Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
схАЭУ.ч.1.Метод.разраб. по ЛР.doc
Скачиваний:
10
Добавлен:
15.11.2019
Размер:
1.88 Mб
Скачать

9.2. Расчетная часть

Данные для расчета: транзистор 2N3904 (КТ375Б).

Паспортные данные для транзистора:

h21эмин = 50; h21эмах = 280; Ск = 5pF; fгр = 250 Мгц; 300 пс;

Rкэ равно от 40 до 60 Ом ( в режиме насыщения); Ikо = 7,5мА; Rвых транзистора равно от 15 до 30 кОм (собственное, без учета внешних нагрузок).

Внутреннее сопротивление источника сигнала Rг=1,0 кОм, сопротивление нагрузочного резистора Rк в коллекторной цепи транзистора Rк=510 Ом; сопротивления резисторов делителя в цепи базы: Rб1=101 кОм; Rб2=15 кОм.

Требуется рассчитать для усилительного каскада:

- сквозной коэффициент усиления по напряжению;

- входное сопротивление;

- выходное сопротивление;

- верхнюю граничную частоту.

Расчеты провести для каскада без ООС и для каскада с последовательной частотно-независимой ООС по току.

Расчеты производятся в соответствии с методиками, изложенными в литературе, указанной в разделе 3 данной методической разработки.

9.3. Данные для построения логарифмической шкалы:

L, мм – выбранный размер интервала (1-10);

1-2

1-3

1-4

1-5

1-6

1-7

1-8

1-9

1-10

L*0,3

L*0,47

L*0,6

L*0,7

L*0,78

L*0,85

L*0,9

L*0,95

L

10. Приложение №2: «Форма титульного листа для отчета по лабораторной работе

«Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики»

Кафедра радиоприёмных устройств

ОТЧЁТ

ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ № __

По дисциплине «Электроника и схемотехника» по специальности 090106 «Информационная безопасность телекоммуникационных систем» для студентов дневного и заочного факультетов

Часть 1 «Электроника и схемотехника аналоговых устройств»

Отчет выполнили:

студенты гр. ____

________________

________________

Руководитель работы

_________________

Самара

2008 г.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

ИССЛЕДОВАНИЕ широкополосного и импульсного каскадов

1. Цель работы

1. Исследовать влияние режима работы транзистора и сопротивления в цепи коллектора Rк на величину площади усиления П и величину импульсной добротности Д.

2. Исследовать влияние последовательной по входу отрицательной обратной связи по току на величину сквозного коэффициента усиления Кеср, верхнюю граничную частоту fгр, время установления tу, площадь усиления П и импульсную добротность Д.

3. Исследовать влияние высокочастотной эмиттерной коррекции на частотную характеристику в области верхних частот и переходную характеристику в области малых времен.

4. Исследовать влияние низкочастотной коррекции с помощью цепочки Сф, Rф в цепи коллектора на частотную характеристику в области нижних частот и переходную характеристику в области больших времен.