- •33. Основные типы полупроводниковых диодов.
- •32. Применение полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
- •30. Электронно-дырочный переход при обратном напряжении
- •29. Электронно-дырочный переход при прямом напряжении.
- •28. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
- •27. Диффузия носителей заряда в полупроводниках
- •26. Примесная электропроводность полупроводников.
- •25. Собственная электронная и дырочная электропроводимости
- •20. Мощность в цепи переменного тока. Активная мощность (p) Единица измерения — ватт (w, Вт).
- •Реактивная мощность (q)
- •Полная мощность (s). Единица полной электрической мощности — вольт-ампер (V*a, в*а)
- •19. Резонанс токов в электрических цепях.
- •18. Резонанс напряжений в электрических цепях.
- •17. Цепь переменного тока с параллельным соединением активного, индуктивного и емкостного сопротивлений
- •16. Цепь переменного тока с последовательным соединением активного, индуктивного и емкостного сопротивлений
- •15.Цепь переменного тока с конденсатором.
- •14. Цепи переменного тока с резистивными и ндуктивными эл.
- •13. Выражение физических величин комплексными числами.
- •12. Действующее и среднее значение силы переменного тока.
- •11. Цепи переменного тока.
- •1 Основные понятия, определения и законы
- •2 Схемы электрических цепей их элементы и изображение
- •3 Исследование электрических цепей с использованием законов Кирхгофа
- •4 Расчет методом контурных токов
- •5 Расчет методом наложения
- •7 Метод узловых напряжений
- •8 Расчет методом эквивалентного генератора
28. Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения
Область на границе двух полупроводников с различными типами электропроводности называется электронно-дырочным, или р-п-переходом.
Электронно-дырочный переход обладает свойством несимметричной проводимости, т. е. имеет нелинейное сопротивление. Работа большинства полупроводниковых приборов, применяемых в радиоэлектронике, основана на использовании свойств одного или нескольких р-п-переходов. Рассмотрим физические процессы в таком переходе.
Пусть внешнее напряжение на переходе отсутствует. Так как носители заряда в каждом полупроводнике совершают беспорядочное тепловое движение, т. е. имеются собственные скорости, то происходит их диффузия (проникновение) из одного полупроводника в другой. Носители перемещаются оттуда, где их концентрация велика, туда, где концентрация мала. Таким образом, из полупроводника п-типа в полупроводник р-типа диффундируют электроны, а в обратном направлении из полупроводника р-типа в полупроводник п-типа диффундируют дырки.
В результате диффузии носителей по обе стороны границы раздела двух полупроводников с различным типом электропроводности создаются объемные заряды различных знаков. В области п возникает положительный объемный заряд. Он образован главным образом положительно заряженными атомами до-норной примеси и в небольшой степени пришедшими в эту область дырками. Подобно этому в области р возникает отрицательный объемный заряд, образованный отрицательно заряженными атомами акцепторной примеси и отчасти пришедшими сюда электронами.
Между образовавшимися объемными зарядами возникает так называемая контактная разность потенциалов и электрическое поле.
В р-п-переходе возникает потенциальный барьер, препятствующий диффузионному переходу носителей.
Чем больше концентрация примесей, тем выше концентрация основных носителей и тем большее количество их диффундирует через границу. Плотность объемных зарядов возрастает и увеличивается контактная разность потенциалов, т. е. высота потенциального барьера. При этом толщина р-п-перехода уменьшается.
Одновременно с диффузным перемещением основных носителей через границу происходит и обратное перемещение носителей под действием электрического поля контактной разности потенциалов. Это поле перемещает дырки из п-области обратно в р-область и электроны из р-области обратно в п-область. При определенной температуре р-п-переход находится в состоянии динамического равновесия. Каждую секунду через границу в противоположных направлениях диффундирует определенное количество электронов и дырок, а под действием поля такое же их количество дрейфует в обратном направлении.
Перемещение носителей за счет диффузии является диффузионным током, а движение носителей под действием поля представляет собой ток проводимости. При динамическом равновесии перехода эти токи равны и противоположны по направлению. Поэтому полный ток через переход равен нулю, что и должно быть при отсутствии внешнего напряжения. Каждый из токов имеет электронную и дырочную составляющие. Величины этих составляющих различны, так как они зависят от концентрации и подвижности носителей. Высота потенциального барьера всегда автоматически устанавливается именно такой, при которой наступает равновесие, т. е. диффузионный ток и ток проводимости взаимно компенсируют друг друга.