- •Введение. Поверхность.
- •Введение.
- •Поверхность.
- •Раздел 1. Взаимодействие электронов с поверхностью твердых тел.
- •1.1. Генерация электронных потоков.
- •1.2 Процессы при взаимодействии электронов с поверхностью твердого тела.
- •1.2.8.3. Истинно вторичные электроны.
- •1.3. Применение процессов взаимодействия электронов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 2. Взаимодействие атомов, молекул и радикалов с поверхностью твердых тел.
- •2.1. Источники потоков атомов, молекул и радикалов (нч).
- •2.2. Процессы при взаимодействии атомов, молекул и радикалов с поверхностью.
- •2.3. Применение процессов взаимодействия нч с поверхностью
- •Раздел 3.Взаимодействие ионов с поверхностью твердого тела
- •3.1. Источники ионных потоков.
- •3.2. Процессы при взаимодействии ионов с поверхность твердого тела.
- •3.3. Применение процессов взаимодействия ионов с поверхностью твердых тел.
- •Раздел 4. Взаимодейсвие плазмы с поверхностью.
- •4.1. Общие представления и терминология физики плазмы.
- •4.2. Элементарные процессы в низкотемпературной плазме.
- •4.3. Модели состояния плазмы.
- •4.4. Генераторы плазмы.
- •Тлеющий разряд постоянного тока.
- •4.4.3. Диагностика плазмы
- •Раздел 5.Методы формирования пленочных покрытий.
- •5.1.Термическое нанесение
- •5.2. Химическое осаждение из парогазовой фазы
- •5.3. Плазмохимическое осаждение
- •5.4. Ионно-плазменное(магнетронное) нанесение покрытий
- •5.5.Ионно-лучевое осаждение
- •5.7. Механизм формирования пленки
- •Раздел 6. Методы травления пленок и поверхностей.
- •6.1. Химическое жидкостное травление.
- •6.2. Ионно-плазменные процессы травления
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Факультет радиофизики и электроники
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ИОННО-ФОТОННО-ПЛАЗМЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ В РАДИОЭЛЕКТРОНИКЕ
СОДЕРЖАНИЕ
Введение. Поверхность.
РАЗДЕЛ 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
1.1. ГЕНЕРАЦИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПОТОКОВ.
1.2. ПРОЦЕССЫ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА.
1.3. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
РАЗДЕЛ 2. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ АТОМОВ, МОЛЕКУЛ И РАДИКАЛОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
2.1. ИСТОЧНИКИ ПОТОКОВ АТОМОВ, МОЛЕКУЛ И РАДИКАЛОВ (НЧ).
2.2. ПРОЦЕССЫ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ АТОМОВ, МОЛЕКУЛ И РАДИКАЛОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ.
2.3. ПРИМЕНЕНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НЧ С ПОВЕРХНОСТЬЮ.
РАЗДЕЛ 3. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА.
3.1. ИСТОЧНИКИ ИОННЫХ ПОТОКОВ.
3.2. ПРОЦЕССЫ ПРИ ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬ ТВЕРДОГО ТЕЛА.
3.3 ПРИМЕНЕНИЕ ПРОЦЕССОВ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДЫХ ТЕЛ.
РАЗДЕЛ 4. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ПЛАЗМЫ С ПОВЕРХНОСТЬЮ.
4.1. ОБЩИЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ И ТЕРМИНОЛОГИЯ ФИЗИКИ ПЛАЗМЫ.
4.2. ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПРОЦЕССЫ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ.
4.3. МОДЕЛИ СОСТОЯНИЯ ПЛАЗМЫ.
4.4. ГЕНЕРАТОРЫ ПЛАЗМЫ.
РАЗДЕЛ 5.МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ.
5.1.ТЕРМИЧЕСКОЕ НАНЕСЕНИЕ.
5.2.ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ПАРОГАЗОВОЙ ФАЗЫ.
5.3. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ.
5.4. ИОННО_ПЛАЗМЕННОЕ(МАГНЕТРОННОЕ) НАНЕСЕНИЕ ПОКРЫТИЙ.
5.5. ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ.
5.6. ДРУГИЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНОК.
5.7. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЕНКИ
РАЗДЕЛ 6. МЕТОДЫ ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК И ПОВЕРХНОСТЕЙ.
6.1. ХИМИЧЕСКОЕ ЖИДКОСТНОЕ ТРАВЛЕНИЕ.
6.2. ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ТРАВЛЕНИЯ.
Введение.
Основное внимание курса уделено физике и применению процессов взаимодействия атомных частиц с поверхностью твердых тел, базовым технологическим процессам изготовления ИС и элементов наносистем.
Под атомными частицами имеются в виду электроны, атомы, молекулы, а также частицы, получаемые в результате: а) их взаимодействия (столкновения) между собой при высоких энергиях (температурах); б) воздействия на них излучения и электромагнитных полей. К таким частицам относятся радикалы (части молекулы), а также атомные, молекулярные и радикальные ионы, т.е. ионы, образованные из атомов, молекул и радикалов.
Например, молекула азота N2 может образовывать следующие атомные частицы: два атома азота N; молекулярный ион N2+; два атомных иона N+. Второй пример, молекула аммиака NH3 может образовывать следующие атомные частицы: атомы N и H; атомные ионы N+ и H+; радикалы NH2 и NH; молекулярный ион NH3+; радикальные ионы NH2+ и NH+.
Процессы взаимодействия атомных частиц с поверхностью твердых тел будут рассматриваться в широком диапазоне их кинетических энергий от 0,02 эВ (энергия теплового движения атомных частиц при комнатной температуре) до сотен МэВ.
Поверхность.
Поверхность твердого тела – это граница раздела твердого тела с вакуумом или со средой в другом фазовом состоянии (газ, жидкость, плазма). Структура и физико-химические свойства приповерхностных слоев всегда отличаются от таковых в толще вещества. На практике мы всегда имеем дело с неоднородными (неидеальными) поверхностями.
Виды неоднородности:
Физическая неоднородность – это присутствие на поверхности участков с различной ориентацией кристаллографических плоскостей (поверхность образована из поликристаллического вещества и в пределе это аморфное состояние поверхностного слоя), а также присутствие на поверхности дислокаций, точечных, линейных и объемных дефектов кристаллической решетки.
Химическая неоднородность – это присутствие на поверхности инородных частиц в результате их диффузии из объема вещества или при образовании поверхности. Например, наличие на поверхности Si атомов C и O, которые в том или ином количестве всегда содержаться в кремнии при его получении.
3. Индуцированная неоднородность. Она возникает в результате контакта поверхности с окружающей средой и проявляется в виде адсорбции (прилипания к поверхности) атомных частиц окружающей среды с образованием или нет химических соединений, а также в виде изменения расстояния между атомами в приповерхностном слое
Механическая неоднородность – это микроскопическая неплоскостность, когда размер неровностей значительно превышает межатомное расстояние и намного меньше линейного размера поверхности. Примерами механической неоднородности являются шереховатости поверхности или трещины размером от десятых долей до единиц мкм.
Идеальная поверхность – это поверхность без указанных выше неоднородностей. Максимально приблизиться к идеальной поверхности можно путем скола химически чистого монокристалла вдоль кристаллографической плоскости в высоком вакууме.
Любая из неоднородностей поверхности влияет на ее свойства.