- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
Д
Рис.1 а) базовая схема, б) схема при подаче синфазного сигнала.
ифференциальный усилительный каскад имеет два входа и усиливает разность напряжений приложенных к ним. Если на оба входа подать одинаковое (синфазное) напряжение, то усиление будет чрезвычайно мало. Дифференциальный усилительный каскад не усиливает синфазный сигнал. Дифференциальный каскад состоит из двух транзисторов, эмиттеры которых соединены и подключены к общему резистору Rэ. Для сигнала Uвх1 транзистор VT1 включен по схеме с ОЭ, а VT2 по схеме с ОБ. Для сигнала Uвх2 транзистор VT1 включен по схеме с ОБ, а VT2 по схеме с ОЭ.Предположим, что каскад абсолютно симметричен, т.е. сопротивления резисторов, входящих в каждое плечо и параметры транзисторов VT1 и VT2 одинаковы. В этом случае при равных входных сигналах Uвх1 и Uвх2 токи транзисторов VT1 и VT2 равны между собой, а именно IК1=IК2, IЭ1=IЭ2, IБ1=IБ2. Пусть входные напряжения получат одинаковые приращения разных полярностей 0,5∆Uвх:
В результате ток одного транзистора увеличится на ∆Iк, а другого на столько же уменьшится:
При этом результирующий ток через резистор Rэ останется без изменения. Постоянным будет и падение напряжения на нем Изменения коллекторных токов вызывают изменение напряжений на коллекторах транзисторов. Напряжение Uк1=Eп1 – Iк1Rк уменьшается, что вызывает приращение - DUк1, Напряжение Uк2=Eп1-Iк2Rк возрастает, что создает соответственное приращение напряжения DUк2 .
Сигнал, снимаемый с обоих коллекторов, называют дифференциальным и он будет равен:
Если входное напряжение изменить только на одном входе на ∆Uвх, т.е. , это приведет к изменению тока через соответствующий транзистор. Но увеличение падения напряжения на Rэ приведет к уменьшению разности потенциалов между базой и эмиттером транзистора VT2 и ток его уменьшится, причем изменение тока транзистора VT2 будет таково, что приращения напряжений эмиттер-база обоих транзисторов будут одинаковы. Следовательно при увеличении Uвх1 на ∆Uвх потенциал эмиттера увеличится на ∆Uвх/2, что эквивалентно увеличению тока через резистор Rэ на ∆Iк. При этом приращение напряжения база-эмиттер для VT1 равно ∆Uвх/2, а для транзистора VT2 – ∆Uвх/2. Ток каждого плеча изменится на ∆Iк. Очевидно, что независимо от того как на вход каскада подаются напряжения, токи транзисторов меняются одинаково.
К оэффициент усиления дифференциального каскада при холостом ходе (Rн=¥) определяется как отношение разности выходных напряжений к разности входных:
Коэффициент усиления дифференциального каскада равен коэффициенту усиления каскада с ОЭ, идентичному одному плечу дифференциального каскада.
Выходное сопротивление каскада, если пренебречь сопротивлением коллекторного перехода в 2 раза выше чем у соответствующего каскада с ОЭ: Rвых≈2Rк.
Значения коэфф-та ослабления синфазного сигнала могут достигать несколько тысяч.
Дифференциальные усилительные каскады широко применяют для построения усилителей постоянного тока и логических элементов.