Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Содержание билетов по физике.docx
Скачиваний:
20
Добавлен:
05.09.2019
Размер:
372.03 Кб
Скачать
  1. Первый закон Ньютона;

  2. Инерциальная система отсчёта.

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Существуют такие системы отсчёта, относительно которых поступательно движущееся тело сохраняет свою скорость постоянной, если на него не действуют другие тела(или действия других компенсируются)

Всякое тело продолжает оставаться в своем состоянии покоя или равномерного прямолинейного движения, пока приложенные силы не заставят его изменить это состояние. Само явление сохранения скорости постоянной называется инерцией.

Инерциальная система отсчета – система, в которой всякое тело бесконечно удалено от других тел и не испытывает ускорения. Она должна быть условно неподвижной или движущейся равномерно и прямолинейно. Неинерциальная система отсчета – система отсчета, которая движется ускоренно относительно какой-то другой, инерциальной системы.

Билет №5 (2)

Электрический ток в полупроводниках:

  1. зависимость сопротивления полупроводников от внешних условий;

  2. собственная проводимость полупроводников;

  3. донорные и акцепторные примеси;

  4. р-н переход;

  5. полупроводниковые диоды.

––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––

Многие вещества не проводят ток так хорошо, как металлы, но в то же время не являются диэлектриками. Одним из отличий полупроводников – то, что при нагревании или освещении их удельное сопротивление не увеличивается, а уменьшается. Но главным их практически применимым свойством оказалась односторонняя проводимость. Вследствие неравномерного распределения энергии теплового движения в кристалле полупроводника некоторые атомы ионизируются. Освободившиеся электроны не могут быть захвачены окружающими атомами, т.к. их валентные связи насыщены. Эти свободные электроны могут перемещаться в металле, создавая электронный ток проводимости. В то же время, атом, с оболочки которого вырвался электрон, становится ионом. Этот ион нейтрализуется за счет захвата атома соседа. В результате такого хаотического перемещения возникает перемещение места с недостающим ионом, что внешне видно как перемещение положительного заряда. Это называется дырочным током проводимости. В идеальном полупроводниковом кристалле ток создается перемещением равного количества свободных электронов и дырок. Такой тип проводимости называется собственной проводимостью. При понижении температуры количество свободных электронов, пропорциональное средней энергии атомов, падает и полупроводник становится похож на диэлектрик. В полупроводник для улучшения проводимости иногда добавляются примеси, которые бывают донорные (увеличивают число электронов без увеличения числа дырок) и акцепторные (увеличивают число дырок без увеличения числа электронов). Полупроводники, где количество электронов превышает количество дырок, называются электронными полупроводниками, или полупроводниками n-типа. Полупроводники, где количество дырок превышает количество электронов, называются дырочными полупроводниками, или полупроводниками р-типа.

Электр-дырочн переходом наз контакт 2 полупров n и р – типов. Суш прямой и обратный переход. Прям перех: такое подкл, когда потенциал полупр р-типа – полож, а n-типа – отриц. Ток через р-n переход осущ осн носит: из области n в область р – электронами, а из области р в область n – дырками. Вследствие этого проводимость всего образца велика, а сопротивл мало.

Обратн переход. Переключим полюсы источн тока. Тогда при той же разн потенциалов сила тока в цепи окажется значит меньше, чем при прямом переходе. Это обусловл следующ: электр через контакт идут теперь из области р в область n, а дырки из области n в область р. Но в полупр р-типа мало свободн электр, а в полупр n-типа мало дырок. Теперь переход через контакт осущ неосн носителями, число кот мало. Вследствие этого проводимость образца оказывается незнач, а сопротивл – больш. Образ так назыв запирающ слой. Полупр диоды использ в соврем техн для выпрямл перемен тока. В полупр диоде используется св-во p-n перехода. На протяжении половины периода, когда потенциал полупров р-типа полож, ток свободн проходит через

р-n переход. В следущ половину периода ток равен нулю. В полупр диоде катодом служит германий, а анодом – индий. Полупр диод имеет целый ряд преимуществ перед электронными двухэлектродными лампами (экономия энергии для получения системой тока, миниатюрность, высокая надежность и большой срок службы). Недостатком полупр диодов явл ограниченный интервал температур, в котором они работают (приблизительно от -70 до +125˚С).

Полупроводниковый диод состоит из p-n перехода, т.е. из двух соединенных полупроводников разного типа проводимости. При соединении происходит диффузия электронов в р-полупроводник. Это приводит к появлению в электронном полупроводнике нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в дырочном – отрицательных ионов акцепторной примеси, захвативших продиффундировавшие электроны. Между двумя слоями возникает электрическое поле. Если на область с электронной проводимостью подать положительный заряд, а на область с дырочной – отрицательный, то запирающее поле усилится, сила тока резко понизится и почти не зависит от напряжения. Такой способ включения называется запирающим, а ток, текущий в диоде – обратным. Если на область с дырочной проводимостью подать положительный заряд, а на область с электронной – отрицательный, то запирающее поле ослабится, сила тока через диод в этом случае зависит только от сопротивления внешней цепи. Такой способ включения называется пропускным, а ток, текущий в диоде – прямым.

Билет №6 (1)

Второй закон Ньютона: