- •6.1 Явище епр. Форма ліній епр. Тонка, надтонка та супер надтонка структура спектрів епр.
- •6.2 Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •6.3 Виды излучения. Явления люминесценции. Механизм люминесценции в твёрдом теле.
- •6.5 Отрицательная температура и отрицательный коэффициент поглощения в твёрдом теле.
- •6,6 Светодиоды и полупроводниковые лазеры на pn-переходе.
- •6.7 Характеристика фотоэлектрических приборов, построенных на использовании внешнего фотоэффекта.
6,6 Светодиоды и полупроводниковые лазеры на pn-переходе.
Свечение в светодиоде относится к явлению электро люмин. Инжекция на р-n переходе возн. в рез. инжекции неосновных носителей заряда.
Электроны инжектируются в p-область, а дырки в n-область. Рекомбинация своб-х электронов и дырок может происходить на примесных уровнях или в рез. рекомбинации свободного эл. и дырки. Излучение св-а явл. спонтанным, кванты света распространяются в разном направлении.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР НА P-N-ПЕРЕХОДЕ.
Энергетический спектр идеального полупроводника состоит из очень широких зон: это валентная зона V и зона проводимости С, разделенные областью запрещенных значений энергии (запрещенной зоной).
Поскольку электроны стремятся перейти из зоны С в зону V (т. е. рекомбинировать с дыркой), то, если поместить такой полупроводник в соответствующий резонатор, можно получить лазерную генерацию. Необходимым условием лазерной генерации должно быть превышение числа вынужденных актов испускания фотонов над числом актов их поглощения.
Чтобы получить лазерную генерацию, две противоположные поверхности полупроводникового образца полируют и делают плоскопараллельными, а две другие оставляют грубо обработанными с тем, чтобы предотвратить генерацию в нежелательных направлениях. Обычно обе рабочие поверхности не имеют отражающих покрытий.
Полупроводниковый лазер не может работать в непрерывном режиме при температурах выше некоторой критической температуры Тс. Повышенные температуры требуют более высокой плотности тока, которая в свою очередь приводит к дальнейшему росту температуры, исключая таким образом возможность получений непрерывного режима генерации. Самые эффективные лазеры имеют очень широкую полосу генерации (>1011Гц)
6.7 Характеристика фотоэлектрических приборов, построенных на использовании внешнего фотоэффекта.
Внеш. фотоэф. – эффект испускания электронов с поверх-ти твёрд. тела при его освещении. Он базируется на 2-х законах:
1.закон Эйнштейна: ;
2.з-н Столетова: , где I – ток, k – чувств-ть, Ф – световой поток. Рассмотрим приборы, постороенные на этом эффекте.
Вакуумный фотодиод.
Фотокатод – материал, который должен обладать малой работой выхода и большим спектральным диапазоном.
Рассмотрим фотокатоды: 1. Кислородо-цезиевый:
В баллон запустили О2 и прогрели: внутр. часть стала Al2O3, внешняя – Al. Добавили Cs.
Спектральная характеристика
1. Сурьмяно-цезиевый фотокатод на металлической подлжке (эквипотенциальный)
Хар-ки фотодиода:
1.Спектральная
1. Частотная хар-ка и ВАХ
2. Световая хар-ка
tgα=k[мА/Лм],
I=kФ,
k – коэф. спектральной чувств-ти; Iт – темновой ток (обусловлен фоновой радиацией, космич. излучением).
Газонаполненный фотодиод. Заполним баллон газом для улучшения хар-к. If мы заполним баллон инертным газом и будем бомбардировать катод, то ток увелич-ся и электроны, бомбардирующие катод, приведут к вторичной эмиссии. Давление выбираем небольшим, чтоб не было тлеющего разряда.
Кус=I2/I1
Рассмотрим сурьмяно-цезиевый фотокатод без металлической подложки:
ФЭУ. , , n – число динодов, α- коэф. фокусировки, .
Недостаток: большие шумы. Чтобы уменьшить шумы, ФЭУохлаждают.