисления кремния в структурах кни
- •2.4. Синергетический подход к процессу окисления
- •Вводя обозначения
- •2.5. Возможность синергетического подхода к эволюции свойств структур кни
- •3. Теоретическое обоснование метода протонирования стандартных пластин
- •4. Физико-химические основы smurt-cut технологий
- •4.1.Стадия ядрообразования
- •Стадия роста
- •4.3. Стадия слипания
- •4.4. Отщепление
- •7. Технология гёзеля-тонга связывания гидрофильных пластин во влажных условиях (включая возможность использования химической сборки поверхности методом молекулярного наслаивания)
- •8. Экспериментальные данные по технологИи газового скалывания получения структур кни c использованием методов термообработки поверхности во влажных условиях
- •9. Рассмотрение технологии процессов обработки
- •Поры для случая SiO2// SiO2 связывания пластин
- •Состояние сращенных пластин
- •9.3. Плоскостность пластин
- •9.4. Утончение и полировка сращенных пластин
- •9.5. Микродефекты сращенных структур
- •10. Радиационные свойства smart-cut структур кни
- •E.P. Prokop'ev, s.P.Timoshenkov. Possible synergetic approach to problem of silicon oxidation. Abstracts of Int. Conf. On Thin Films (12 th). Bratislava, Slovakia. 01.09.02 – 06.09.02. В печати.
Состояние сращенных пластин
В дополнение к самому сращиванию наиболее важным аспектом в технологии производства КНИ структур является получение монокристаллического слоя кремния заданной толщины методом утончения. Утончение обычно проводится на пластине, называемой рабочей пластиной (она используется для создания активных элементов). Вторая пластина сращенной пары называется опорной пластиной. Обе пластины играют важную роль в состоянии сращенных пластин. В этом разделе рассматривается ключевой фактор процесса утончения.
Утончение обычно начинается с операции шлифовки, при которой толщина активной пластины уменьшается до нескольких микрометров требуемой конечной толщины. После этого пластины химически травятся для удаления повреждений, внесенных операцией шлифовки. В заключение пластины полируются до требуемой окончательной толщины. Отметим, что утончение заканчивается без значительных изменений плоскостности срощенных структур. При чистой механической полировке кремния, такой как полировка алмазом, может сохраняться высокая степень плоскостности и параллельности пластин. Однако она может приводить к повреждению поверхности, недопустимому в кремниевой технологии. Поэтому алмазная полировка была заменена специальной полировкой [5], в которой используют густую смесь коллоидной кремниевой суспензии в растворе гидроокиси натрия, перекиси водорода и воды. Эта полировка дает свободную от повреждений поверхность кремния, необходимую для производства приборов. Понимание проблемы утончения связано с рассмотрением основных параметров, используемых для характеристик плоскостности. Поэтому вначале рассмотрим параметры плоскостности, а затем обсудим сам процесс утончения.
9.3. Плоскостность пластин
Связываемые поверхности двух пластин никогда не бывают совершенно плоскими. Локальные несвязываемые области могут возникать за счет щелей на границе связывания, вызываемых волнистостью связываемых поверхностей. Плоскостность, неоднородность или волнистость являются фундаментальными и макроскопическими свойствами связываемых поверхностей. Пластины с достаточно гладкими (ровными) поверхностями, но имеющими определенную степень волнистости могут все же связываться между собой, так как упругая деформация двух связываемых пластин может аккумулировать этот масштаб поверхностной волнистости (волнообразности). Результирующие напряжения на поверхности связывания составляют величину порядка 1107 Н/м2, которая намного меньше, чем напряжения, требуемые для зарождения дислокаций и пластической деформации кремния (2,5109 Н/м2), и не должны воздействовать на структурные свойства пластин кремния связываемых пар.
Связываются ли пластины или нет зависит не только от энергии связи при комнатной температуре, но также от высотыи размеращелей на границе связывния. Приусловие для закрытия щели дается выражением [20,21]
(80)
где (, Е – соответственно, соотношение Пуассона и модуль Юнга для кремния). Приусловие для закрытия щели не зависит от толщины пластиныи дается формулой
(81)
В работах [20,21] показаны участки закрытия щели или ее незакрытия для двух пластин кремния равной толщины при выбранной величине= 100 мДж/м2 для различных величин . Для реальных структурированных пластин в уравнениях (80) и (81)нужно заменить на, гдеесть отношение между реальным пространством границы раздела в контакте и полным пространством пластины. Практически изменение плоскостности в 1-3 мкм на пластине кремния диаметром 100 мм не препятствует связыванию при комнатной температуре. Прогиб и коробление пластин до 25 мкм также несущественно.
Плоскостность пластин обычно определяется следующими параметрами [5]: полным изменением толщины, отклонением от центральной плоскости, локальной неплоскостностью и прогибом.
Современное оборудование позволяет измерять эти параметры посредством сканирования поверхности с помощью оптических (интерфереционных) и емкостных методов, дающих ее трехмерную топографическую картину.