23. Закон зон Вейса. Метод развития зон. Определение символов граней методом сложения.

Элементы симметрии кристаллических структур.

24. Символы направлений. Уравнение Вейса. Определение символов граней методом перекрестного умножения.

Захват примесей кристаллами при их росте. Зональность и секториальность.

25. Основные законы геометрической кристаллографии.

Существуют четыре основных закона геометрической кристаллографии:

1) Закон постоянства симметрии состоит в том, что все кристаллы одного какого-либо вещества, в частности минерала, вне зависимости от их формы (которая может варьировать), имеют одинаковую симметрию.

2) Закон постоянства углов гласит, что углы между соответственными гранями в однотипных сечениях разных кристаллов одного вида (например, одного минерала) всегда равны, независимо от формы и размеров этих граней (разумеется, углы должны быть измерены при одинаковой температуре, дабы исключить влияние неравномерного термического растяжения или сжатия). Поскольку, как упоминалось выше, реальные кристаллы природных минералов часто приобретают в процессе роста искаженную форму (например, из-за различий в скорости роста граней однотипные грани могут иметь разную конфигурацию и величину), углам между гранями в кристаллографии придается более важное значение, чем форме и размерам граней.

Закон постоянства углов между гранями кристаллов был открыт в 1669 году на кристаллах кварца (горного хрусталя) датчанином Н.Стеноном (Нильсом Стенсеном), и с этого открытия по существу началась история научной кристаллографии (хотя в свое время оно не привлекло к себе внимания других ученых и было забыто почти на столетие — вплоть до исследований Роме Делиля и М.В.Ломоносова, относящихся уже ко второй половине XVIH века. Общая формулировка этого закона принадлежит Роме Делилю (1783), фактически заново открывшему его).

3) Закон рациональности отношений параметров ("закон целых чисел"), установленный великим французским кристаллографом Р.-Ж. Гаюи в 1784 году, утверждает, что все грани кристалла отсекают на кристаллографических осях отрезки, длины которых либо бесконечны (если грань параллельна оси), либо же относятся к длинам единичных отрезков (отсекаемых на тех же осях единичной гранью) как небольшие целые числа.

4) Закон зон, сформулированный в 1804 году немецким ученым Х.Вейсом, связывает математической зависимостью положение граней и ребер кристалла, составляющих одну зону (зоной, или поясом в кристаллографии со времен И.Кеплера, т.е. с 1611 года, называется совокупность, или система граней со взаимопараллельными ребрами). Закон зон дает возможность вычислять символы ребер кристалла из индексов смежных граней, входящих в состав зоны.

Электрические свойства кристаллов.