2.2.6. Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам
Для определения h-параметров необходимо задать положение рабочей точки А в семействах входных и выходных характеристик, в которой будут определяться h-параметры. В данной работе h-параметры определяются в точке A при UКЭ(A) = UIIКЭ и IБ(A) = IIIIБ. Значения UIIКЭ и IIIIБ необходимо взять из табл. 2, 3.
Прежде всего необходимо точку А нанести на семейства входных и выходных характеристик и на этой точке построить характеристические треугольники по методике, изложенной в предыдущей работе.
Пример построения характеристических треугольников показан на рис. 4 (а) и (б) в работе «Исследование статических характеристик и определение параметров транзистора в схеме с общей базой».
Параметры h11Э и h12Э определяются по семейству входных характеристик.
;
при
;
;
при
;
;
Параметры h21Э и h22Э определятся по семейству выходных характеристик
при
;
;
;
при
;
3. Содержание отчёта
Отчет о проделанной работе должен содержать:
1. Точное наименование и цель работы.
2. Таблицу основных электрических параметров исследуемого транзистора
3. Схему для снятия характеристик.
4. Таблицы наблюдений
5. Графики входных и выходных характеристик транзистора.
6. Значения h-параметров транзистора, найденные по характеристикам.
7. Краткие выводы.
4. Контрольные вопросы
1) Рассказать о принципе действия транзистора.
2) Нарисовать энергетическую диаграмму транзистора для нормального активного режима.
3) Рассказать о способах включения транзистора в схему.
4) Почему с помощью транзистора можно усиливать электрические сигналы?
5) Изобразить семейство входных характеристик транзистора для схемы с ОЭ, пояснить их ход.
6) Изобразить семейство выходных характеристик транзистора для схемы с ОЭ, пояснить их ход.
7) Что такое коэффициент передачи по току β для схемы с ОЭ, почему он всегда больше единицы?
3) Вывести выражения для низкочастотных h-параметров транзистора для схемы с ОЭ, раскрыть их физический смысл.
9) Как определяются h-параметры по статическим характеристикам?
10) Как влияет температура на ход статических характеристик транзистора в схеме с ОЭ?
11) Почему входное сопротивление транзистора в схеме с ОБ больше, чем в схеме с ОЭ?
12) Каким соотношением связаны токи базы и коллектора в транзисторе, включённом с ОЭ?
13) Если ток базы в транзисторе равен нулю, чему будет равен ток коллектора?
14) Чем определяются частотные свойства транзистора?
15) Почему влияние температуры сказывается сильнее в германиевом транзисторе нежели в кремниевом?
16) Рассказать об условных обозначениях и маркировке транзисторов.
17) Вывести соотношение, связывающее коэффициенты по току α и β.
Литература
1. Дулин В.Н. Электронные приборы. М., Энергия, 1977, стр.278-341
2. Виноградов В.Ю. Основы электронной и полупроводниковой техники М., Энергия,1972,стр.71-140
3. Батушев В.А. Электронные приборы. М., стр;317-330,349-372,
4. Волков В.Т. Исследование статических характеристик и определение параметров транзистора в схеме с общей базой. Лаб. работа B-20-15, РАТИ,1981 (в настоящем сборнике работ).