Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Учебное пособие по АТ89С51 изд.вариант 2010-54.doc
Скачиваний:
86
Добавлен:
19.11.2019
Размер:
865.22 Кб
Скачать
      1. Подключение erom и eram к микроконтроллеру

На рисунке 1.5 приведена типовая схема подключения EROM и ERAM к микроконтроллеру, на рисунках 1.6, 1.7, 1.8 – временные диаграммы сигналов при чтении байта из EROM, ERAM и записи байта в ERAM соответственно.

Рисунок 1.5 – Типовая схема подключения EROM и ERAM

Рисунок 1.6 – Чтение байта из EROM

Рисунок 1.7 – Чтение байта из ERAM

Рисунок 1.8 – Запись байта в ERAM

В таблице 1.3 приведены значения параметров, указанных на временных диаграммах.

Таблица 1.3 – Значения параметров, указанных на временных диаграммах

Fosc, Мгц

Чтение из EROM

Чтение из ERAM

Запись в ERAM

Trd max, нс

Trd max, нс

Twr min, нс

12

312

585

400

16–24

5Tosc–55

9Tosc–165

6Tosc–100

Параллельные порты ввода-вывода P0 и P2 при подключении к микроконтроллеру внешней памяти (EROM и ERAM) используются для выдачи шестнадцатиразрядного кода адреса, а порт Р0, кроме того, для выдачи и приема байтов данных. Младший байт кода адреса (A0–A7) выдается через порт Р0 и запоминается во внешнем регистре. Запись кода во внешний регистр выполняется при высоком уровне сигнала на выходе ALE. Старший байт кода адреса (А8–А15) выдается через порт Р2 и удерживается на выводах порта Р2 в течение всего времени обращения к внешней памяти.

Чтение байта из EROM происходит при низком уровне сигнала на выходе PSEN, чтение байта из ERAM – при низком уровне сигнала RD на выходе порта Р3.7, а запись байта в ERAM – при низком уровне сигнала WR на выходе порта Р3.6.

Контрольные вопросы

  1. Какова емкость внутреннего ОЗУ микроконтроллера? Какая часть адресов используется только для обращения к ячейкам IRAM? К чему может привести некорректное использование старшей половины адресов?

  1. Что означает понятие «банк регистров»? Каким образом осуществляется выбор активного банка регистров?

  2. Номера регистров какого банка совпадают с адресами ячеек ОЗУ?

  3. К каким ячейкам памяти из старшей половины адресов допускается поразрядное обращение?

  4. Каков принцип работы стека LIFO?

  5. Какой адрес соответствует дну стека при сбросе микроконтроллера?

  6. Изменится ли значение ячейки по адресу 07H при помещении значения в стек сразу же после сброса микроконтроллера?

  7. Что необходимо сделать для безопасного использования всех банков регистров при использовании стека?

  8. К чему приведут загрузка в указатель стека числа 7FH и дальнейшее использование стека?

  9. Для чего необходим регистр RG на рисунке 1.5? Возможно ли программно записать данные в этот регистр, не нарушив обращение к внешней памяти? Почему?

  10. Чем отличается подключение внешних памяти программ и памяти данных?

  11. Возможно ли одновременное подключение ОЗУ и ПЗУ, емкость каждой из которых 64 кБ?

  12. Какая часть адреса удерживается в течение всего цикла обращения к памяти?