Заданные вольт – амперные характеристики вах1 — вах5 приведены ниже на рисунке 17

На графиках в единицах измерения параметров: тока, напряжения, времени - буквы

m 10^-3 u 10^-6 n 10^-9 (m —мили; u — микро и т.д.).

ВАХ входные -1

ВАХ выходные —1

Биполярный транзистор

ВАХ входные — 2

ВАХ выходные – 2

ВАХ входные -3

Биполярный транзистор

ВАХ выходные -3

ВАХ входные —4

ВАХ выходные -4

Биполярный транзистор

ВАХ входные — 5

ВАХ выходные — 5

Рисунок 17. Вольтамперные характеристики ВАХ1- ВАХ5

Приложение бт2

1. Построение характеристики управления

Для построения характеристики управления на выходных ВАХ проводят прямую, параллельную оси тока U_KЭ = соnst; (значение U_KЭ берут 5В или 10В). Значения токов I_б, I_k в точках пересечения прямой U_KЭ = соnst с выходными ВАХ и являются исходными данными для построения характеристики.

2.Определение коэффициента передачи тока базы

К оэффициент передачи тока базы следует определять графически по наклону характеристики управления из формулы:

Биполярный транзистор

Рабочая точка для определения h_21Э выбирается на линейном участке характеристики и в соответствии с заданием.

3. Определение входного и выходного сопротивлений

Входные и выходные сопротивления определяются по входным и выходным характеристикам транзистора (в Примере - рис.6):

Сопротивления r_вх , r_вых вычисляют для режимов, соответствующих линейным участкам входных и выходных характеристик и в соответствии с заданием.

4.Определение статических коэффициентов усиления по напряжению и по мощности

Статические коэффициенты усиления по напряжению Кu и по мощности Кр вычисляется по формулам:

K_u = K_i^*( r_ВХ / r_ВХ), K_p = K_i × K_u,

где для схем: ОЭ ----- K_i = h_21э = β;

ОБ ----- K_i = h_21б = α.

5. Для справки приведена схема замещения для транзистора, включённого по схеме ОБ и формулы для определения параметров (методика определения параметров та же, что и схемы ОЭ).

Схема ОБ (рис.8), параметры:

h_21б = α --- определять по выходным ВАХ, построив характеристику управления;

U_{БЭ 0}, r_ВХ = r_э + r_б* (1 - α) --- определять по входным ВАХ;

r_k = r_ВЫХ, r_k0 --- определять по выходным ВАХ;

Следует учитывать то, что внутренние параметры приведённых выше линейных моделей взаимосвязаны следующими соотношениями:

α = β/(β+1); r_k* = r_k /(β+1); r_k0^*= r_k0 (β+1); r_{ВХ 0Б} = r_{ВХ 0Э}/(β+1)

Рисунок 18. Линейная схема замещения транзистора для включения по схеме ОБ

Биполярный транзистор

Литература

1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: Учебное пособие. — Ростов н/Д: изд - во «Феникс», 2000. — 448 с.

2.Скаржепа В.А. Электроника и микросхемотехника. Киев Высшая школа. 1989.

3.Исследование биполярных транзисторов. Методические указания к лабораторным работам по электронным приборам. Сост.: В.И. Лачин, АК. Малина, Н.Г. Кононенко, Т.П. Кононенко Новочеркасск: НГГУ, 1998. —27 с.

4. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем М.: Энергия, 1977.

5.Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т.1. М.: Мир, 1983, 1993.

6.Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справ. М.: Радио и связь, 1990

7.Основы промышленной электроники / Под ред. А.М. Герасимова М. Высшая школа., 1986.

8. Полупроводниковые приборы. Диоды: Справ. М.: Радио и связь, 1990

9. Оптоэлектронные приборы. Справочник. М.: Радио и связь, 1990. НПИ, 1991.