- •Ивановский государственный энергетический университет
- •Лекция 1
- •1. Физические основы деформационного упрочнения металлов
- •1.1 Параметры состояние поверхностного слоя деталей машин
- •Субструктура
- •Задание 1.1
- •2.2 Образование и размножений дислокаций
- •Задание 2.1
- •3.2. Физические основы разрушения металлов
- •Задание 3.1
- •4.2.2 Водородное охрупчивание
- •4.2.3 Отличия водородного изнашивания от водородного охрупчивания
- •4.2.4 Методы уменьшения и предупреждения водородного изнашивания
- •4.3 Абразивное изнашивание
- •4.4 Окислительное изнашивание
- •4.5 Изнашивание вследствие пластической деформации
- •4.6 Изнашивание вследствие диспергирования
- •4.7 Изнашивание в результате выкрашивания вновь образуемых структур
- •4.8 Коррозия
- •4.9 Кавитационное изнашивание
- •4.9.1 Гидродинамическое изнашивание
- •4.9.2 Вибрационная кавитация
- •4.10 Эрозионное изнашивание
- •4.11 Схватывание и заедание поверхностей при трении
- •4.12 Изнашивание при фреттинг- коррозии
- •4.13 Трещинообразование на поверхности трения
- •4.13.1 Усталостное изнашивание
- •4.13.2 Трещинообразование термического происхождения
- •4.14 Избирательный перенос при трении
- •4.14.1 Использование избирательного переноса в узлах машин
- •Задание 4.1
- •5.2 Классификация методов отделочно-упрочняющей обработки деталей машин
- •5.2.1 Упрочнение с созданием пленки на поверхности
- •5.2.2 Упрочнение с изменением химического состава поверхностного слоя металла
- •6.2. Расчет глубины деформационного упрочнения поверхностного слоя
- •6.2.1 Расчет приближенного значения накопленной деформации поверхностного слоя
- •Задание 6.1
- •Задание 6.2
- •Лекция 7
- •7. Алмазное выглаживание
- •7.1 Силы, возникающие при алмазном выглаживании
- •7.2 Трение и смазка
- •7.3 Инструменты для выглаживания
- •7.4 Вибровыглаживание
- •Задание 7.1
- •8.2 Азотирование
- •8.3 Термодиффузионное хромирование
- •8.4 Силицирование
- •8.5 Оксидирование
- •8.6 Фосфатирование
- •8.7 Сульфидирование
- •8.8 Гальванические покрытия поверхностей деталей машин
- •8.8.1 Электрическое хромирование
- •8.8.2 Железнение
- •8.9 Электромеханический способ упрочнения детали
- •Задание 8.1
- •9.1 Лазерное упрочнение
- •9.1.1 Лазерная наплавка
- •9.1.2 Лазерное оборудование
- •9.2 Электронно-лучевая обработка
- •9.2.1 Электронно-пучковое оборудование
- •9.3 Методы детонационного и плазменного нанесения покрытий
- •9.3.1 Оборудование для детонационного нанесения покрытия
- •9.3.2 Плазменное поверхностное упрочнение деталей
- •9.3.3 Оборудование для плазменного упрочнения деталей
- •Техническая характеристика установки мпу-4:
- •9.3.4 Технологические варианты плазменного упрочнения деталей
- •Задание 9.1
- •10.2 Ионное распыление
- •10.3 Магнетронное распыление
- •10.4 Ионное осаждение покрытий
- •10.5 Ионно-диффузионное насыщение
- •10.6 Ионное легирование (имплантация)
- •Задание 10.1
- •Задание 10.2
- •Лекция 11
- •11. Магнитное упрочнение деталей машин
- •11.1 Методы магнитной обработки
- •11.2 Сущность магнитной обработки
- •Задание 11.1
- •12.1.1 Выбор материалов для трущихся деталей
- •12.1.2 Выбор материалов при конструировании узлов трения
- •12.1.3 Числовые критерии работоспособности материалов в парах трения
- •12.1.4 Правила сочетания материалов
- •12.1.5 Пористость материала
- •12.1.6 Расположение материалов пар трения по твердости
- •12.1.7 Замена в узлах машин трения скольжения трение качения
- •12.1.8 Учет температурных деформаций детали
- •12.1.9 Способы установки узлов, уменьшающие дополнительные нагружения при монтаже и в эксплуатации
- •12.1.10 Защита рабочих поверхностей пар трения от загрязнения
- •12.2 Методы повышения износостойкости деталей и узлов трения машин в эксплуатации
- •12.2.1 Изменение свойств смазочного материала при эксплуатации
- •12.2.2 Отложения на деталях и в смазочной системе
- •12.2.3 Пенообразование
- •12.2.4 Обкатка машин
- •Задание 12.1
- •Ответ 5.1
- •Ответ 7.3
- •Ответ 11.2
- •Ответ 12.1
- •Ответ 12.2
10.2 Ионное распыление
Ионные распылители разделяют на две группы:
плазмоионные, в которых мишень находится в газоразрядной плазме, создаваемой с помощью тлеющего, дугового и высокочастотного разряда. Распыление происходит в результате бомбардировки мишени ионами, извлекаемыми из плазмы;
автономные источники без фокусировки и с фокусировкой ионных пучков, бомбардирующих мишень.
В наиболее простом случае система распыления состоит из двух электродов, помещенных в вакуумную камеру (рис. 10.1)
Распыляемую мишень из наносимого материала располагают на катоде. На другом электроде на расстоянии в несколько сантиметров от катода, устанавливают детали (подложки).
Камеру вакуумируют, а затем наполняют рабочим газом (чаще всего аргоном) до давления 1,33Па. На электрод с подложки подают отрицательный потенциал, зажигают газоразрядную плазму и бомбардировкой ионами производят очистку их от поверхностных загрязнений. Далее отрицательный потенциал прикладывают к мишени и распыляют ее. Распыляемые частицы движутся через плазму разряда, осаждаются на деталях и образуют покрытие. Большая часть энергии ионов, бомбардирующих мишень (до 25%) переходит в тепло, которое отводится водой, охлаждающей катод.
1- камера; 2- подложкодержатель; 3- детали (подложки); 4- мишень; 5- катод; 6- экран; 7- подвод рабочего газа; 8- источник питания; 9- откачка.
Рис. 10.1 Принципиальная система распыления.
Достоинства:
возможность получения покрытий из тугоплавких металлов, сплавов и химических соединений.
10.3 Магнетронное распыление
Нанесение покрытий в вакууме с помощью магнетронных систем заключается в распылении твердой мишени напыляемого материала ионами инертного газа, образующимися в плазме аномального тлеющего разряда при наложении на него магнитного поля, силовые линии которого ортогонально пересекают силовые линии магнитного поля.
1- катод (мишень); 2- магнитная система; 3- источник питания; 4- анод; 5- траектория движения электрона; 6- зона распыления; 7- силовая линия магнитного поля.
Рис 10.2 Схема магнетронной распылительной системы с плоской мишенью.
Основными элементами магнетрона является катод- мишень, анод и магнитная система (рис.10.2). силовые линии магнитного поля замыкаются между полюсами магнитной системы. Поверхность мишени, расположенная между системами входа и выхода силовых линий магнитного поля, интенсивно распыляется и имеет вид замкнутой дорожки, геометрия которой определяется формой полюсов магнитной системы. При подаче постоянного напряжения между мишенью (отрицательный потенциал) и анодом (положительный потенциал) возникает неоднородное электрическое поле и возбуждается тлеющий разряд. Наличие замкнутого магнитного поля к распыляемой поверхности мишени позволяет локализовать плазму разряда непосредственно у мишени. Эмитированные с катода под действием ионной бомбардировки электроны захватываются магнитным полем, и им сообщается сложное циклоидальное движение по замкнутым траекториям у поверхностей мишени. Электроны оказываются как бы в ловушке, создаваемой с одной стороны магнитным полем, возвращающим их на катод, а с другой стороны- поверхностью мишени, их отталкивающей. Электрон циркулирует в этой ловушке до тех пор, пока не произойдет несколько ионизирующих столкновений с атомами рабочего газа, в результате которых он потеряет полученную от электрического поля энергию. Таким образом, большая часть энергии электрона, прежде чем он попадает на анод, используется на ионизацию и возбуждение, что значительно увеличивает эффективность процесса ионизации и приводит к возрастанию концентрации положительных ионов у поверхности мишени. Это, в свою очередь, приводит к увеличению интенсивности ионной бомбардировки мишени и значительный рост скорости осаждения покрытия.