- •1. Определение и классификация электронных приборов.
- •2. Собственная и примесная электропроводность полупроводников.
- •3. Диффузионный и дрейфовый ток.
- •4 . Потенциальный барьер в p – n - переходе. Распределение концентрации электронов и дырок, заряда, напряженности на границе p-n перехода.
- •5 . Электронно-дырочный переход при приложении прямого и обратного напряжения.
- •6. Последовательное и параллельное соединение диодов и тиристоров в мощных преобразовательных установках.
- •7. Варикап, стабилитрон, импульсный, туннельный и лавинный диоды. Принцип действия, характеристики, параметры, области применения.
- •8. Конструкция и параметры выпрямительных диодов силовой электроники.
- •9. Биполярные транзисторы типа p-n-p и n-p-n (принцип действия, характеристики).
- •10. Схемы включения транзисторов и их сравнительный анализ.
- •11. Работа биполярного транзистора в усилительном и ключевом режиме.
- •1 2. Методы температурной стабилизации рабочей точки покоя транзисторного каскада.
- •13. Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, встроенным и индуцированным каналом.
- •15. Биполярный транзистор с изолированным затвором.
- •16. Способы получения p-n переходов в полупроводниковых приборов.
- •17. Принцип действия, конструкция, характеристики тринистора.
- •Характеристики тиристоров.
- •Режимы работы тиристора. Режим обратного запирания.
- •18. Процесс открытия и закрытия триодного тиристора.
- •19. Симметричный и запираемый тиристор (структура, принцип действия, характеристики, область применения).
- •21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
- •22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
- •23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
- •26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
- •25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
- •27. Гибридные и совмещенные интегральные микросхемы.
- •28. Полупроводниковые интегральные микросхемы.
- •29. Операционный усилитель как универсальная аналоговая микросхема (структура, функции).
- •30. Дифференциальный усилительный каскад как составной элемент аналоговой микросхемы.
- •31. Отражатель тока в аналоговых интегральных микросхемах.
- •33. Логические операции: конъюнкция, дизъюнкция, инверсия, реализуемые в цифровых интегральных микросхемах.
- •32 Схемы смещения уровня и Дарлингтона в аналоговых микросхемах.
- •34. Типовые логические элементы дтл, ттл, эсл, иил, кмоптл.
- •36. Параметры и нагрузочная способность цифровых имс.
21. Характеристики и параметры цепи управления тиристоров.
1).
2).
3).
22. Фазосдвигающие устройства для управления тиристорами.
1). Предельный ток -значение прямого тока тиристора при однофазной полупериодной цепи, синусоидальным напряжением цепи и чисто активной нагрузке;
2). ;
3). Амплитудное значение обратного напряжения, которое может выдерживать тиристор в течение длительного промежутка времени( );
4). -амплитудное значение напряжения, которое может быть приложено к тиристору ограниченное число раз;
5). -амплитудное значение обратного синусоидального напряжения, которое прикладывается к тиристору;
6). -падение напряжения на тиристоре, при максимальном токе, который определяет ;
7). -пороговое напряжение;
8). -напряжение включения;
9). -критическая скорость нарастания напряжения;
10). -скорость нарастания предельного тока тиристора;
11). -защитный интеграл(определяет то значение тока, при котором может произойти тепловой пробой);
12). ;
13). ;
14). -мощность, которая может коммутировать тиристор.
23. Параметры силовой цепи мощных тиристоров.
Напряжение включения Uвкл ; постоянный отпирающий ток управляющего электрода Iу.от; импульсный запирающий ток управляющего электрода Iу.э.и; импульсное запирающее напряжение на управляющем электроде Uу.э.и; удерживающий ток Iуд; ток выключения Iвыкл; время включения tвкл; максимально допустимый постоянный запираемый ток Iэ.max. Последний параметр – это наибольший анодный ток, с которого допускаетсязапирание тиристора по управляющему электроду.
26. Тонкопленочные и толстопленочные пленочные имс.
Используется технология нанесения пленок из соответствующих материалов на керамику. В зависимости от вида наносимой пленки принято различать тонкопленочные и толстопленочные ИС. В первом случае толщина пленки не превышает 1 мкм. Пленки наносят путем вакуумного испарения, химического осаждения, катодного распыления и т. д. Удается создать резисторы с R от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы с C от 0,1 пФ до 20 нФ, катушки с L до 2мкГн, а также тонкопленочные транзисторы, аналогичные МОП – приборам. Толщина пленки толстопленочных ИС от 15 до 45 мкм. Получают с помощью шелкотрафаретной технологии, наносят нужный рисунок специальной краской. Удается получить резисторы с R от 10 Ом до 1 МОм, конденсаторы с C до 8 нФ, катушки с L до 4,5 мкГн. Активных элементов с помощью данной технологии не создают.
25. Классификация интегральных микросхем. Пленочные микросхемы.
Интег. микросхемой (ИМС) наз. монолитное изделие, предназн. для исполнения функций заданного каскада или целой системы, компоненты которого соединены м/у собой, и которые нельзя отделить один от другого демонтажными операциями. Различ. аналоговые микросхемы, которые непрерывно отслеживают и воздействуют на сигнал, и цифровые микросхемы, которые дискретно преобразуют и обрабатывают информацию. Микросхемы классифицируют по степени интеграции, которая равна логарифму от числа деталей n, размещенных в одной ИМС: k=lnn. По методу получения различают три вида ИМС:
1. Плёночные;
а) тонкопленочные – с толщиной пленки менее 1 мкм.
б) толстопленочные – с толщиной составляющей порядка 20 мкм.
2. Полупроводниковые
3. гибридные.
Пленочные микросхемы.
Изготавливаются путем нанесения на подложку пленки через трафарет.
Р езистор:выполняют нанесением на подложку пласт, содержащих никель, тантал, хром и т.д. со связующим веществом, имеют прямоугольную конфигурацию. С целью повышения сопротивления резистора его выполняют в виде соединенных др. с др. многочисленных элементарных одинаковых участков Г- образной или П- образной конфигурации. R=10 Ом…1 МОм. l- длина стороны; p - удельное сопротивление материала; b-площадь поперечного сечения; [R]= Ом/∀;
К онденсатор: имеют многослойную структуру и в общем случае образованы двумя электропроводящими пленками, между которыми выполняют слой диэлектрической пленки. Обкладки изготовлены из электропроводящих пленок, содержащих алюминий, тантал, серебро. Диэлектрическую пленку получают из различных оксидов: окиси тантала, двуокиси кремния, моноокиси германия. Емкость составляет C= 10 пФ до 20 нФ. [С]= пФ/∀;
К атушки: изготавливаются путем нанесения токопроводящих пленок на поверхность подложки. Индуктивность L <= 20 мкГн.