- •6.1 Явище епр. Форма ліній епр. Тонка, надтонка та супер надтонка структура спектрів епр.
- •6.2 Явище ямр. Ямр в рідинах та твердому тілі.
- •6.3 Виды излучения. Явления люминесценции. Механизм люминесценции в твёрдом теле.
- •6.5 Отрицательная температура и отрицательный коэффициент поглощения в твёрдом теле.
- •6,6 Светодиоды и полупроводниковые лазеры на pn-переходе.
- •6.7 Характеристика фотоэлектрических приборов, построенных на использовании внешнего фотоэффекта.
6.5 Отрицательная температура и отрицательный коэффициент поглощения в твёрдом теле.
–I=Ix=(B12N1–B21N2)uhx
Коэффициент поглощения будет иметь вид:
Учитывая, что g1B12=g2B21 получаем
Из распределения Больцмана следует, что
следует, что
Поскольку E2>E1, а в равновесии g1N2<g2N1 то T>0.
Однако если выполняется неравенство
или то Т<0.Инверсия населенности.Методы образования инверсии населенности. Как известно, коэффициент поглощения имеет вид
Из распределения Больцмана следует, что
Поскольку E2>E1, а в равновесии g1N2<g2N1 то T>0.
Однако если выполняется неравенство
или
то Т<0. Таким образом, для того чтобы создать среду с отрицательным поглощением, необходимо осуществить неравновесное состояние, при котором число возбужденных атомов было бы больше числа атомов, находящихся в нормальном, невозбужденном состоянии. Заселенность энергетических уровней атомов, удовлетворяющих данному неравенству, носит название инверсной населенности. Одним из способов получения среды с отрицательным поглощением может явиться создание косвенным путем избытка атомов на более высоком уровне энергии по отношению к более низкому. Такой случай можно осуществить на атомной или молекулярной системе, которая может находиться в трех энергетических состояниях: в нормальном с энергией E0 и двух возбужденных (1 и 2) с энергиями E1 и E2, между которыми возможны спонтанные переходы с вероятностями А20, A21 и A10. В такой системе с помощью поглощаемых квантов света производится заселение возбужденного уровня 2. Селективное заселение уровня получило название оптической накачки. Уровень 1 заселяется только в результате спонтанного перехода 21, и число таких переходов в единицу времени равно A21N2
У меньшение населенности уровня 1 происходит только за счет переходов 10, и число таких переходов в единицу времени будет A10N1. В стационарных условиях количество заселяющих переходов равно числу обратных переходов: A21N2=A10N1.Для получения индуцированного излучения необходима инверсная населенность уровней, т. е. населенность уровня 2 должна быть больше, чем уровня 1. Для рассматриваемой системы инверсная населенность уровней возникнет в том случае, если A21<A10.
Из этого соотношения следует, что уровень 2 за счет перехода 21 должен опустошаться медленнее, чем уровень 1 за счет переходов 10. При таком соотношении вероятностей в состоянии 2 будет накапливаться больше атомов, чем в состоянии 1. Однако для осуществления такого процесса накопления атомов необходимо также, чтобы уровень 2 достаточно медленно опустошался за счет переходов 20, т.е. вероятность перехода из состояния 2 в состояние 0 должна быть мала.