- •Электронные приборы методические указания
- •Методческие указания к контрольной работе
- •Выбор варианта контрольного вопроса и задачи
- •Глава 1: «полупроводниковые диоды и стабилитроны»
- •Контрольные задания по данной теме
- •Контрольные вопросы**
- •3. Решить контрольную задачу
- •Исходные данные к задаче №1
- •Задача №2
- •Приложение д1
- •Литература
- •Глава 2: «биполярныи транзистор»
- •Контрольные задания по данной теме
- •Контрольные вопросы
- •Решить контрольную задачу
- •Заданные вольт – амперные характеристики вах1 — вах5 приведены ниже на рисунке 17
- •Приложение бт2
- •Литература
- •Глава 3:
- •Контрольные вопросы
- •З. Решить контрольную задачу
- •Литература
- •Глава 4: «приборы с отрицательным сопротивлением»
- •Литература
- •Тема 5: «Исследование оптоэлектронных приборов».
- •Контрольные вопросы по данной теме.
- •Элементы теории, необходимые для понимания, принципа действия оптоэлектронных приборов.
- •Светодиоды
- •Фоторезистор
- •Основные параметры и характеристики:
- •Фотодиод
- •Оптроны
- •Вольтамперные оптрона
- •Литература
Оптроны
Элементами оптрона являются рассмотренные выше оптоприборы в микроминиатюрном исполнении, помещённые в общий корпус и предназначенные для преобразования входного тока IВХ в выходной IВЫХ с полным гальваническим разделением (электрической изоляцией) входной и выходной цепи.
Светоизлучающим элементом, как правило, является светоизлучающий диод ИК (инфракрасного) - диапазона или микроминиатюрная лампочка накаливания. В качестве фотоприёмника в оптроне используют фоторезистор, фотодиод, фототранзистор, фототиристор и другие светочувствительные приборы. Основные параметры:
Кi - коэффициент передачи по току, равный отношению приращения выходного тока ∆IВЫ к вызвавшему его приращению входного тока ∆IВХ в заданных режимах: Кi = ∆IВЫХ / ∆IВХ.
У диодньх оптронов - Кi ⇒ (1е – 2 ……..1е – З ) ; у транзисторных и тиристорных - Кi ≥ (10... 100).
UВХ - входное напряжение (на светодиоде 1.5÷2 В ) при заданном входном токе (10÷15 мА);
RИЗ - сопротивление гальванической развязки, RИЗ ≥ 1е9 Ом;
UИЗ_МАК - максимальное напряжение изоляции между входной и выходной цепью, UИЗ_МАК ≥(100...1000 В);
СПР - проходная ёмкость, Сир ≤ 2е-12 Ф;
tНР - время нарастания выходного сигнала - время включения;
tСП - время спада выходного сигнала - время выключения.
Последние три параметра определяют быстродействие оптрона, которое зависит от типа фотоприёмника.
Наиболее быстродействующими являются фотодиодные оптроны (tНР, tСП ≤(10 ... 100 нс)), наиболее инерционными и низкочастотными - фоторезисторные оптроны ( (tНР, tСП ≤(1…100 мс) ); для транзисторных и тиристорных оптронов эти параметры составляют единицы и сотни
микросекунд.
Но каждый из перечисленных приборов обладает своими, присущими ему достоинствами, и каждый тип оптрона находит практическое применение в электронных устройствах. Фоторезисторные оптроны могут работать в качестве коммутаторов цепей переменного тока на напряжения до 250 В; в качестве управляемых резисторов для регулирования коэффициента усиления аналоговых устройств.
Транзисторные оптроны широко используются для приёма электрических сигналов из линий связи.
Тиристорные оптроны передают управляющие сигналы в цепи управления силовыми тиристорами.
Вольтамперные оптрона
Входная характеристика оптрона - зависимость тока от падения напряжения на светодиоде при прямом смещении его перехода, т.е. ВАХ светодиода IВХ = f (U ВХ).
Выходная характеристика - это ВАХ фотоприёмника IВЫХ = f (UВЫХ), её снимают при трех различных значениях тока светоизлучателя оптрона. Передаточной характеристикой диодного оптрона является зависимость IВЫХ = f (IВХ); для резисторного оптрона - зависимость R = f (IВХ).
Исследование оптоэлектронных приборов
Литература
1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: Учебное пособие. — Ростов н/Д: изд - во «Феникс», 2002 (издание третье) — 572 с
.
2.Скаржепа В.А. Электроника и микросхемотехника. Киев Высшая школа, 1989.
3.Исследование оптоэлектронных приборов. Методические указания к лабораторным работам по электронным приборам. Сост: В.И.Лачин, А.К. Малина, Н.Г. Кононенко, Т.П. Кононенко Новочеркасск: НГТУ, 1998. — 27 с.
4. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977.
5.Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т.1. М.: Мир, 1983, 1993.
6.Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справ. М. : Радио и связь, 1990.
7.Основы промышленной электроники / Под ред. А.М. Герасимова М. : Высшая школа,1986.
8.Полупроводниковые приборы. диоды: Справ. М. : Радио и связь, 1990.
9. Оптоэлектронные приборы. Справочник. М. : Радио и связь, 1990.