- •Электронные приборы методические указания
- •Методческие указания к контрольной работе
- •Выбор варианта контрольного вопроса и задачи
- •Глава 1: «полупроводниковые диоды и стабилитроны»
- •Контрольные задания по данной теме
- •Контрольные вопросы**
- •3. Решить контрольную задачу
- •Исходные данные к задаче №1
- •Задача №2
- •Приложение д1
- •Литература
- •Глава 2: «биполярныи транзистор»
- •Контрольные задания по данной теме
- •Контрольные вопросы
- •Решить контрольную задачу
- •Заданные вольт – амперные характеристики вах1 — вах5 приведены ниже на рисунке 17
- •Приложение бт2
- •Литература
- •Глава 3:
- •Контрольные вопросы
- •З. Решить контрольную задачу
- •Литература
- •Глава 4: «приборы с отрицательным сопротивлением»
- •Литература
- •Тема 5: «Исследование оптоэлектронных приборов».
- •Контрольные вопросы по данной теме.
- •Элементы теории, необходимые для понимания, принципа действия оптоэлектронных приборов.
- •Светодиоды
- •Фоторезистор
- •Основные параметры и характеристики:
- •Фотодиод
- •Оптроны
- •Вольтамперные оптрона
- •Литература
Глава 3:
«ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ»
(в дальнейшем ПТ)
По данной теме нужно изучить следующие вопросы:
1) принцип работы транзисторов с управляющим р-n переходом, параметры, аналитическая связь между ними, определение параметров по характеристикам;
2) принцип работы МДП - транзистора с индуцированным и со встроенным каналами;
3) стоковые и стоко - затворные характеристики ПТ;
4) линейные и нелинейные модели ПТ и их параметры.
КОНТРОЛЬНЫЕ ЗАДАНИЯ ПО ДАННОЙ ТЕМЕ
1. Описать параметры транзистора, тип которого соответствует Вашему заданию (Вашему шифру). Использовать справочную литературу [6],
Перечень вольт амперных характеристик ВАХ и параметров, которые Вам необходимо выписать, приведен ниже.
ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ
- Основные ВАХ (если приведены в справочнике)
Стоковая характеристика: IС = f(UСИ)/ UЗ= const (зависимость тока стока IС от напряжения сток–исток UСИ при постоянном напряжении на затворе UЗ = const
Стоко --- затворная характеристик: IС = f(UЗ)/ UСИ = const - эта характеристика определяет усилительные свойства ПТ, она связывает выходной ток IС и входное управляющее напряжение UЗ при постоянном выходном напряжении UСИ.
Электрические рабочие параметры
Дифференциальные параметры
Основными дифференциальными параметрами ПТ, характеризующими его усилительные свойства, являются:
а)S - крутизна стоко - затворной характеристики - параметр, который определяется по углу наклона стоко - затворной ВАХ в заданной рабочей точке: S = d IС /d UЗ при UСИ = const;
б) rСИ - дифференциальное сопротивление стока: rСИ = d UСИ / d IС при UСИ = const;
в) µ - коэффициент усиления: µ= = d UСИ / d UЗ при IС =const,
(если в справочной литературе приведены ВАХ ПТ, то дифференциальные параметры могут быть определены по этим характеристикам).
Граничные рабочие параметры
IС _НАЧ - начальный ток стока, измеряется при UЗ = О и UСИ ≥ UСИ_Н;
UСИ_Н - напряжение, при котором транзистор переходит в усилительный режим в пологую область ВАХ;
UЗ_ОТС = UЗ = const о - напряжение отсечки, напряжение между затвором и истоком, при котором ток стока достигает заданного минимального значения (практически становится равным нулю, например, на рисунке 19 (П.1,б) - UЗ_ОТС = UЗО = --- 3B).
Максимально допустимые параметры
UСИ МАК- постоянное напряжение сток — исток;
UЗИ МАК- постоянное напряжение затвор — исток;
IС МАК- постоянный ток стока;
РМАК - постоянная рассеиваемая мощность.
Ответить на вопрос из приведенного ниже перечня контрольных вопросов.
Номер вопроса соответствует Вашему заданию (Вашему шифру).
Использовать литературу, методические указания [1, 3] и Приложением к данной теме П3.
Полевые транзисторы
Контрольные вопросы
1. Опишите работу полевого транзистора с затвором в виде р-n - перехода на основе простейшей модели – унитрона.
2. Опишите, какие разновидности транзисторов с затвором в виде р-n - перехода Вам известны? Каковы их особенности?
3. Опишите работу МДП - транзисторов со встроенным каналом.
4. Опишите работу МДП - транзисторов с индуцированным каналом.
5. Нарисуйте выходные и стоко - затворные характеристики полевых транзисторов с затвором в виде р-n - перехода . Поясните характер этих зависимостей
6. Нарисуйте выходные и стоко - затворные характеристики МОП - транзисторов со встроенным каналом. Поясните характер этих зависимостей.
7. Нарисуйте выходные и стоко – затворные характеристики МДП - транзисторов с индуцированным каналом. Поясните характер этих зависимостей.
8. Каковы основные параметры ПТ? Какие из них можно определять по характеристикам ПТ?
9. Нарисуйте эквивалентную схему полевого транзистора и объясните смысл входящих в неё элементов.
10. Сравните по основным параметрам полевые и биполярные транзисторы.
11. Опишите, чем обусловлено широкое применение полевых транзисторов.
12. Опишите, в чём принципиальное различие между ПТ с затвором в виде управляющего
р-n перехода и МДП транзисторами.
ЛИТЕРАТУРА: [1, с.89 - 112]; [2, с.71 - 77]; [З, с.10 - 25] [5,с.З61- 418];